| 意味 | 例文 |
MASK patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5189件
METHOD FOR FORMING LIFT-OFF MASK PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC ELEMENT AND THIN FILM MAGNETIC HEAD BY THE METHOD例文帳に追加
リフトオフマスクパタン形成方法及びこれを使用した磁性体素子並びに薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁
To provide a method for forming a mask pattern, with which increase in a time period for drawing is suppressed and improvement of accuracy in drawing is possible.例文帳に追加
描画時間の増加を抑え、描画精度の向上が可能なマスクパターン作成方法を提供する。 - 特許庁
Since the same amorphous silicon film 4 is used for foundation, the fall or contact of the mask pattern 6b can be controlled.例文帳に追加
下地に同じアモルファスシリコン膜4を用いるので、マスクパターン6bの倒れや接触の発生を抑制できる。 - 特許庁
To provide techniques for improving the extraction efficiency of repeated patterns in a method for forming a mask pattern.例文帳に追加
マスクパターンの形成方法において、繰り返しパターンの抽出効率を向上できる技術を提供する。 - 特許庁
To enable to make record of a high quality at a high speed by using a mask pattern for multipass recording.例文帳に追加
マルチパス記録に用いるマスクパターンによって、高品位の記録を可能としつつ高速記録をも可能とする。 - 特許庁
By this, through the metal mask 2 adhered to the substrate 1, a uniform pattern without position deviation can be film-formed.例文帳に追加
これにより、基板1に密着したメタルマスク2を通して、均一な、位置ずれのないパターンを成膜できる。 - 特許庁
To measure the width of a mask pattern for etching fast nondestructively without contacting, especially, during a process.例文帳に追加
エッチング用のマスクパターン幅を、非接触、非破壊、高速で測定でき、特に、プロセス中に測定できるようにする。 - 特許庁
To provide a verification method for shortening a TAT (Turn Around Time) with high accuracy for a mask pattern after an OPC (Optical Proximity Correction).例文帳に追加
OPC後のマスクパターンに対する、高精度で短TAT化が可能な検証方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for constituting optical imprinting of a mask pattern on a substrate using a lithography apparatus.例文帳に追加
リソグラフィ装置を使用した、基板上へのマスク・パターンの光学的転写を構成する方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a mask blank for drawing an electron beam capable of forming a three-dimensional resist pattern by one time drawing.例文帳に追加
1度の描画で立体的なレジストパターンを形成することができる電子線描画用マスクブランクを提供する。 - 特許庁
To provide a method, a system and a computer program product for evaluating an evaluated pattern of a mask.例文帳に追加
マスクの評価すべきパターンを評価するための効率的な方法、システム及びコンピュータプログラム製品を提供する。 - 特許庁
The silicon oxide film 3 is etched with the shaped resist pattern 5 as a mask to form a contact hole 13.例文帳に追加
そして、この整形されたレジストパターン5をマスクにシリコン酸化膜3をエッチングしてコンタクトホール13を形成する。 - 特許庁
A resist fluid is directly sprayed to a wafer substrate, so that a circuit pattern is formed without using a mask or a reticle.例文帳に追加
直接レジスト液をウェハー基板に吹き付けることで、マスク、レチクルを使用せずに回路パターンを形成する。 - 特許庁
PATTERN PROTECTION DEVICE, MASK DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, DEVICE AND METHOD FOR EXPOSURE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
パターン保護装置、マスク装置及びその製造方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - 特許庁
An assigned pattern storage part 54 stores a plurality of pass mask patterns set for each combination of ink colors.例文帳に追加
割り当てパターン格納部54は、インク色の組み合わせ毎に設定された複数のパスマスクパターンを格納している。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing semiconductor device for manufacturing a fine pattern having higher size accuracy, using a stencil mask.例文帳に追加
ステンシルマスクを用いて、微細なパターンを寸法精度よく製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
As the result, a mask pattern 17A for wiring groove formation is complete without a resist residue.例文帳に追加
これにより、孔部14aにレジスト残渣を生じることなく配線溝形成用のマスクパターン17Aが形成される。 - 特許庁
By a laser annealing device, a substrate 9 is irradiated with the laser beam from a laser irradiation device 1 via a pattern on a mask 6.例文帳に追加
レーザアニール装置は基板9にマスク6のパターンを介してレーザ照射装置1からレーザビームを照射する。 - 特許庁
To provide an etching method capable of widening the frontage of a pattern of an etching mask even in a dry process.例文帳に追加
ドライプロセスにおいてもエッチングマスクのパターンの間口を広くすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
The first mask pattern 14b includes a half-light-shield part 13b for partially transmitting light and a light shielding part 12b.例文帳に追加
第1マスクパターン14bは、光を部分的に透過させる半遮光部13bと、遮光部12bとを含む。 - 特許庁
An etching pattern 2a is formed from the lower layer film by etching the lower layer film 2 using the intermediate layer patterns as a mask.例文帳に追加
中間層パターンをマスクとして下層膜2をエッチングし、下層膜からエッチングパターン2aを形成する。 - 特許庁
A transfer pattern to be imprinted is formed by the composition of two or more apertures which penetrate the mask membrane.例文帳に追加
マスクメンブレンを貫通する複数の開口で構成された転写すべき被転写パターンが形成されている。 - 特許庁
Since a mask pattern can be formed on the thin silicon oxide film at high precision, the silicon material can be etched with high precision.例文帳に追加
薄いシリコン酸化膜には精度良くマスクパターンを形成できるので、シリコン材を精度良くエッチングできる。 - 特許庁
A covering material 16 such as a white sheet is provided directly on the bar code pattern 15 of a mask substrate 11 for exposure.例文帳に追加
露光用マスク基板11のバーコードパターン15上に直接、白色のシートなどの被覆材16を設ける。 - 特許庁
To nondestructively inspect a tapered shape of a through pattern formed in a membrane of a mask for charged particle beam exposure.例文帳に追加
荷電粒子線露光用マスクのメンブレンに形成された貫通パターンのテーパ形状を非破壊的に検査する。 - 特許庁
To provide a system that can more quickly change a pattern at a lower cost, as compared with a mask base system.例文帳に追加
マスク・ベース・システムに比べてパターンがより迅速にかつより少ないコストで変更できるシステムを提供すること。 - 特許庁
The pattern image area and the character / line drawing area can be subjected to separate processing with high accuracy by using the separation mask.例文帳に追加
該分離マスクを用いることで、絵柄画像領域と文字・線画領域との高精度の分離処理が行える。 - 特許庁
To provide a phase shift mask for improving the accuracy of a fine structure in a semiconductor device having a concentric pattern.例文帳に追加
同心形状を有する半導体装置の微細構造の精度を高める位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, AND EXPOSURE MASK例文帳に追加
パターン形成方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び露光マスク - 特許庁
To provide a light source device including a speckle and exhibiting a radiation intensity distribution suitable for a radiation pattern mask.例文帳に追加
スペックルを含み且つ放射パターンマスクに適合した放射強度分布を呈する光源装置を提供する。 - 特許庁
To provide an exposure mask which highly accurately ensures dimensions of an exposure pattern, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
露光パターンの寸法を精度良く保証することができる露光用マスクとその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To reduce pattern drawing time for all of master masks in the process of preparing a mask from a plurality of the master masks.例文帳に追加
複数のマスターマスクからマスクを作成する場合に、マスターマスク全体のパターン描画時間を短縮する。 - 特許庁
In the method of manufacturing the stencil mask for charged particle beam, a plurality of pattern-like plotting openings are formed in a film.例文帳に追加
膜上に複数のパターン状の描画用開口を形成する荷電粒子ビーム用ステンシルマスクの製法。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a mask by which a phase shifter pattern and a light shielding film can be aligned in a good state.例文帳に追加
位相シフタパターンと遮光膜との位置合わせを良好に行えるマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
A mask pattern (13) is provided to transmit the planary electron current 2 directing toward an object 6 to be irradiated.例文帳に追加
照射対象物体6に向かう面状電子流2を透過させるマスクパターン(13)が配置されている。 - 特許庁
(b) A photoresist is applied onto the Ti film 44 and openings 45-1 are made as a mask pattern for etching.例文帳に追加
(b) Ti膜44上にフォトレジストを積層してエッチング用マスクパターンとしての開口45−1を形成する。 - 特許庁
Thereby, an evaluation chip and a substrate chip are made of the same mask pattern and the connection reliability can be evaluated.例文帳に追加
これにより、評価チップと基板チップとを同一のマスクパターンから作製して接続信頼性を評価できる。 - 特許庁
The EUV light is inputted onto the mask 8 from the tilted direction and is reflected/scattered to transfer the pattern onto the wafer 11.例文帳に追加
EUV光は、マスク8に斜めに入射して反射・散乱され、パターンがウェハ10上に転写される。 - 特許庁
To provide a system which can change a pattern more quickly and at less cost compared with a mask base system.例文帳に追加
マスク・ベース・システムに比べてパターンがより迅速にかつより少ないコストで変更できるシステムを提供すること。 - 特許庁
By using the metallic mask pattern 8, a periodic rugged grating is formed on the surface of the double refracting film 3 (f).例文帳に追加
金属マスクパターン8を用いて複屈折膜3の表面に周期的な凹凸格子を形成する(f)。 - 特許庁
An appropriate bias 22 for a linewidth and an appropriate offset for a position are provided in the device pattern 21 on the mask 8.例文帳に追加
このマスク8上のデバイスパターン21には、適当な線幅のバイアス22及び位置のオフセットが設けられている。 - 特許庁
METHOD FOR MAKING MASK PATTERN, METHOD FOR MAKING LAYOUT, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
マスクパターン作成方法、レイアウト作成方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
The first resist pattern is formed on a light shielding film of a mask blank formed with the light shielding film on a substrate.例文帳に追加
基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクの該遮光膜上に第1のレジストパターンを形成する。 - 特許庁
To verify whether appropriate correction is performed or not with respect to a correction mask pattern at a high speed and a low cost.例文帳に追加
補正マスクパターンに対して、適切な補正が行われているか否かを高速、かつ、低コストで検証する。 - 特許庁
The engine control unit 1 of this image forming device selects a mask pattern in accordance with the output resolution in a toner saving mode.例文帳に追加
エンジン制御ユニット1は、トナー節約モードの場合、出力解像度に応じてマスクパターンを選択する。 - 特許庁
When a conformal mask for laser hole processing is formed from front and rear copper foil, a circuit pattern is also formed simultaneously.例文帳に追加
表裏の銅はくからレーザ穴加工用のコンフォーマルマスクを形成する際、配線パターンも同時に形成する。 - 特許庁
To provide a pattern correction method for a semiconductor manufacturing mask, capable of obtaining the satisfactory correction accuracy.例文帳に追加
十分な補正精度を得ることができる半導体製造用マスクのパターン補正方法を提供すること。 - 特許庁
Repeated exposure on the periphery of the pattern may be performed using a part of the electron beam exposure mask.例文帳に追加
前記パターンの周辺部に重ねてする露光は、前記電子ビーム露光用マスクの一部を用いて行っても良い。 - 特許庁
The hard mask patterns lined up in the first direction and a part of the lower electrode layer are covered with a continuous resist pattern.例文帳に追加
第1の方向に並んだハードマスクパターン及び下部電極層の一部を、連続したレジストパターンで覆う。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|