「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a deposition mask having the excellent positional accuracy of a pattern part even with a body frame of low strength with a sash removed therefrom when manufacturing the deposition mask by affixing a metal mask on a screen fabric, and transferring the metal mask to the body frame.例文帳に追加

紗上にメタルマスクを貼り、このメタルマスクを本枠へ転写する蒸着マスクの製造にて、桟を取り除いた強度の低い本枠でも、パターン部の位置精度の良好な蒸着マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

As a mask used for the photolithography, a mask 14 is used in which each of the mask patterns 16 corresponding to the photoresist patterns respectively includes sub-island patterns 20 at its four corners 18, each of the sub-island patterns 20 extending outward in the diagonal direction of the mask pattern 16.例文帳に追加

ここで、フォトリソグラフィーに用いるマスクとしては、各フォトレジストパターンにそれぞれ対応する各マスクパターン１６が、各角部１８に、対角線方向で外側に延出するサブアイランドパターン２０を備えたマスク１４を用いる。 - 特許庁

The mask 2 is mounted on the mask holder 20 with the surface where the pattern is formed down, and the support member 26 is moved to a position to come into contact with the flat part 2a of the mask 2 so that the flat part 2a of the mask 2 is supported by the support member 26.例文帳に追加

マスク２をパターンが形成された面を下にしてマスクホルダ２０に装着し、支持部材２６をマスク２の平坦部２ａと接触する位置へ移動して、マスク２の平坦部２ａを支持部材２６により支持する。 - 特許庁

An exposure mask film 1 having a light condensing film 3 and a mask film 4 having a mask pattern below a light diffusing layer 2 is used to irradiate and expose a photosensitive material 6 formed on a substrate with UV light through the mask.例文帳に追加

光拡散層２の下方に集光フィルム３とマスクパターンを有するマスクフィルム４を備えた露光用マスクフィルム１を用い、それを介して基板上に形成された感光材６に紫外光を照射して露光する。 - 特許庁

A mask pattern switching part 13 switches at least two different mask patterns, and controls so that the different mask patterns are displayed on the transparent EL display 14 and the different mask patterns are transferred onto the same wafer 2.例文帳に追加

マスクパターン切換え部１３は、少なくとも２つの異なるマスクパターンを切換えて、透明ＥＬディスプレイ１４に異なるマスクパターンを表示させて、同一のウェハ２上に異なるマスクパターンが転写されるように制御を行なう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank capable of manufacturing a high-quality mask blank with a high yield, while suppressing generation of defects in a thin film for forming a mask pattern, to provide a method for manufacturing a transfer mask manufactured by patterning the thin film of the mask blank, and to provide a sputtering target that is used for manufacturing the mask blank.例文帳に追加

マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a highly precise mask structure, capable of obtaining a deposition pattern having high dimensional precision and in which a mask is fixed to a mask frame in a state with the tension being applied to the mask, while preventing deformation of the mask frame, and to provide a depositing method using the mask structure and a method of manufacturing an organic light-emitting element.例文帳に追加

本発明の目的は、高寸法精度の蒸着パターンを得ることができ、マスクフレームの変形を防止しつつマスクを張力が加えられた状態でマスクフレームに固定した高精度なマスク構造体およびそれを用いた蒸着方法、並びに有機発光素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The layout is designed in such a manner that the mask pattern contains only a pattern 142 with the maximum aperture and the pitch 145 of the aperture patterns 142 is as specified above.例文帳に追加

マスクパターンを最大開口パターン１４２のみとし、開口パターン１４２同士のピッチ１４５を上記規定幅として設計する。 - 特許庁

Namely, a crest-like pattern shape having a vertex (starting point) 27a in its central part is adopted to the micro- mirror forming section of the mask pattern 27.例文帳に追加

つまり、マスクパターン２７のマイクロミラー形成部には、中央部に頂点（起点）２７ａを有する山型のパターン形状が採用される。 - 特許庁

An object layer 430 for pattern formation is formed on a substrate 400; and a mask layer 432 is formed on the object layer 430 for pattern formation.例文帳に追加

基板４００上にパターン形成対象層４３０を形成し、パターン形成対象層４３０上に、マスク層４３２を形成する。 - 特許庁

A grating-like pattern is projected on a nail and a grating pattern projected on the surface of the nail is observed through a grating mask by an image pickup device.例文帳に追加

爪の上に格子状パターンを投影し、爪の表面上に映った格子パターンを格子マスクを通して撮像装置で観察する。 - 特許庁

Then, the reflective mask is used to form a pattern on a substrate corresponding to the oblique incidence effect measuring pattern.例文帳に追加

そして、前記反射型マスクを用いて、前記斜入射効果測定用パターンに対応する基板上パターンを基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a mask pattern for semiconductor device fabrication and a forming method thereof, and a manufacturing method for a semiconductor device having a fine pattern.例文帳に追加

半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法と、微細パターンを持つ半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

LAMINATED BODY, GRAFT FILM FORMING METHOD, GRAFT PATTERN FORMING METHOD, METAL PATTERN FORMING METHOD, PRINTED WIRING BOARD, THIN LAYER TRANSISTOR, APPARATUS, AND PHOTO-MASK例文帳に追加

積層体、グラフト膜形成方法、グラフトパターン形成方法、金属パターン形成方法、プリント配線基板、薄層トランジスタ、装置、及びフォトマスク - 特許庁

To provide a hard mask pattern for defining a target pattern in a matrix shape arrayed finely below the resolution of exposure equipment.例文帳に追加

露光装備の解像度以下に稠密に配列されたマトリックス状の目標パターンを定義するためのハードマスクパターンを形成すること。 - 特許庁

At this time, if the initial numerical aperture α_0 is smaller than the allowable numerical aperture α_1, add a dummy pattern to the mask pattern (step S56).例文帳に追加

このとき、初期開口率α_０が許容開口率α_１よりも小さい場合には、マスクパターンにダミーパターンを追加する（ステップＳ５６）。 - 特許庁

To provide an exposure method in which the pattern of a mask is formed with high accuracy so as to be overlapped with a pattern image which is already formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に既に形成されたパターン像にマスクのパターンを高精度に重ね合せて形成する露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern data processing method in which production efficiency of a mask pattern is improved, and parameters of a real exposure machine can be taken into consideration as required.例文帳に追加

マスクパターンの作成効率が高く、必要に応じて実露光機のパラメータを考慮できるパターンデータ処理方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, METHOD FOR FORMING THIN FILM PATTERN, METHOD FOR PRODUCING MAGNETO- RESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

マスクパターンの形成方法、薄膜パターンの形成方法、磁気抵抗効果素子の製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

A silicone oxide film pattern is formed on the surface of the silicon substrate 20, and etching is performed with the silicon oxide film pattern as a mask by a KOH solution.例文帳に追加

そのシリコン基板２０表面にシリコン酸化膜パターンを形成し、それをマスクとしてＫＯＨ溶液によりエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a positive resist composition causing little pattern collapse for the formation of a fine pattern and having low dependence on the mask covering rate.例文帳に追加

微細パターンの形成においても、パターン倒れの発生が少ない、マスク被覆率依存性が小さいポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a resist pattern 9 is formed on the WSi layer 8, and patterning of the WSi layer 8 is performed using the resist pattern 9 as a mask.例文帳に追加

その後、ＷＳｉ層８の上にレジストパターン９を形成し、レジストパターン９をマスクとしてＷＳｉ層８のパターニングを行う。 - 特許庁

Then, a resist pattern is formed in a lithography process and a groove is formed by dry-etching the organic thin film using the pattern as an etching mask.例文帳に追加

次いで、リソグラフィ工程によりレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、前記有機薄膜をドライエッチングして、溝を形成する。 - 特許庁

An intermediate layer pattern 13a is formed by subjecting the intermediate layer 13 to reactive ion etching by using the upper resist pattern 14a as a mask.例文帳に追加

この上層レジストパターンをマスクとして中間層に反応性イオンエッチングが施され、中間層パターン１３ａが形成される。 - 特許庁

Gate electrodes 107a are formed by etching the reflection preventing film pattern and the first conductive film, and the hard mask pattern 111a is exposed.例文帳に追加

反射防止膜パターン及び第１導電膜をエッチングしてゲート電極１０７ａを形成し、ハードマスクパターン１１１ａを露出させる。 - 特許庁

In this pattern forming method, the desired pattern can be formed on a substrate 12 through the exposure via the mask 10.例文帳に追加

このパターン形成方法は、マスク１０を介して露光することにより、基板１２上に所望パターンを形成するパターン形成方法である。 - 特許庁

To fully suppress the deformation of a membrane mask which is employed for pattern irradiation of charged particle beams, and thereby to improve the precision in pattern irradiation.例文帳に追加

荷電粒子線のパターン照射に用いられるメンブレンマスクの変形を十分に抑え、パターン照射の精度の向上を図る。 - 特許庁

The method for designing a phase shift mask includes steps of: placing an underlay pattern 102 in the layout data designing a phase shift mask; placing a first overlay pattern 100 overlapping the underlay pattern 102 and a second overlay pattern 101 not overlapping the underlay pattern in the layout data; and placing a dummy underlay pattern 105 overlapping the second overlay pattern 101 in the layout data.例文帳に追加

位相シフトマスクの設計方法は、位相シフトマスクを設計するレイアウトデータに、下層パターン１０２を配置するステップと、レイアウトデータに下層パターン１０２と重なる第１の上層パターン１００及び下層パターンと重ならない第２の上層パターン１０１を配置するステップと、レイアウトデータに第２の上層パターン１０１と重なるダミー下層パターン１０５を配置するステップとを備えている。 - 特許庁

The method comprises steps of setting a mask given in response to each predetermined pattern for detecting the pattern information of the input image, measuring similarity between the input image and a filter kernel mask, determining the filter kernel mask most suited for the pattern of the input image in reference to similarity, and adding the non-linear filtering through the determined mask.例文帳に追加

その方法として、入力映像のパターン情報を検出するためにあらかじめ定義しておいたそれぞれのパターンに応じて与えられたマスクを設定し入力映像とフィルターカーネルマスクの類似性を測定し、その類似性より最も入力映像のパターンに適合したフィルターカーネルマスクを決め、決定されたマスクを通じて非線形フィルターリングを加える。 - 特許庁

The pattern mask comprises a mask substrate 10 which contacts a pattern formation layer 2 on a substrate 1, a plurality of electron beam shielding region 11 formed on the mask substrate 10, a plurality of electron beam transmission region 12 formed on the mask substrate 10, and a plurality of minute adhesive layers 14 for increasing the degree of contact of the electron beam shielding region 11 which contacts the pattern formation layer 2.例文帳に追加

基材１上のパターン形成層２に接触するマスク基材１０と、マスク基材１０に形成される複数の電子線遮蔽領域１１と、マスク基材１０に形成される複数の電子線透過領域１２と、パターン形成層２に接触する電子線遮蔽領域１１の接触度を高める複数の微粘着層１４とを備える。 - 特許庁

The mask pattern correction method includes the steps of: acquiring three-dimensional information of a first portion where no black defect is present in a pattern edge of a mask pattern 5 by using a scanning probe microscope; and correcting a second portion where a black defect 2 is present in the pattern edge of the mask pattern 1 based on the three-dimensional information by using the probe of the scanning probe microscope.例文帳に追加

マスクパターン修正方法は、マスクパターン５のパターンエッジに黒欠陥が存在しない第１の部分の３次元情報を走査型プローブ顕微鏡を用いて取得するステップと、前記３次元情報に基づいてマスクパターン１のパターンエッジに黒欠陥２が存在する第２の部分を前記走査型プローブ顕微鏡のプローブを用いて修正を行うステップとを含む。 - 特許庁

Work control data for driving and controlling an aperture mask 40 and a print mask material 60 are generated so that an optical pattern corresponding to the specified element shape pattern is irradiated onto a prescribed working partition on the print mask material 60.例文帳に追加

この特定した要素形状パターンに対応する光パターンが印刷マスク材６０上の所定の加工区画に照射されるようにアパーチャーマスク４０及び印刷マスク材６０を駆動制御するための加工制御データを生成する。 - 特許庁

The method comprises a step of preparing an optical mask having a reference pattern and a comparison pattern, and projecting the optical mask on a prescribed image forming plane by using an exposure beam after loading the optical mask in an exposure system wherein a prescribed exposure beam is used.例文帳に追加

基準パターン及び比較パターンを具備する光学マスクを準備して、所定の露光ビームを使用する露光システム内に光学マスクをローディングした後、露光ビームを使用して光学マスクを所定の結像面に投映する段階を含む。 - 特許庁

Next, processing for converting the tolerance to a printing area rate of the transparent toner is performed in a transparent toner area rate computing section 108, and a mask pattern for subjecting a transparent toner signal to mask processing by the printing area rate is performed in a mask pattern generating section 109.例文帳に追加

次に、透明トナー面積率演算部１０８で許容量を透明トナーの印字面積率に換算する処理を行い、マスクパターン生成部１０９で、該印字面積率によって透明トナー信号をマスク処理するためのマスクパターンを生成する。 - 特許庁

Then openings 10a for grooves are formed in the third mask layer 10, connecting openings 12b for connection holes are formed in the first and second mask layers 8 and 9 and first to third insulating films 4-6 by performing etching by using a resist pattern 11 as a mask, and the pattern 11 is removed.例文帳に追加

次に、第３マスク層１０に溝用開口１０ａを形成し、レジストパターン１１をマスクしたエッチングによって、第２マスク層９〜第３絶縁膜６に接続孔用の接続用開口１２ｂを形成し、レジストパターン１１を除去する。 - 特許庁

A conductive film is subjected to etching by using a first mask pattern formed by using the first photomask 11 and a second mask pattern formed by using the second photomask 12 as a mask, by which the electrodes and wiring consisting of the conductive film are formed.例文帳に追加

導電膜に対して、第１のフォトマスク１１を用いて形成された第１のマスクパターンと、第２のフォトマスク１２を用いて形成された第２のマスクパターンとをマスクにしてエッチングを行なって、導電膜からなる電極及び配線を形成する。 - 特許庁

To prevent a fluorine compound from depositing on a sidewall of an insulation film mask in etching the insulation film mask by a gas which includes fluorine in a process for etching a microwiring pattern with the insulation film mask pattern represented by oxide film and the like.例文帳に追加

酸化膜などに代表される絶縁膜マスクパターンによって微細配線パターンをエッチングする工程において、絶縁膜マスクをフッ素を含むガスでエッチングするとき、絶縁膜マスクの側壁等にフッ素化合物が堆積するのを防止する。 - 特許庁

More specifically, the thin-out pattern of the input mask is converted to weight to the intrinsic filter coefficient of a Gaussian filter to generate the filter coefficient, thus creating the reduction mask reflecting the thin-out pattern, where the element of the input mask is thinned out.例文帳に追加

つまり入力マスクの間引きパターンを、ガウスフィルタの本来のフィルタ係数に対する重みに変換してフィルタ係数を生成することにより、入力マスクの要素を間引いた間引きパターンを反映した縮小マスクを作成することができる。 - 特許庁

The complementary mask is used for exposure to a beam for exposure in specified pattern and given round shapes 4 at inner circumferential corners of a mask pattern 2A of a main mask 4A, so stress in the main mask which is prevented from converging on the inner circumferential corners to prevent the main mask from being broken or deformed owing to the convergence of the stress.例文帳に追加

露光用ビームによって所定パターンに露光するのに用いる相補形マスクであって、主マスク４Ａのマスクパターン２Ａの内周角部に丸み形状４を付けているために、この内周角部に生じる主マスク内の応力の集中を防ぐことができ、応力の集中による主マスクの破損や変形を防止することができる。 - 特許庁

When slight focus adjustment is made to the photoirradiation part 4, the pattern-drawing device minutely moves the mask part 42, by means of the mask part-minutely moving mechanism 43, vertically along the optical axis formed by the mask part 42 and the projection optical system 44, to fit the mask pattern of the mask part 42 to an optically conjugate position to the objective surface of the substrate.例文帳に追加

パターン描画装置では、光照射部４のフォーカス微調整が行われる際に、マスク部４２をマスク部微動機構４３によりマスク部４２と投影光学系４４とを結ぶ光軸に沿う上下方向に微小に移動することにより、基板の対象面に対して光学的に共役な位置にマスク部４２のマスクパターンを一致させる。 - 特許庁

For example, a mask center portion facing a film deposition means 3 becomes higher in temperature than a mask peripheral portion, and the entire mask surface is uniformly cooled by enhancing the cooling power of the Peltier elements 5 arranged on the mask center portion to prevent any positional deviation or defective shape of the pattern caused by the thermal deformation of the mask 1 during the film deposition.例文帳に追加

例えば、成膜手段３に対向するマスク中央部はマスク周辺部より高温となるため、マスク中央部に配設されたペルチェ素子５の冷却力を高めてマスク全面を均一に冷却し、成膜中のマスク１の熱変形によるパターンの位置ずれや形状不良を防ぐ。 - 特許庁

By performing an etching process so that the insulating film is left only under the second auxiliary pattern, in the etching process using the silyrated first auxiliary pattern and the second auxiliary pattern as etching masks, the hard mask film is etched to form a hard mask pattern.例文帳に追加

上記絶縁膜が上記第2の補助パターンの下部にのみ残留するようにエッチング工程を行い、上記シリレーションされた第1の補助パターン及び第2の補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程で上記ハードマスク膜をエッチングしてハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁

In an exposure device, a plurality of different masks (OPC mask or phase shift mask) corresponding to the pattern P1 are prepared, and a reticle is selected as capable of imprinting a device pattern accurately based on a measurement inspecting result of reticle pattern or measurement inspecting result of wafer pattern.例文帳に追加

露光装置では、パターンＰ１に相当する複数の異なるマスク（ＯＰＣマスク又は位相シフトマスク）が用意されており、レチクルのパターンの測定検査結果やウエハのパターンの測定検査結果などに応じて、デバイスパターンを精度良く転写することが可能なレチクルを選択する。 - 特許庁

The pattern film deposition apparatus 100 deposits a film on one side of a substrate 1 by the vacuum vapor deposition by a plurality of times to a predetermined pattern shape, and comprises a main mask 21 and an auxiliary mask 22.例文帳に追加

パターン成膜装置１００は、真空蒸着により基板１の一面に複数回に分けて所定のパターン形状に膜を成膜するものであり、主マスク２１と補助マスク２２を備える。 - 特許庁

A mask pattern 1 including a measurement pattern 2 having the same line width in regions a, b, c which are interposed by peripheral patterns 3, 5, 7 having different aperture ratios of 0%, 50% and 100%, respectively, is formed on a mask.例文帳に追加

マスクに、測定パターン２の同一線幅の領域ａ，ｂ，ｃがそれぞれ、異なる開口率０％，５０％，１００％の周辺パターン３，５，７に挟まれたマスクパターン１を形成する。 - 特許庁