「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

When the contact pattern 102 of a mask 101 is inspected, the mask 101 is photographed to acquire a censor image and a reference image is formed on the basis of the plan data of the mask 101.例文帳に追加

マスク１０１のコンタクトパターン１０２を検査する際に、マスク１０１を撮像してセンサ画像を取得し、マスク１０１の設計データに基づいて参照画像を生成する。 - 特許庁

An open mask and the mask pattern parts arranged in the opening portions of the open mask are adhered to each other via the shock absorbing member to improve positional accuracy, thus suppressing thermal expansion.例文帳に追加

これにより、オープンマスクと、オープンマスクの開口部に配列されるマスクパターン部とを緩衝部材で接合させて位置精度を向上させ、熱膨張を抑制できる。 - 特許庁

A second mask 21' having a wiring groove pattern is formed by etching the second mask forming layer from the top of the third mask 12', and the connection hole 13 is dug to the middle of the first insulating film 8.例文帳に追加

第3マスク12’上から第２マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第2マスク21’を形成し、第１絶縁膜8の途中まで接続孔13を掘り下げる。 - 特許庁

To prevent a mask material from being broken on the way of etching a film to be worked when the etching mask of a laminated structure including a mask material/resist pattern containing a carbon is used.例文帳に追加

炭素を含むマスク材／レジストパターンを含む積層構造のエッチングマスクを用いた場合における、被加工膜のエッチング途中でのマスク材の破裂を防止すること。 - 特許庁

A hard mask spacer layer and a hard mask layer are formed on an MTJ element, and a first parallel line pattern (first photoresist film) of a first size width is formed on the hard mask layer.例文帳に追加

ＭＴＪ素子上に、ハードマスクスペーサ層およびハードマスク層を形成し、ハードマスク層上に第１サイズの幅の第１平行ラインパターン（第１フォトレジスト膜）を形成する。 - 特許庁

Then the mask distortion caused by the electron beam exposure system for mask making is evaluated by measuring the posional distortion of the resist pattern in the position accuracy evaluation mark 40 of the etching mask.例文帳に追加

次いで、エッチングマスクの位置精度評価マーク４０のレジストパターンの位置ずれを測定することにより、マスク作製用電子線露光装置に起因するマスク歪みを評価する。 - 特許庁

Since the circuit diagram is utilized as a detailed instruction book regarding a mask pattern as it is, just by delivering an electronic circuit diagram to the mask pattern generator, a mask layout satisfactory to an analog circuit design engineer is obtained.例文帳に追加

従って、回路図がそのままマスクパターンに関する細かい指示書として活用できるため、電子回路図をマスクパターン生成者に手渡すだけで、アナログ回路設計技術者の満足するマスクレイアウトが得られる。 - 特許庁

To provide a mask for specifying a shape of a magnetic pattern by which various information regarding to the mask for specifying the shape of magnetic pattern can be easily specified by the mask alone, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁化パターン形状規定用マスクに関する各種の情報をマスク単独で容易に特定できるようにした、磁化パターン形状規定用マスク、及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A hard mask pattern is formed on the protective film, and a first trench 225a is formed by etching one portion of the protective film and one portion of the insulation film by a first etching process with the hard mask pattern 224 as a mask.例文帳に追加

ハードマスクパターンを前記保護膜上に形成し、ハードマスクパターン２２４をマスクとした第１エッチング工程によって前記保護膜の一部および前記絶縁膜の一部をエッチングして第１トレンチ２２５ａを形成する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a semiconductor device, the mask pattern of a first layer and the mask pattern of a second layer can be formed as mask patterns whose shapes are similar, and whose dimensions are different by self-align only in single photo-lithograph process.例文帳に追加

本発明の作製方法によれば、１回のフォトリソグラフ工程のみで第１層のマスクパターン及び第２層のマスクパターンをセルフアラインで、かつ、相似形で寸法の異なるマスクパターンとして形成できる。 - 特許庁

To provide a method for bonding a shadow mask, which prevents a pattern from deforming after the mask has been bonded and enables the alignment to be previously confirmed, by making the shadow mask adjoin to a vertically arranged mask frame in a state of applying tensile force, and weld-bonding the mask frame to the mask frame while previously reflecting a sag of the mask in a vertical direction.例文帳に追加

鉛直配置されたマスクフレーム上にシャドウマスクを隣接させ、引張力を加えた状態で、マスクフレームに溶接をして付着することにより、鉛直方向への垂れを予め反映してマスク付着後のパターンの変形を防止し、整列可否を予め確認可能にしたシャドウマスクの付着方法を提供する。 - 特許庁

A device for inspecting the photomask, equipped with an arithmetic processing unit which generates data for mask inspection by dividing a photomask pattern surface region into a plurality of small regions and calculating density information for the respective plurality of small regions, and a mask pattern image pick-up unit which pick-ups a mask pattern image of the photomask and generates mask pattern image data, is constructed.例文帳に追加

フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報（［Ａ］〜［Ｃ］）を算出してマスク検査用データ（１３）を生成する演算処理部（２５）と、前記フォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するマスクパターン撮像部（８）とを具備するフォトマスク検査装置（３）を構成する。 - 特許庁

In the mask inspection apparatus 10, an objective pattern for inspection is inspected by imaging the objective pattern and comparing the obtained objective data with reference pattern data.例文帳に追加

マスク検査装置１０は、検査対象パターンを撮像して得られた検査対象データと、基準パターンデータとを比較して、検査対象パターンを検査する。 - 特許庁

The mask pattern and data representative of a motion pattern are encoded and are multiplexed into one data to enable making a special effect pattern accompanied with picture deformation into a library.例文帳に追加

マスクパターンと動きパターンを表すデータを符号化し、一本のデータに多重化ことにより、画像の変形を伴う特殊効果パターンのライブラリ化が可能となる。 - 特許庁

To improve picture quality by making neither a regular pattern nor a worm pattern appear in a dot pattern by a gradation number converting method using a dot dispersion type mask.例文帳に追加

ドット分散型マスクを用いる階調数変換方法において、ドットパターンに規則的なパターンやウォーム模様が現れず、画質の向上を図ること。 - 特許庁

The halftone type phase shift mask has a translucent film pattern on a transparent substrate and a shading film pattern formed on the translucent film pattern.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板上に半透光膜パターンとこの半透光膜パターンの上に形成された遮光膜パターンとを有して成る。 - 特許庁

The texture for mask generation has a first texture pattern and a second texture pattern, with which an α value different from the first texture pattern is set to each of texels.例文帳に追加

マスク生成用テクスチャが、第１のテクスチャパターンと第１のテクスチャパターンとは異なるα値が各テクセルに設定される第２のテクスチャパターンを有する。 - 特許庁

To provide a fine pattern method for forming a pattern by a photo-lithography technology, and for precisely working lower layer materials by using the pattern as a mask.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術においてパターンを形成し、且つ、それをマスクに用い、下層材料を精度良く加工する微細パターン方法を提供することにある。 - 特許庁

Then, the tint block patterns are detected by a pattern matching method using a standard tint block pattern as a mask pattern for the original image data with the corrected dot diameters.例文帳に追加

そして、このドット径の補正された原稿画像データについて、標準地紋パターンをマスクパターンとしてパターンマッチング法により地紋パターンを検出する。 - 特許庁

The layout data of an absorber pattern are divided into meshes starting from a reference pattern on an EUV mask having a multilayer film and the absorber pattern (step S01).例文帳に追加

多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶマスク上の基準パターンを基点にして、吸収体パターンのレイアウトデータをメッシュに区分する（ステップＳ０１）。 - 特許庁

To effectively reduce a variation in width of a formed pattern at the time of forming by plasma etching the pattern on a film to be etched through a mask of a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンのマスク介して被エッチング膜をプラズマエッチングでパターン形成するとき、形成パターン幅のウエハ面内ばらつきを効果的に小さくする。 - 特許庁

Whether mask pattern data are right or not is verified by comparing the L/S obtained by measuring a dimension in each line pattern group with a L/S pattern specification table.例文帳に追加

各線パターン集合を測長して得られるＬ／Ｓと、Ｌ／Ｓパターン仕様テーブルと、を比較することによって、マスクパターンデータが正しいかどうかを検証する。 - 特許庁

The mask pattern include a resist pattern formed on a semiconductor substrate and an organic-inorganic hybrid siloxane network film formed on the resist pattern.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたレジストパターンと、レジストパターン上に形成されている有機−無機混成シロキサンネットワーク膜と、を含むマスクパターンである。 - 特許庁

A moire pattern reflecting the shape of the nail appears by the optical interference of the grating pattern on the nail and the grating pattern of the mask in the video images of the image pickup device.例文帳に追加

撮像装置の映像には爪の上の格子パターンとマスクの格子パターンの光学的な干渉により爪の形状を反映したモアレパターンが現われる。 - 特許庁

The mask cleaning method includes a step of cleaning a surface of a mask film 32 by irradiating a mask film 32 having a mask pattern formed on a main surface 30a of a substrate 30 with energy beam from the mask film 32 and making the temperature of the mask 32 higher than that of the substrate 30.例文帳に追加

マスク洗浄方法は、基板３０の主面３０ａ上に形成されたマスクパターンを有するマスク膜３２に、マスク膜３２側からエネルギー線を照射して基板３０よりもマスク膜３２の温度を高温とすることによりマスク膜３２の表面を洗浄する工程を含む。 - 特許庁

When exposure of patterns are performed in order using the split masks MDM of the main mask MM and a pattern is exposed using the split mask MDM having the defect of the mask MM, the exposure is performed using the split mask CDM, which corresponds to the mask MDM having the defect and has no defect, of the mask CM.例文帳に追加

主マスクＭＭの分割マスクＭＤＭにより順次露光を行い、かつ主マスクＭＭの欠陥がある分割マスクＭＤＭを露光する際に、当該欠陥がある分割マスクＭＤＭに対応する欠陥のない補償マスクＣＭの分割マスクＣＤＭを用いて露光を行う。 - 特許庁

A pattern drawing apparatus 1 includes a mask checking section 60, a mask cleaning section 70, a stocker section 50 within the apparatus, and a mask conveyance mechanism 40 for conveying a mask M among multiple optical heads 32a, 32b to 32g, the mask checking section 60, the mask cleaning section 70, and the stocker section 50.例文帳に追加

パターン描画装置１は、マスク検査部６０、マスク洗浄部７０、およびストッカー部５０を装置内に備えるとともに、複数の光学ヘッド３２ａ，３２ｂ，…，３２ｇ、マスク検査部６０、マスク洗浄部７０、およびストッカー部５０の間でマスクＭを搬送するマスク搬送機構４０を備える。 - 特許庁

To provide a low cost IC tester by substituting a hardware other than a pattern memory among three kinds of patterns (DRV pattern, CMP pattern and MASK pattern) contained in a pattern memory for CMP pattern section and reducing the capacity of the pattern memory.例文帳に追加

パターンメモリに格納される３種類のパターン（ＤＲＶパターン、ＣＭＰパターン及びＭＡＳＫパターン）のうち、ＣＭＰパターンの部分をパターンメモリ以外のハードウエアに代替させることによって、パターンメモリの容量を小さくして、原価の低いＩＣテスタを提供する。 - 特許庁

A reflex mask has a mask blank 20 comprising an underlying board 21 and a multilayer film 22 that includes a plurality of kinds of materials differing in reflective indices on exposure wavelengths formed on the substrate board 21, a mask pattern formed on the mask blank 20, and a protective film resistant to medical fluid cleaning which coats at least one surface of the mask blank 20 or mask pattern.例文帳に追加

下地基板２１及び該下地基板２１上に形成された露光波長での屈折率が異なる複数種類の材質から成る多層膜２２を備えるマスクブランクス２０と、該マスクブランクス２０上に形成されたマスクパターンと、前記マスクブランクス２０又はマスクパターンの少なくとも１面をコーティングする耐薬液洗浄保護膜とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold for imprinting, smoothly performing dry etching on a hard mask layer and forming a fine pattern with a high pattern precision, to provide a mold with unremoved a remaining hard mask layer, to provide a method for manufacturing the mold with unremoved remaining hard mask layer, and to provide mask blanks.例文帳に追加

ハードマスク層に対するドライエッチングの進行をスムーズに行うことができ、高いパターン精度で微細パターンを形成するインプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクスを提供する。 - 特許庁

The DRIE is executed from the surface 151b side, a remaining silicon substrate 151c is selectively removed by using the rough comb mask pattern 154 as a mask, and a remaining silicon substrate 153c is selectively removed by using the comb electrode mask pattern 152b as a mask.例文帳に追加

面１５１ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５４をマスクにして残存シリコン基板１５１ｃを選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ｂをマスクにして残存シリコン基板１５３ｃを選択的に除去する。 - 特許庁

The exposure of the substrate P during relative scanning includes performing fine period exposure using a fine period mask pattern formed in the first region of the mask M1 and middle density exposure using a middle density mask pattern formed in the second region of the mask M1.例文帳に追加

相対走査中に基板Ｐを露光することは、マスクＭ１の第１領域に形成された微細周期マスクパターンを用いる微細周期露光と、マスクＭ１の第２領域に形成された中密度マスクパターンを用いる中密度露光とを、ともに行うことを含む。 - 特許庁

Regarding multi-path recording, a cluster mask is used for a mask pattern for generating data to be recorded upon first scanning, and a dispersion mask is used for a mask pattern for generating data to be recorded upon the second or subsequent scanning, accordingly, the color irregularity and the granularity are reduced.例文帳に追加

マルチパス記録において、最初の第１走査で記録されるデータを生成するためのマスクパターンに集中マスクを用い、第２走査以降に記録されるデータを生成するためのマスクパターンに分散マスクを用いることにより、色むらと粒状性を低減する。 - 特許庁

In this case, the collation is conducted for one digit each or pluralities of number of digits by using a mask pattern generated by a mask pattern generating means 12 and a sub net mask possessed by each routing entry read by a sub-net mask read section 13 independently of the hierarchy of a communication network.例文帳に追加

その際、上記の照合はマスクパタン生成手段１２で生成されたマスクパタンとサブネットマスク読取り部１３が読取った各ルーティングエントリが持つサブネットマスクとを用いて通信ネットワークの階層とは無関係に１桁、もしくは複数桁毎に行う。 - 特許庁

An electron beam irradiating pattern mask 10 is stuck close to an electron beam hardening type pattern formation layer 2, and the pattern formation layer 2 is irradiated with electron beams to form a prescribed conductive pattern.例文帳に追加

電子線硬化型のパターン形成層２に電子線照射用パターンマスク１０を密着させ、パターン形成層２に電子線を照射し、所定の導電パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a mask which can control the dimension of a transferred pattern by controlling the transmittance of a light transmitting pattern, and to provide a method for controlling a pattern dimension and a controlling apparatus for a pattern dimension.例文帳に追加

光透過パターンの透過率を制御することによって転写パターンの寸法を制御可能なマスク、パターン寸法制御方法およびパターン寸法制御装置を提供する。 - 特許庁

The metallic mask 4 of the circuit pattern 3, which does not keep the prescribed dimension and shape only in the metallic mask single body, is formed into the combination mask 9 and the vapor deposition mask used for manufacturing the organic electroluminescence element is manufactured by using the combination mask 9.例文帳に追加

メタルマスク単体では所定の寸法形状を維持できない回路パターン３のメタルマスク４をコンビネーションマスク９とし、これを用いて、有機エレクトロルミネセンス素子を製造するときに用いられる蒸着マスクを製造することを特徴とする。 - 特許庁

Since the reflection mask 1 is used as a mask for proximity effect correction, high-accuracy correction exposure can be performed reading, because the occurrence of the thermal deformations of the mask and the formation of a doughnut shape pattern in a stencil mask is prevented, as compared with the case where a transmissive mask is used.例文帳に追加

近接効果補正用マスクとして反射マスクを用いるので、透過形のマスクを用いる場合と比べて、マスクの熱変形の問題やステンシルマスクのドーナッツパターン問題がなく、容易に高精度の補正露光を行うことができる。 - 特許庁

To provide a mask holder and a substrate holder which are used in a vacuum vapor deposition apparatus having a mask used for forming a predetermined pattern on a substrate by vapor deposition and having a mask holder for holding the mask, and inhibit the mask holder and the substrate holder from causing the displacement of the relative position.例文帳に追加

真空蒸着装置であって、基板に所定のパターンの蒸着を行うためのマスクと、マスクを保持するためのマスクホルダーを有し、マスクホルダーと基板ホルダーとの相対位置のズレが生じにくいマスクホルダー及び基板ホルダーを提供する。 - 特許庁

The film thickness of shade pattern of a reticle mask 1 is made thick, and a film thickness of a resist 8 is made thin.例文帳に追加

レチクルマスク１の遮光体パターンの膜厚を厚く、レジスト８膜厚を薄くする。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR GENERATING REFERENCE DATA, PATTERN INSPECTING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR MASK例文帳に追加

参照データ発生方法、発生装置、パターン検査方法およびマスクの製造方法 - 特許庁

The second pattern of the mask 31 is provided on the second area of the semiconductor region 13.例文帳に追加

マスク３１の第２のパターンは、半導体領域１３の第２のエリア上に設けられる。 - 特許庁

The pattern is arranged on a mask, and the image is made by using a part of a projection system.例文帳に追加

パターンはマスク上に配置してあり、その像を投影システムの一部を使って作る。 - 特許庁

METHOD FOR INSPECTING MASK PATTERN, METHOD FOR VERIFYING EXPOSURE CONDITION, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン検査方法、露光条件検証方法、および半導体装置の製造方法 - 特許庁

A green color filter 31 in a checkerboard pattern is formed by etching using an etching mask.例文帳に追加

エッチングマスクを用いたエッチングにより、市松状のグリーンカラーフィルタ３１を形成する。 - 特許庁