「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

A multilayer reflective film 2 and an absorber film 4 are formed on the obtained mask blanking substrate 1 to make the reflective mask blank 10, and the absorber film 4 in the reflective mask blank 10 is patterned to form an absorber pattern to make the reflective mask 20.例文帳に追加

得られるマスクブランク用基板１上に多層反射膜２及び吸収体膜４を形成して反射型マスクブランク１０とし、この反射型マスクブランク１０における吸収体膜４をパターニングして吸収体パターンを形成して反射型マスク２０とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a deposition mask which performs the positional accuracy of ±10 μm of a pattern in about 50 cm square size even if the deposition mask is manufactured by a transfer method of transferring a metal mask to a body frame by once adhering the metal mask on a screen fabric adhered to the frame.例文帳に追加

枠に貼り付けられた紗の上に、一旦メタルマスクを貼り付け、メタルマスクを本枠上へ転写する転写法によって蒸着マスクを製造しても、約５０ｃｍ角大でパターンの位置精度±１０μｍを達成する製造方法を提供すること。 - 特許庁

Pattern of a master mask 11 is reduction projected onto a mask substrate 13 using a reduction projection optical system 12, e.g. EUVL, and unmagnified exposure is performed by means of an electron beam or hard X-rays using an unmagnified mask 13' made of the mask substrate 13.例文帳に追加

ＥＵＶＬと同等の縮小投影光学系１２を用いて、マスターマスク１１のパターンをマスク基板１３上に縮小投影し、マスク基板１３から作成される等倍マスク１３’を用いて、電子ビームあるいは硬Ｘ線による等倍露光を行う。 - 特許庁

A multilayer reflective film 2 and an absorber film 4 are formed on the mask blanking substrate 1 to make the reflective mask blank 10, and the absorber film 4 in the reflective mask blank 10 is patterned to form an absorber pattern to make the reflective mask 20.例文帳に追加

このマスクブランク用基板１上に多層反射膜２及び吸収体膜４を形成して反射型マスクブランク１０とし、この反射型マスクブランク１０における吸収体膜４をパターニングして吸収体パターンを形成して反射型マスク２０とする。 - 特許庁

The photomask comprises: a frame body which is made of quartz glass and has an opening part; and a mask pattern formation part which is disposed on the opening part and is made of quartz glass formed of a mask pattern, wherein the frame body and the mask pattern formation part respectively have alignment marks for alignment, and the frame body is joined to the mask pattern formation part with a joint member.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、石英ガラスからなり、開口部を有する枠体と、上記開口部に配置され、マスクパターンが形成された石英ガラスからなるマスクパターン形成部とを有し、上記枠体および上記マスクパターン形成部はそれぞれ位置合わせ用のアライメントマークを有し、上記枠体および上記マスクパターン形成部が接合部材によって接合されていることを特徴とするフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a hard mask layer 410 and an etch still film 420 over a semiconductor substrate 400; forming a sacrificial oxide film pattern over the etch still film; forming a spacer on sidewalls of the sacrificial pattern; removing the sacrificial oxide film pattern; and etching the etch still film and the hard mask layer with the spacer as an etch mask to form a hard mask pattern.例文帳に追加

半導体基板４００上部にハードマスク層４１０及びエッチング静止膜４２０を形成する段階と、前記エッチング静止膜上部に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a substrate for a transfer mask, capable of stably manufacturing the mask which does not have faults, without having to break the transfer pattern of an upper single-crystal silicon wafer in a step of manufacturing the mask by using the substrate for the mask, its transfer mask, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

転写マスク用基板を用いて転写マスクを製造する工程において、上部単結晶シリコンウェハの転写パターンが破壊されず、欠陥のない転写マスクを安定して製造することを可能とする転写マスク用基板、及びその転写マスク並びにその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In a method for forming a pattern on a mask stacked matter by forming the mask stacked matter on a layer to be worked, when the mask stacked matter is to be formed, at least a mask layer which is hardened by irradiation with electromagnetic waves or a charged particle beam is formed and the mask layer is hardened by being irradiated with the electromagnetic waves or the charged particle beam.例文帳に追加

被加工層上にマスク積層体を形成し、マスク積層体にパターンを形成する方法において、マスク積層体を形成するときに、少なくとも、電磁波あるいは荷電粒子線の照射により硬化するマスク層を形成し、このマスク層に電磁波あるいは荷電粒子線を照射してマスク層を硬化させる。 - 特許庁

The method can prevent an inorganic hard mask film from being damaged by the formation of a pattern by forming a multilayer mask layer, including the inorganic hard mask film, an organic mask film, an antireflection film, and a silicon containing photo resist film and dry-etching the antireflection film and the organic mask film using O_2 plasma.例文帳に追加

この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁

A processed layer pattern 4 is formed using an alternating phase shift mask, then ion implantation of an impurity is selectively carried out in the unnecessary pattern 4b to increase an etching rate of the unnecessary pattern 4b, after which the unnecessary pattern 4b is etched away.例文帳に追加

レベンソン型位相シフトマスクを用いて被加工層パターン４を形成した後、不要パターン４ｂに選択的に不純物をイオン注入して不要パターン４ｂのエッチングレートを上げた後に、不要パターン４ｂをエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor testing apparatus capable of concurrently generating an expectation value pattern and a determination mask pattern using pattern data stored in a pattern memory, thereby enhancing the flexibility in creating a test program and the efficiency of test.例文帳に追加

パターンメモリに記憶されたパターンデータを用いて期待値パターンと判定マスクパターンとを同時に生成することができ、これにより試験プログラム作成の自由度及び試験効率を高めることができる半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

The mask includes a first photomask 100 where a dense pitch pattern is formed and a portion where a coarse pitch pattern is to be formed is masked, and a second photomask 110 where a coarse pitch pattern is formed and a portion where a dense pitch pattern is to be formed is masked.例文帳に追加

密ピッチパターンが形成され、疎ピッチパターン形成部位がマスキングされた第１のフォトマスク１００と、疎ピッチパターンが形成され、密ピッチパターン形成部位がマスキングされた第２のフォトマスク１１０とを有する構成である。 - 特許庁

The third conductive pattern has a small line width that can be removed by etching, and can be disposed in a region where the conductive pattern is not formed, and thereby, the third conductive pattern can prevent dielectric breakdown caused by discharge between figure patterns when the mask pattern is charged.例文帳に追加

第３導電性パターンはエッチングで除去可能な細い線幅を有し、導体パターンが形成されない領域に配置できるため、マスクパターンの帯電時に図形パターン間の放電による静電破壊を防止可能となる。 - 特許庁

A plurality of alignment marks 4R for the coloring pattern of R, a plurality of alignment marks 4G for the coloring pattern of G, and a plurality of alignment marks 4B for the coloring pattern B are disposed on a mask 2 at different intervals for each coloring pattern.例文帳に追加

マスク２に、Ｒの着色パターン用の複数のアライメントマーク４Ｒ、Ｇの着色パターン用の複数のアライメントマーク４Ｇ、及びＢの着色パターン用の複数のアライメントマーク４Ｂを、着色パターン毎に異なる間隔で設ける。 - 特許庁

To provide method and programs for pattern displacement analysis, pattern correction, and stencil mask manufacture which can quickly and accurately correct the position of a pattern aperture by quickly and accurately analyzing the displacement of the pattern aperture.例文帳に追加

パターン開口の変位を高速かつ精度良く解析することにより、パターン開口の位置を高速かつ精度良く補正することができるパターン変位解析方法、パターン補正方法、ステンシルマスクの製造方法およびプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a reflective mask blank for EUV lithography having a low reflection layer which exhibits a low reflectance to the wavelength region of EUV light and the inspection light of a mask pattern, and especially exhibits low reflection characteristics to the full wavelength region (190-260 nm) of the inspection light of a mask pattern.例文帳に追加

ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光の波長域に対する反射率が低く、特に、マスクパターンの検査光の全波長域（１９０〜２６０ｎｍ）に対して低反射特性を示す低反射層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを提供する。 - 特許庁

For the surface patterning method of etching the surface of a silicon substrate 1 by using a hard mask 3A, the hard mask 3A is provided with an uneven pattern 3b of depth t1 shallower than the film thickness (t) of the hard mask 3A together with an opening pattern 3a facing the etched part of the silicon substrate 1.例文帳に追加

ハードマスク３Ａを用いてシリコン基板１の表面をエッチング加工する表面パターニング方法であって、ハードマスク３Ａには、シリコン基板１のエッチング部分に臨む開口パターン３ａと共に、このハードマスク３Ａの膜厚ｔよりも浅い深さｔ１の凹凸パターン３ｂが設けられている。 - 特許庁

A plurality of pattern images for calibration are formed by splitting a light, passed through a light diffusion member of a mask device for measurement, an opening pattern PHG_j for calibration formed in a mask for measurement of the mask device for measurement, and the optical system to be inspected in order, through the wave front splitting of an optical system for measurement.例文帳に追加

測定用マスク装置の光拡散部材、測定用マスク装置の測定用マスクに形成された較正用開口パターンＰＨＣ_j、及び被検光学系を順次介した光を測定用光学系により波面分割して複数の較正用パターン像が形成される。 - 特許庁

To provide a thin-film forming method for a mask for prescribing a magnetization pattern shape in which a mask with a clean surface can be formed as the mask for prescribing the magnetization pattern shape by efficiently removing sticking matter present in an area other than a specified area on the surface.例文帳に追加

磁化パターン形状規定用マスクに対して、その表面の特定領域以外の領域に存在する付着物を効率的に取り除き、表面の清浄なマスクを作成することが可能な、磁化パターン形状規定用マスクに対する薄膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A portion of the phase shift mask above the contact holes is covered with one of patterns, a portion of the phase shift mask above respective transistors and the anti-electrostatic-discharge protecting circuit in the active area has a low light transmissivity pattern, and other parts of the phase shift mask have a high light transmissivity pattern.例文帳に追加

そのうち、コンタクトホール上方の一部の位相シフトマスクはいずれのパターンにも被覆されず、アクティブ領域内の各トランジスタ上方と抗静電放電保護回路上方の一部の位相シフトマスクは低透光率パターンを具え、位相シフトマスクのその他の部分は高透光率パターンを具えている。 - 特許庁

The photo mask device 20 has a pattern formation mask 21 with a translucent pattern formation area where translucent patterns 26 are placed in grids, and a lighting area partitioning mask 22 with a lighting area 27 formed at the center and a light shielding part 28 surrounding the lighting area 27.例文帳に追加

フォトマスク装置２０は、マトリックス状に透光パターン２６が配置された透光パターン形成領域を有するパターン形成用マスク２１と、中央に形成された採光領域２７と採光領域２７を囲む光遮断部２８とを有する採光領域区画用マスク２２とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reflective type mask, capable of manufacturing the mask by accurately correcting a fine pattern without lowering throughput, without damaging a normal pattern and a reflection layer and without leaving a correction mark, concerning the manufacture of the reflective type mask for EUV exposure.例文帳に追加

ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造において、スループットを低下させずに、正常パターンや反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに、微細パターンの修正を精度良く行ってマスクを製造することができる反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stencil mask and a method of cleaning the stencil mask by which the variation of the position or dimension of the pattern of a stencil mask can be prevented by controlling the surface tension of a cleaning liquid in a cleaning step in which the position or dimension of the pattern is possibly varied.例文帳に追加

ステンシルマスクのパターンの位置や寸法が変動する可能性が高い洗浄工程において、洗浄液の表面張力を制御することにより、パターンの位置や寸法の変動を防止したステンシルマスクの製造方法および洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a phase shift mask which has a binary pattern region and a plurality of phase shift pattern regions on one mask and also has superior size precision and positioning precision and high quality using photolithography of ≤65 nm in half pitch on a wafer, and the phase shift mask obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

ウェハ上のハーフピッチ６５ｎｍ以下のフォトリソグラフィにおいて、１枚のマスク上にバイナリパターン領域と、複数の位相シフトパターン領域とを有し、寸法精度、位置合わせ精度に優れた高品質の位相シフトマスクの製造方法とその製造方法による位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

The method of etching a carbon-containing film includes a step of forming a mask pattern on a carbon-containing film to partially expose the top surface of the carbon-containing film, and anisotropically etching the carbon-containing film with a plasma of a mixture gas composed of O_2- and Si-containing gases using the mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

炭素含有膜上に炭素含有膜の上面を一部露出させるマスクパターンを形成し、マスクパターンをエッチングマスクとして利用して、Ｏ_２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって炭素含有膜を異方性エッチングする炭素含有膜エッチング方法である。 - 特許庁

To this extreme ultraviolet rays exposure mask, an incident EUV light 7 is irradiated aslant, a reflected EUV light 8 is emitted at a reflection coefficient Rm in the portion other than the mask pattern, and a reflected EUV light 9 is emitted at a reflection coefficient Ra (smaller than the reflection coefficient Rm) in the portion of the mask pattern.例文帳に追加

この極端紫外線露光用マスクには、斜めから入射ＥＵＶ光７が照射され、マスクパターン以外の部分では反射率Ｒｍで反射ＥＵＶ光８が、マスクパターンの部分では反射率Ｒａ（反射率Ｒｍより小さい）で反射ＥＵＶ光９が出射される。 - 特許庁

A method of manufacturing a photomask comprises: a step S12 of preparing a half-tone-type phase shift mask on which a mask pattern is formed; and a step S15 of forming a light-shielding frame by selectively applying a light-shielding material onto a region around the region in which the mask pattern is formed.例文帳に追加

実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程Ｓ１２と、マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程Ｓ１５とを備える。 - 特許庁

The pattern forming device comprises a mask 1 arranged on a first face side of a substrate 2 for forming a pattern, and a plurality of Peltier elements 5 and cooling plates 6 for controlling the temperature of the mask 1 from a second face side of the substrate 2, and controls the cooling power of each Peltier element 5 for every multiple areas of the mask 1.例文帳に追加

パターンを形成する基板２の第１面側に配設されたマスク１と、基板２の第２面側からマスク１の温度を制御する複数のペルチェ素子５および冷却板６とを備え、各ペルチェ素子５の冷却力をマスク１の複数の領域ごとにそれぞれ制御する。 - 特許庁

Upon forming a gate composed of a gate electrode and a gate wiring, only the gate electrode pattern 12 is formed by a double exposure processing using a first mask 1 and a second mask 2, and thereafter the gate wiring pattern 13 is formed by an exposing processing using a third mask 3.例文帳に追加

ゲート電極及びゲート配線からなるゲートを形成するに際して、第１のマスク１及び第２のマスク２を用いた二重露光処理により、ゲート電極パターン１２のみを形成した後、第３のマスク３を用いた露光処理により、ゲート配線パターン１３を形成する。 - 特許庁

To provide an LIPS sensor for measuring an EUV (extreme ultra violet) projected from a mask pattern through an opening by a photo-diode to search a position relation between a mask and a wafer, and to prevent heat distortion from being generated even when EUV is absorbed by a slit for detecting lights from a reference pattern on the mask.例文帳に追加

マスクパターンから投影されたＥＵＶを、開口を通してフォトダイオードで測定し、マスクとウエハの位置関係を求めるというＬＩＰＳセンサーに関する発明で、マスク上の基準パターンからの光を検出するためのスリットがＥＵＶを吸収しても熱歪みを生じさせない様にする。 - 特許庁

To provide a method of determining a defect size of an evaluation pattern for evaluating defect detection sensitivity capable of accurately determining the defect size of the evaluation pattern formed on an evaluation mask used to evaluate the defect detection sensitivity of mask defect inspection systems, and a method of creating a sensitivity mask.例文帳に追加

マスク欠陥検査装置の欠陥検出感度を評価するために用いられる評価用マスクに作り込まれた評価用パターンの欠陥サイズを精度良く算出することが可能な欠陥検出感度評価用パターンの欠陥サイズ算出方法及び感度マスクの作成方法を提供する。 - 特許庁

A majority decision is made in codes from which a mask pattern is removed, and a decoded code is subjected to a Reed-Muller code, and an operation of obtaining a Euclidean distance between the former and a received code signal is carried out in all mask patterns, so as to obtain the mask pattern that the Euclidean distance is minimal.例文帳に追加

符号からマスクパターンを外したものに関して多数決判定を行い、復号したものをリード・マラー符号し、これと受信した符号信号とのユークリッド距離を求める動作を全てのマスクパターンについて行ない、ユークリッド距離が最小となるマスクパターンを求める。 - 特許庁

To automatically divide an exposure mask into regions without requiring manual work of a worker by extracting and classifying a characteristic part of the mask pattern in the process of inspecting pattern defects in the exposure mask, and to improve inspection efficiency and its reliability or the like.例文帳に追加

露光用マスクにおけるパターン欠陥を検査するのにあたり、マスクパターンの特徴部分を抽出分類することで、作業者の手作業を要することなく自動的にその露光用マスク上を領域分割し得るようにし、これにより検査効率やその信頼性の向上等が図れるようにする。 - 特許庁

Related to a mask for forming a positive resist pattern which is used for ion-implantation into an arbitrary cell transistor of a mask ROM, the size of adjoining opening pattern is larger than that of non-adjoining opening pattern, among opening patterns so provided as to correspond to the positive resist pattern.例文帳に追加

マスクＲＯＭにおける任意のセルトランジスタにイオン注入するために用いられる、ポジ型レジストパターンを形成するためのマスクにおいて、前記ポジ型レジストパターンに対応して設けられる各開口パターンのうち、開口パターンが隣接していないもののサイズを、開口パターンの隣接しているものより大きくする。 - 特許庁

To provide a polysiloxane resin composition for forming a reversed pattern and being properly embedded in a gap of a mask pattern which is excels in resistance to dry etching and in preservation stability, without being mixed with a mask pattern formed on a substrate to be processed, and to provide a method for forming the inverted pattern which uses the composition.例文帳に追加

被加工基板上に形成されたマスクパターンとミキシングすることがなく、かつこのマスクパターンの間隙に良好に埋め込むことができ、ドライエッチング耐性及び保存安定性に優れる反転パターン形成用のポリシロキサン樹脂組成物及びこれを用いた反転パターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The pattern transfer mask 10 is manufactured by correction including shift in the X and Y directions, rotation around the Z axis, and magnification in the X and Y directions and/or orthogonality of a circuit pattern P so that the circuit pattern P overlaps on the all defects DF in the mask blank as an intermediate material before forming the pattern.例文帳に追加

パターン転写用マスク１０は、パターン形成前の中間材であるマスクブランクスの全ての欠陥ＤＦに回路パターンＰが重なるように、回路パターンＰのＸＹ方向へのシフト、Ｚ軸回りの回転、及び、ＸＹ方向の倍率及び／又は直交を含む補正を行って作製されている。 - 特許庁

A laminated film composed of a semiconductor layer, a gate insulation layer and a gate electrode layer is formed on an insulator, the laminated film is etched with a first resist pattern formed on it as a mask, then the first resist pattern is worked into a second resist pattern, and at least the gate electrode layer is etched with the second resist pattern as the mask.例文帳に追加

絶縁体上に半導体層とゲート絶縁層とゲート電極層からなる積層膜を形成し、この上に形成した第1のレジストパターンをマスクとして積層膜をエッチングした後、第1のレジストパターンを第２のレジストパターンに加工し、第２のレジストパターンをマスクとして少なくともゲート電極層をエッチングする。 - 特許庁

The pattern part of the mask for near field exposure is filled with a transparent conductive substance (such as ITO) which is transparent for the exposure light to render the entire exposure mask into a conductive state.例文帳に追加

近接場露光用マスクのパターン部に露光光に対して透明である透明導電物質（ＩＴＯなど）充填し、露光用マスク全体を導電状態にした。 - 特許庁

To provide Model Based Optical Proximity Correction (MOPC) biasing techniques for optimizing a mask pattern, which takes into account the influence of neighboring features with respect to the mask.例文帳に追加

マスクに対する近傍の特徴構造の影響を考慮するマスク・パターンの最適化のためのモデル・ベースの光学的近接効果補正（ＭＯＰＣ）バイアス技術を提供する。 - 特許庁

To provide a mask vapor deposition method by which a desired thin film pattern can be formed even if a deposition layer sticks while a mask for vapor deposition is repeatedly used.例文帳に追加

蒸着用マスクを繰り返し使っていくうちに堆積層が付着した場合でも、所望の薄膜パターンを形成することができるマスク蒸着法を提供すること。 - 特許庁

A mask pattern to mask an electrode pad on the LED chip is formed, and a fluorescent film is thin and evenly deposited on the LED chip using Pulsed DC, an RF sputtering method or a PLD method.例文帳に追加

LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulsed DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均一に蒸着する。 - 特許庁

After the flexible substrate is extended in the predetermined direction by the predetermined amount and positioned to the mask, the material for vapor deposition is vapor-deposited to the predetermined pattern via the mask.例文帳に追加

可撓性基板を所定の方向に所定の量で延伸させてマスクとの位置合わせを行った後、マスクを介して蒸着材料を所定のパターンに蒸着させる。 - 特許庁

To provide an exposure mask requiring no complementary division of an opening-like exposure pattern, an exposure method using that exposure mask, and a process for fabricating a semiconductor device.例文帳に追加

開口状の露光パターンを相補分割する必要のない露光マスク、この露光マスクを用いた露光方法、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The screen printing metal mask is manufactured by irradiating a mask plate 1 with a laser beam 7, and perforating the plate 1 with printing pores 11 according to a predetermined printing pattern.例文帳に追加

スクリーン印刷用メタルマスクは、マスク板１にレーザ光７を照射し、マスク板１に所定の印刷パターンに従って印刷孔１１を穿孔してなるものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a phase shift mask by which a fine and highly precise exposure pattern is formed, to provide a method for manufacturing a flat panel display, and to provide the phase shift mask.例文帳に追加

微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスクを提供する - 特許庁