| 意味 | 例文 |
MASK patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5189件
To provide a method for forming a fine pattern in a semiconductor device using a fine-pitch hard mask.例文帳に追加
微細ピッチのハードマスクを用いた半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁
FORMATION OF RESIST, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND PRODUCTION OF MASK FOR X-RAY EXPOSURE例文帳に追加
レジストの成膜方法、レジストパターンの形成方法、およびX線露光用マスクの製造方法 - 特許庁
To provide a pattern formation method which does not need any special mask plate in a light exposure step.例文帳に追加
露光工程時において専用のマスク板を必要としないパターン形成方法を提案する。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING PHASE SHIFT MASK, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
位相シフトマスクの製造方法、レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING MAGNETIZATION PATTERN ON MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING APPARATUS, AND MASK例文帳に追加
磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置、並びにマスク - 特許庁
A lithographic process is simulated by using the individual mask error model to generate a simulate pattern (process 216).例文帳に追加
個別マスクエラーモデルを使用してリソグラフィプロセスをシミュレートし、シミュレートパターンを生成する(工程216)。 - 特許庁
A circuit pattern is extracted from layout data of a mask, and a net list is created as an equivalent circuit.例文帳に追加
マスクのレイアウトデータから、回路パターンを抽出し、等価回路としてネットリストを作成する。 - 特許庁
By these processings, the image data are converted to mask pattern data for performing luminous intensity simulation.例文帳に追加
これらの処理によって、光強度シミュレーションを行うためのマスクパターンデータに変換される。 - 特許庁
In an exposure process S2, the photosensitive color resist film is exposed to light through a specified mask pattern.例文帳に追加
次に露光工程(S2)で、感光性着色レジスト膜を所定のマスクパターンを介して露光する。 - 特許庁
EXPOSURE MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE例文帳に追加
露光マスク、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、および表示装置の製造方法 - 特許庁
To provide a mask pattern correction method with high dimensional accuracy using a scanning probe microscope.例文帳に追加
走査型プローブ顕微鏡を用いた、寸法精度の高いマスクパターン修正方法を提供すること。 - 特許庁
The mask 10 is provided with blocks, where an alignment pattern in common to plural semiconductor devices, is formed.例文帳に追加
マスク10は、複数の半導体装置に共通する露光パターンが形成されたブロックを有する。 - 特許庁
To provide a dielectric film having a finer contact hole than a mask pattern formed on an upper side.例文帳に追加
上部に形成されたマスクパターンより微細なコンタクトホールを誘電体膜に形成すること。 - 特許庁
METHOD OF ANALYZING ERRORS OF EXPOSED POSITION, PATTERN FOR ANALYZING ERRORS OF EXPOSED POSITION, EXPOSURE MASK, AND EXPOSURE APPARATUS例文帳に追加
露光位置精度解析方法、露光位置精度解析用パターン、露光マスク、および露光装置 - 特許庁
To provide a mask which is capable of making resist pattern sizes uniform and a process for producing a semiconductor device.例文帳に追加
レジストパターン寸法を均一化できるマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING MAGNETIZATION PATTERN OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING DEVICE AND MASK例文帳に追加
磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置、並びにマスク - 特許庁
The thin film 2 to be milled is then milled through the mask pattern 11 to obtain a patterned thin film 12.例文帳に追加
次いで、マスクパターン11を介して被ミリング薄膜2をミリングし、パターニング薄膜12を得る。 - 特許庁
To prevent deviation of specification relating to optical characteristics of a mask blank and to prevent a pattern defect in a transfer material.例文帳に追加
マスクブランクの光学特性に係る仕様の逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止する。 - 特許庁
MAGNETIZED PATTERN FORMING METHOD FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING DEVICE, AND MASK例文帳に追加
磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、磁気記録媒体及び磁気記録装置、並びにマスク - 特許庁
The power feeding member 8 having these shapes is drawn on one mask pattern 25 as many as 12 pieces.例文帳に追加
このような形状を有する給電部材8は1枚のマスクパターン25に12枚描かれる。 - 特許庁
To provide a method of forming a mask used for printing a target pattern on a substrate.例文帳に追加
基板上に目標パターンをプリントするのに使用するマスクを生成する方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of determining an image of a mask pattern in a resist coated on a substrate.例文帳に追加
基板上にコーティングされたレジスト内のマスクパターンの像を決定するための方法を提供する。 - 特許庁
The resist film 11 is irradiated with exposure light 12 through a mask 13 for pattern exposure.例文帳に追加
レジスト膜11に対して露光光12をマスク13を介して照射してパターン露光を行なう。 - 特許庁
Then, the mask again is exposed, and a second group of a repeat pattern is formed on the wafer.例文帳に追加
続いてマスクは再度露光されることで、第2組の繰り返しパターンがウエハ上に形成される。 - 特許庁
To provide a halftone phase shifting mask capable of transferring a high-precision transfer pattern.例文帳に追加
高精度な転写パターンを転写することが可能なハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁
MASK PATTERN DESIGN TO IMPROVE QUALITY UNIFORMITY IN LATERALLY CRYSTALLIZED POLYCRYSTALLINE Si FILM例文帳に追加
横方向に結晶化した多結晶SI膜の品質の均一性を向上させるマスクパターン設計 - 特許庁
An exposure treatment is carried out on the formed resist layer using a required mask pattern (S102).例文帳に追加
形成されたレジスト層に対して、所定のマスクパターンを使用して露光処理を行う(S102)。 - 特許庁
To provide a diffraction grating mask applicable even to the transfer of a phase shifted diffraction grating pattern.例文帳に追加
位相がシフトした回折格子パターンの転写にも適用可能な回折格子マスクを提供する。 - 特許庁
ELECTROFORMING METHOD FOR PLATE MADE OF COPPER WITH PRECISION THROUGH PART PATTERN USED FOR MASK FOR LASER BEAM MACHINE例文帳に追加
レーザ加工機用マスク等に用いる精密な貫通部パターンを含む銅製プレートの電鋳方法 - 特許庁
When density doubling interpolation is conducted, toner saving is performed with an optional toner saving mask pattern (S3).例文帳に追加
倍密補間処理をした場合は、任意のトナーセーブマスクパターンでトナーセーブ処理が行われる(S3)。 - 特許庁
To provide an automatic designing apparatus capable of shortening a period of time required for automatically designing a mask pattern.例文帳に追加
マスクパターンの自動設計に要する時間を短縮可能な自動設計装置を提供する。 - 特許庁
With the resist pattern 3 as a mask, the SiO_2 layer 4 is partially etched, and a contact hole 6 is formed.例文帳に追加
レジストパターン3をマスクとして、SiO_2層4を部分的にエッチングし、コンタクトホール6を形成する。 - 特許庁
And a conductor film is formed in the form of a pattern by a lift-off process using the resist mask.例文帳に追加
そして、このレジストマスクを用いたリフトオフの方法で導電体膜のパターン形成を行う。 - 特許庁
The reflection film mask pattern 3A is formed by the process of manufacturing a semiconductor on the glass surface.例文帳に追加
反射膜マスクパターン3Aは、ガラスの表面に半導体製造プロセスにより形成される。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER, LASER IRRADIATION METHOD, MULTI-PATTERN MASK, AND LASER IRRADIATION SYSTEM例文帳に追加
半導体結晶層の製造方法、レーザ照射方法、マルチパターンマスクおよびレーザ照射システム - 特許庁
A phase-shift mask has a checkerboard array and a sub-resolution assist phase pattern surrounding the checkerboard array.例文帳に追加
チェッカーボードアレイ及びこれを囲むサブレゾリューション・アシスト位相パターンを備える位相シフトマスクである。 - 特許庁
The insulation film 30 is removed, by using the photoresist pattern as an etching mask and an opening part 32 is formed.例文帳に追加
フォトレジストパターンをエッチングマスクとして絶縁膜30を除去し、開口部32を形成する。 - 特許庁
The pattern of the mask R is illuminated with light having a specific wavelength for exposing onto the substrate.例文帳に追加
所定の波長を有する光で照明されたマスクRのパターンを基板上に露光する。 - 特許庁
The method thereafter comprises the steps of removing the film 12, and trimming the mask pattern constituting the film 6.例文帳に追加
その後、シリコン酸化膜12を除去して、多結晶シリコン膜6からなるマスクパターンをトリミングする。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR DESIGNING MASK PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREOF AND PRODUCTION METHOD OF RETICLE例文帳に追加
マスクパターン設計装置及び方法、半導体装置及びその製造法、レチクルの製造方法 - 特許庁
The printhead moves at the speed when the mask pattern includes the start in the pixel position.例文帳に追加
プリントヘッドは、マスクパターンが連続する画素位置における起動を含むときの速度で移動する。 - 特許庁
MASK PATTERN, EVALUATION SAMPLE MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND EVALUATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR EVALUATION SAMPLE例文帳に追加
マスクパターン、半導体装置の評価サンプル作成方法および半導体評価サンプルの評価方法 - 特許庁
After that, dry etching treatment is applied to the low-permittivity film 103 from the upper portion of the mask pattern layer successively.例文帳に追加
その後、連続してマスクパターン層上から低誘電率膜103をドライエッチング処理する。 - 特許庁
CAD SYSTEM FOR EDITING SEMICONDUCTOR MASK PATTERN, DESIGNING METHOD USING THE SAME AND RECORDING MEDIUM THEREFOR例文帳に追加
半導体マスクパターン編集用のCADシステム、これを用いた設計方法及びその記録媒体 - 特許庁
A mask pattern 19 is formed on the silicon substrate 1 with the sensor region 1s being exposed.例文帳に追加
センサ領域1sを露出させる状態でシリコン基板1上にマスクパターン19を形成する。 - 特許庁
PHOTOMASK, METHOD OF MEASURING FLARE OF EXPOSURE EQUIPMENT USING THE PHOTOMASK, AND METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN例文帳に追加
フォトマスク、このフォトマスクを用いた露光装置のフレア測定方法及びマスクパターンの補正方法 - 特許庁
MASK PATTERN DATA GENERATION METHOD, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, PHOTOMASK FABRICATION SYSTEM, AND IMAGING DEVICE例文帳に追加
マスクパターンデータの生成方法、情報処理装置及びフォトマスク作製システム並びに撮像素子 - 特許庁
A mask pattern for decimation processing having different decimation rate is prepared depending on the density of an original image.例文帳に追加
原画像の濃度に応じて間引き率の異なる間引き処理用のマスクパターンを用意する。 - 特許庁
To provide a mask for suppressing deformation of a pattern caused by radiation heat of illumination light for exposure.例文帳に追加
露光用の照明光の照射熱によるパターンの変形を抑制できるマスクを提供する。 - 特許庁
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