「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

DRIE (Deep Reactive Ion Etching) is executed from the surface 153b side, the silicon substrate 153 is selectively removed by using the rough comb mask pattern 155 as a mask, and the silicon substrate 151 is selectively removed by using the comb electrode mask pattern 152a as a mask.例文帳に追加

面１５３ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５５をマスクにしてシリコン基板１５３を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ａをマスクにしてシリコン基板１５１を選択的に除去する。 - 特許庁

The metal mask 1 includes the mask body 2 having an opening pattern 6 including a plurality of independent through holes 5 in a pattern forming region 4, and the frame body 3 for reinforcing the mask body 2 arranged on the outer periphery of the mask body 2.例文帳に追加

多数独立の通孔５からなる開口パターン６をパターン形成領域４内に備えるマスク本体２と、マスク本体２の外周に配置されるマスク本体２の補強用の枠体３とを備えるメタルマスク１の製造方法について説明する。 - 特許庁

The correction mask data obtained by subjecting original mask pattern data to the OPC processing by changing a template size is compared with data for comparison and detection and in the case mismatching pattern data is not extracted, the correction mask data is decided to be the mask data subjected to adequate correction processing.例文帳に追加

原マスクパターンデータにテンプレートサイズを変更してＯＰＣ処理を施した補正マスクデータと比較検出用データを比較して、不一致パターンデータが抽出されない場合は、補正マスクデータを適切な補正処理が施されたマスクデータと判定する。 - 特許庁

Design pattern density for a correction object area on the mask is computed and correction data for the mask pattern density corresponding to the design pattern density are selected to correct design pattern data of the correction object area according to the data.例文帳に追加

一方、マスク上の補正対象領域に対する設計パターン密度を算出し、この設計パターン密度に対応するマスクパターン密度の補正データを選択し、これに基づいて、補正対象領域の設計パターンデータに補正を行う。 - 特許庁

To provide a mask pattern inspecting method for electron beam exposure, with which a position relation between a first complementary pattern and a second complementary pattern, which are formed by dividing an original mask pattern for electron beam exposure, by a cut line, is inspected on a computer.例文帳に追加

元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を計算機上で検査することができる電子線露光用マスクパターン検査方法を得る。 - 特許庁

DUMMY PATTERN INFORMATION PREPARING DEVICE, PATTERN INFORMATION PREPARING DEVICE, MASK, EXPOSURE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING MASK, METHOD OF PREPARING DUMMY PATTERN INFORMATION, PROGRAM, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM RECORDING THE PROGRAM例文帳に追加

ダミーパターン情報生成装置、パターン情報生成装置、マスク、露光装置、マスク作成方法、ダミーパターン情報生成方法、プログラム及び上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern which can eliminate presence of an optically isolated pattern as much as possible so as to transfer a mask pattern with desired line width or the like onto a photoresist.例文帳に追加

光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くし、所望の線幅等を有するマスクパターンをフォトレジストに転写することを可能とするためのマスクパターンの補正方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern 27 for forming the micro-mirror formed on the semiconductor substrate 24 is formed in a pentagonal pattern by forming one side of the conventional rectangular mask pattern which becomes a micro- mirror forming section in a broken line.例文帳に追加

半導体基板２４上に形成されるマイクロミラー形成用のマスクパターン２７を、従来の長方形マスクパターンにおいてマイクロミラー形成部となる一辺を折れ線とした、五角形のパターンとする。 - 特許庁

After a resist pattern 2a is formed by exposure/development treatment by means of a circuit pattern mask 3, laser is cast selectively on a part which fines the resist pattern 2a through an irradiation mask 4.例文帳に追加

回路パターンマスク３による露光・現像処理で、レジストパターン２ａを形成した後、このレジストパターン２ａの微細化を行う部分に対して照射マスク４を介して選択的にレーザを照射する。 - 特許庁

Further, a low frequency component in an arrangement pattern of record permitting pixels obtained by the logical multiplication of the mask pattern C1 and the mask pattern M1 is made to be less than a high frequency component.例文帳に追加

更に、マスクパターンＣ１とマスクパターンＭ１との論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも少なくなるようにする。 - 特許庁

In this exposure method, multiple exposures of mask pattern images are made on a prescribed position on a wafer by using plural masks having the same mask pattern, and a desired circuit pattern is obtained.例文帳に追加

本発明の露光方法では、同一のマスクパターンを有する２枚以上複数枚のマスクを用いて、ウェハ上の所定の位置にマスクパターン像を多重露光し、所望の回路パターンを得ることを特徴とする。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR GENERATING CORRECTION TABLE, DEVICE AND METHOD FOR GENERATING MASK PATTERN FOR CORRECTION TABLE, DEVICE AND METHOD FOR GENERATING MASK PATTERN FOR FINE WORKING, AND METHOD FOR FORMING FINE WORKING PATTERN例文帳に追加

補正テーブルの作成装置及び作成方法、補正テーブル用マスクパターンの作成装置及び作成方法、微細加工用マスクパターンの作成装置及び作成方法、並びに微細加工パターンの形成方法 - 特許庁

To provide a design method for mask pattern in which an auxiliary pattern for improving a focal depth of an isolated pattern is arranged, with respect to a mask of performing exposure by using a light source having a direction dependence for resolution.例文帳に追加

解像特性に方向依存性を有する光源を用いて露光を行うマスクについて、孤立パターンの焦点深度を向上させる補助パターンを配置するマスクの設計方法を提供する。 - 特許庁

Even if the mask is exchanged, the pattern shape having the alignment mark may be extracted from the photographed image only when there is no pattern which coincides with the candidate pattern group, thereby reducing the working hours required for mask exchange.例文帳に追加

マスクを交換しても、候補パターン群に一致するパターンが無かった場合だけ、撮影画像からアラインメントマークのパターン形状を抽出すればよいから、マスク交換のための作業時間が短縮する。 - 特許庁

After a polysilicon film is formed on an inter-layer dielectric film as a mask pattern, self-aligned contact etching is performed on the inter- layer dielectric film with the mask pattern as an etching mask so that an inter- layer dielectric film pattern 22a having a contact hole exposing a semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜上にマスクパターンとしてポリシリコン膜を形成した後、マスクパターンをエッチングマスクとして層間絶縁膜をセルフアラインコンタクトエッチングして半導体基板を露出するコンタクトホールを有する層間絶縁膜パターン２２ａを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, PROGRAM FOR CORRECTING MASK PATTERN, DEVICE FOR CORRECTING MASK PATTERN, METHOD FOR SETTING EXPOSURE CONDITION, PROGRAM FOR SETTING EXPOSURE CONDITION, DEVICE FOR SETTING EXPOSURE CONDITION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PROGRAM FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラム、マスクパターン補正装置、露光条件設定方法、露光条件設定プログラム、露光条件設定装置、半導体装置製造方法、半導体装置製造プログラムおよび半導体装置製造装置 - 特許庁

A layout data of the mask pattern is acquired, and a first correction map, in which first dimensional correction amounts are respectively set to a plurality of first small regions formed by partitioning the mask pattern arrangement surface in a grid, is formed based on the arrangement of the mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンのレイアウトデータを取得し、マスクパターンの配置面を格子状に区分した複数の第１の小領域のそれぞれにマスクパターンの配置に基いて第１の寸法補正量を設定した第１の補正マップを作成する。 - 特許庁

The metal mask is removed for forming a second opening pattern aligned with a first pattern after the multilayer hard mask is used in a first step, and the insulation mask is used for forming a first pattern structure in an insulation layer in a second step.例文帳に追加

第１パターンにアラインされた第２開口パターンを形成するために、第１ステップで多層ハードマスクが使用された後、金属マスクが除去され、絶縁マスクが、第２のステップで絶縁層中に第１のパターン構造を形成するために使用される。 - 特許庁

At formation of a mask for pattern transfer after the step of electron beam exposure, an overcorrection is performed by adding the proximity effect produced at electron beam transfer exposure, using the mask for pattern transfer to the proximity effect correction produced at the formation of the mask for pattern transfer.例文帳に追加

電子線露光工程を経てパターン転写用マスクを作製する際に、パターン転写用マスク作製時の近接効果補正分に、該パターン転写用マスクを使用した電子線転写露光時の近接効果分を上乗せして過剰に補正する。 - 特許庁

The patterns of the mask A have a common pattern KP of the first pattern and second pattern and non- common patterns HP1 and HP2 different from the common pattern KP formed by connection to the common pattern KP.例文帳に追加

マスクＡのパターンは、第１パターンと第２パターンとの共通パターンＫＰと、共通パターンＫＰと連続して形成され共通パターンＫＰとは異なる非共通パターンＨＰ１，ＨＰ２とを有する。 - 特許庁

The defect detection sensitivity is inspected by using a mask for defect inspection having a photomask pattern which includes a basic pattern and a pattern defect comprising a resist pattern at a specified position of the basic pattern.例文帳に追加

基本パターンと、基本パターンの所定の位置に、レジストパターンにより形成されたパターン欠陥とを含むフォトマスクパターンを有する欠陥検査用マスクを用いて、欠陥検出感度検査を行う。 - 特許庁

The mask size checking mark 3 includes a line pattern 4 having a line width equal to that of the product pattern and a reference pattern 5 disposed next to the line pattern 4 and having a larger width than the line pattern 4.例文帳に追加

マスク寸法検査マーク３は、製品パターンの線幅と等しい線幅のラインパターン４と、このラインパターン４に隣接して配置されラインパターン４よりも幅が広い基準パターン５とを含んでいる。 - 特許庁

To exactly and highly accurately inspect an appearance of a pattern based upon a comparative measurement with a pattern form optimal for a production process of a user by utilizing a pattern image of a reference mask whose pattern form is confirmed in advance when inspecting the appearance of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの外観検査において、予めパターン形状を確認済みの基準マスクのパターン画像を利用することで、ユーザーの製造プロセスに最適なパターン形状との比較計測による正確かつ高精度なパターンの外観検査を行うことを課題とする。 - 特許庁

The shadow mask frame assembly comprises the shadow mask 20 on which the pattern is formed, and a mask frame 10 with a part thereof to which the shadow mask 20 adheres and which is exposed to an deposition source 70 on which a cooling plate is mounted.例文帳に追加

パターンが形成されたシャドウマスク２０及び前記シャドウマスク２０が附着して、蒸着源７０に露出された部分には冷却プレートが装着されたマスクフレーム１０からなる。 - 特許庁

After the light emitting material having a plurality of colors adheres by a second mask through a first mask arranged so as to adhere to the basic body closely, the second mask is removed, and a pattern of a back face electrode adheres by the first mask.例文帳に追加

基体に密着配置した第一のマスクを介して第二のマスクにより複数色の発光材料を付着した後、第二のマスクを取り去り、第一のマスクで背面電極のパターンを付着する。 - 特許庁

A mask alignment mark of a reflector mask is formed on the opposite side from a circuit pattern-formed side of the mask, and an alignment detection system is installed on the opposite side of the illumination optical system and the projection optical system with respect to the mask.例文帳に追加

反射型マスクのマスクアライメントマークを回路パターン面の反対面側に形成し、アライメント検出系をマスクに対して照明光学系、投影光学系の反対側に設置する。 - 特許庁

To provide an automatic mask loading device prior to thin film pattern deposition in which a mask is surely taken out sheet by sheet from a mask pallet to perform mask alignment with high accuracy.例文帳に追加

薄膜のパターン成膜に先立って、マスクを基板に自動装着する装置において、マスク収納パレットより１枚ずつ確実にマスクを取り出し、高精度に位置合わせして基板に装着する。 - 特許庁

To provide a method for processing a housing member of mask blank, suitable for a mask blank having a chemical amplification resist mask and keeping stable resist performance for forming a desired mask pattern.例文帳に追加

化学増幅型レジスト膜を形成したマスクブランクスに好適で、所望のマスクパターンを形成するための安定したレジスト性能を維持できるマスクブランクス収納用部材の処理方法等を提供する。 - 特許庁

Mask pattern memories 120, 122 in a mask signal generating circuit store a plurality types of mask patterns having waveforms different to each other as a waveform for the mask signal MSK for particular dots.例文帳に追加

マスク信号生成回路内のマスクパターンメモリ１２０，１２２は、特定のドットのためのマスク信号ＭＳＫの波形として、互いに異なる波形を有する複数種類のマスクパターンを格納している。 - 特許庁

In the method of exposure using the stencil mask stated above, the mask pattern is accurately imprinted on the object to be exposed in such a way as to cancel the mask distortion based on the measurement result of the mask-distortion measurement marks 4.例文帳に追加

上記のステンシルマスクを用いた露光方法では、マスク歪計測用マーク４の計測結果に基づいて、マスク歪を相殺するようにして被露光体に正確にマスクパターンを転写する。 - 特許庁

Then, the resist pattern 15 is turned to a mask, and the sidewall oxidized film remainder 14 is removed.例文帳に追加

次に、レジストパターン１５をマスクとし、サイドウォール酸化膜残り１４を除去する。 - 特許庁

To prevent decrease in printing accuracy of a pattern even when the temperature of a mask changes.例文帳に追加

マスクの温度が変化しても、パターンの焼き付け精度が低下するのを防止する。 - 特許庁

This exposure device has a photo mask device 20 to expose a periodic pattern.例文帳に追加

露光装置は、周期的なパターンを露光するためのフォトマスク装置２０を備える。 - 特許庁

To provide a mask capable of forming excellently an image of a pattern on a substrate.例文帳に追加

基板上にパターンの像を良好に形成することができるマスクを提供する。 - 特許庁

To obtain a mask pattern generating device which corrects the size of a mask pattern printed on the same medium to be etched according to an arrangement position decided by taking a difference in etching rate into account.例文帳に追加

同一のエッチング対象媒体に焼き込むマスクパターンの大きさを、エッチングレートの違いを考慮した配置位置に応じて補正するマスクパターン生成装置を得ること。 - 特許庁

To prevent variation in exposure accuracy of a pattern by suppressing temperature changes of a mask.例文帳に追加

マスクの温度変化を抑制して、パターンの焼き付け精度のばらつきを防止する。 - 特許庁

To provide a stencil mask excellent in dimensional accuracy of an opening pattern and capable of transcribing a pattern with high dimensional accuracy; and a production method of the stencil mask.例文帳に追加

開口パターンの寸法精度に優れており、精度良くパターンを転写することが出来るステンシルマスクおよびステンシルマスク製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR MATRIX SUBSTRATE, AND EXPOSURE MASK例文帳に追加

パターン形成方法、薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法および露光マスク - 特許庁

To provide a large mask of high masking accuracy without any thermal deformation of a pattern aperture.例文帳に追加

パターン開口の熱変形がなく、マスク精度の高い大型マスクを提供する。 - 特許庁

A color filter mask for manufacturing the color filter has an interval of 2-5 μm between a pattern highest part outline of the black matrix 2 and a pattern outline shape of the color filter mask.例文帳に追加

また、ブラックマトリクスのパターン最上部外形と、カラーフィルタ用マスクのパターン外形形状の間隙の幅が２〜５μｍの範囲となるカラーフィルタ用マスクを用いること。 - 特許庁

To provide a method of generating a mask pattern that eliminates the need for a process of cutting a closed loop by a photolithography method, a mask pattern generating program, and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

フォトリソグラフィ法による閉ループを切断する工程を不要とするマスクパターンの生成方法、マスクパターン生成プログラム及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A mask pattern for medium and high band components is set up on the start position of the picture data and the pixel data of a position to be embedded in the mask pattern are quantized (S5).例文帳に追加

そして、中高帯域成分のマスクパターンを画像データの開始位置に設定し、そのマスクパターン中の埋め込み対象位置の画素データを量子化する（Ｓ５）。 - 特許庁

EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, LIGHT CONVERGING PATTERN FORMATION MEMBER, MASK, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

露光方法、露光装置、集光パターン形成部材、マスク、及びデバイス製造方法 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING TRANSMITTANCE OF MASK PATTERN TO IMPROVE PROCESS LATITUDE例文帳に追加

プロセス・ラチチュードを向上させるためにマスク・パターンの透過率調整を行う方法 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFT MASK, ITS MANUFACTURING METHOD AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING SAME例文帳に追加

ハーフトーン位相シフトマスク、その製造方法およびそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁