「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a pattern mask for electron beam irradiation capable of forming a very fine pattern by suppressing the occurrence of a gap between a pattern formation layer and a mask substrate, and also capable of reducing a cost.例文帳に追加

パターン形成層との間に隙間が生じるのを抑制して高精細のパターンを形成することができ、コストを削減できる電子線照射用パターンマスクを提供する。 - 特許庁

EXPOSURE MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF FORMING TRANSFER PATTERN例文帳に追加

露光マスクおよびその製造方法、ならびに転写パターンの形成方法 - 特許庁

The mask pattern and spacer are removed to expose the sidewall of the insulating film plug.例文帳に追加

マスクパターンとスペーサを除去して絶縁膜プラグの側壁を露出させる。 - 特許庁

The phase difference of transmitted exposure light between the opening part and the mask part of the focus monitor pattern is different from the phase difference of the transmitted exposure light between the opening part and the mask part of the device pattern.例文帳に追加

フォーカスモニターパターンの開口部とマスク部との透過露光光の位相差は、デバイスパターンの開口部とマスク部との透過露光光の位相差と異なる。 - 特許庁

A mask pattern generating section 11 outputs a predetermined mask pattern within a range of the size same as that of a motion image to be outputted from a camera 10.例文帳に追加

マスクパターン発生手段１１は、カメラ１０から出力される動画像と同じ画像の大きさの範囲内の所定のマスクパターンを出力する。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, AND APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSURE CORRECTION例文帳に追加

マスクパターンの補正装置及び方法、並びに露光補正装置及び方法 - 特許庁

The mask pattern are macroprojected on the wafer 9 and the macroprojected pattern on the wafer 9 are subjected to the defect inspection, by which the defect inspection of the mask is performed.例文帳に追加

ウエハ９上にマスクパターンを拡大投影し、ウエハ９上の拡大投影パターンを欠陥検査することによりマスクの欠陥検査を行う。 - 特許庁

METHOD AND PROGRAM FOR PROFILE SIMULATION, AND MASK PATTERN CREATION METHOD例文帳に追加

形状シミュレーション方法、形状シミュレーションプログラム及びマスクパターン作成方法 - 特許庁

OPTICAL LENS BARREL, ELECTRON IRRADIATION METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF MASK DRAWING PATTERN例文帳に追加

光学鏡筒、電子照射方法、及びマスク描画パターンの製造方法 - 特許庁

PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

位相シフトマスク、その製造方法、およびこれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING PATTERN, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MASK SET FOR EXPOSURE例文帳に追加

パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び露光用マスクセット - 特許庁

A generation means 20 generates mask pattern data 31 to be formed on a mask from the design data 30 of an exposure pattern 32 to be transferred onto a semiconductor substrate.例文帳に追加

作成手段２０は、半導体基板上へ転写する露光パターン３２の設計データ３０からマスク上へ形成するマスクパターンデータ３１を作成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AS WELL AS METHOD FOR FORMING MASK PATTERN例文帳に追加

半導体装置およびその製造方法並びにマスクパターンの生成方法 - 特許庁

To evaluate defect detection sensitivity in inspection of a defect of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの欠陥検査における欠陥検出感度の評価を行う。 - 特許庁

A mask pattern transferred from a designed pattern is formed on the mask substrate by the lithographic processes employing the selected modulation conditions for the exposure light quantity.例文帳に追加

選択された露光量変調条件を適用したリソグラフィー処理により、設計パターンを転写してなるマスクパターンをマスク基板上に形成する（Ｓ６）。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for drawing a mask pattern, for accurately drawing a pattern on a mask.例文帳に追加

マスクパターン描画方法及び装置に関し、マスクにパターンを正確に描画するためのマスクパターン描画方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a reticle in which a mask pattern associated with a semiconductor chip formation and a mask pattern associated with several kinds of TEG formations are laid out by a new design.例文帳に追加

半導体チップ形成に係るマスクパターン、及び、複数種類のＴＥＧ形成に係るマスクパターンが、新規なデザインで配置されたレチクルを提供する。 - 特許庁

Then, a film to become an etching mask is formed on the conductive film pattern 13.例文帳に追加

次に、導電膜パターン１３上にエッチングマスクとなる膜を形成する。 - 特許庁

After that, the resist 6 is used as a mask, and the dummy pattern 4b is etched and eliminated.例文帳に追加

その後、レジスト６をマスクにして、ダミーパターン４ｂをエッチング除去する。 - 特許庁

To form a desired resist pattern accurately by devising a lithography process so that dimensional error of a mask pattern in a photo mask is easily and certainly corrected.例文帳に追加

リソグラフィープロセスを工夫することにより、フォトマスクにおけるマスクパターンの寸法誤差を容易且つ確実に補正し、所望のレジストパターンを正確に形成する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING EXPOSURE PATTERN OR MASK, PROGRAM THEREFOR, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, EXPOSURE PATTERN OR MASK, AND RECORDING MEDIUM WITH PROGRAM STORED THEREIN例文帳に追加

露光用パターン又はマスクの形成方法とそのプログラム、半導体装置の製造方法、露光用パターン又はマスク、及びプログラム内蔵の記録媒体 - 特許庁

Thereby, an exposed pattern having a pitch pcosθ smaller than a mask pattern p of the X-ray mask 1 is formed on the surface of the member 2.例文帳に追加

これにより、部材２の表面には、Ｘ線マスク１のマスクパターンｐよりも小さいピッチであるｐｃｏｓθのピッチを有する露光パターンが形成される。 - 特許庁

METHOD FOR CREATING LSI MASK DATA AND METHOD FOR FORMING LSI PATTERN例文帳に追加

ＬＳＩ用マスクデータの作成方法及びＬＳＩ用パターンの形成方法 - 特許庁

On the top of a semiconductor substrate 100, there are formed a first mask pattern 121 and a second mask pattern 123 which includes a corner portion 125 having a curved inner side.例文帳に追加

半導体基板１００の上部に、第１マスクパターン１２１及び内側が湾曲するコーナー部１２５を含む第２マスクパターン１２３が形成される。 - 特許庁

A mask pattern is formed on the substrate on which contact holes are formed.例文帳に追加

コンタクトホールが形成された基板結果物上にマスクパターンを形成する。 - 特許庁

METAL MASK DEPOSITION METHOD, WIRING PATTERN, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

メタルマスク蒸着方法、配線パターンおよび有機エレクトロルミネッセンス表示素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING PATTERN ON EXPOSURE MASK例文帳に追加

半導体装置の製造方法及び露光用マスクへのパターン形成方法 - 特許庁

The mask layout pattern is divided into a plurality of segmented areas SA.例文帳に追加

続いて、そのマスクレイアウトパターンを複数の分割領域ＳＡに分割する。 - 特許庁

To provide a method of forming a hard mask pattern of a semiconductor device whereby the hard mask pattern has a pitch not larger than the resolution limit of exposure equipment.例文帳に追加

露光装備の解像能力以下のピッチを持つハードマスクパターンを形成するための、半導体素子のハードマスクパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure method and an aligner, capable of exposing a mask pattern with light by using proximity field light while preventing the mask pattern from thickening by mixing various shapes.例文帳に追加

近接場光を利用し、様々な形状が混在したマスクパターンのパターン太りを防止して露光する露光方法及び露光装置の提供。 - 特許庁

MULTI-GRADATION MASK, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

多階調マスク、レジストパターンの形成方法、及び光学素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING LOCAL DAMASCENE FINFET USING CONTACT TYPE MASK PATTERN例文帳に追加

コンタクトタイプマスクパターンを用いたローカルダマシンＦｉｎＦＥＴＳを製造する方法（ＭＥＴＨＯＤＳＯＦＦＡＢＲＩＣＡＴＩＮＧＬＯＣＡＬＤＡＭＡＳＣＥＮＥＦｉｎＦＥＴＳＵＳＩＮＧＣＯＮＴＡＣＴＴＹＰＥＭＡＳＫＰＡＴＴＥＲＮ） - 特許庁

MASK PATTERN MANUFACTURING METHOD USING OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD BASED ON YIELD例文帳に追加

歩留りベースの光近接効果補正法を用いたマスク・パターン生成方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, PATTERN FORMING METHOD AND MASK USED FOR THE SAME例文帳に追加

電子装置の製造方法、パターン形成方法、及びそれに用いるマスク - 特許庁

MASK PATTERN MANUFACTURING METHOD USING OPTICAL PROXIMITY CORRECTION METHOD BASED ON YIELD例文帳に追加

歩留りベースの光近接効果補正法を用いたマスク・パターン生成方法 - 特許庁

To provide a generating method of a mask pattern to improve process margin, manufacturing method of a mask, a manufacturing method of a semiconductor device, and a pattern data generating program.例文帳に追加

プロセスマージンを向上するマスクパターン生成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びパターンデータ生成プログラムを提供すること。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method, which is capable of carrying out complementary split processing at a high speed without creating a pattern which is impossible or hard to form on a stencil mask.例文帳に追加

ステンシルマスクに形成不可能または形成困難なパターンを発生させずに、高速で相補分割処理を行えるマスクパターン作成方法を提供する。 - 特許庁

To generate a mask pattern by a simulation in which difference in etching transformation is taken into consideration.例文帳に追加

エッチング変換差を考慮したシミュレーションによりマスクパターンを生成する。 - 特許庁

The metal mask 15 comprises a printing pattern 60 in which a paste filling window 14 is formed, and a thin mask holder 61 for surrounding the pattern 60.例文帳に追加

メタルマスク１５は、ペースト充填窓１４が形成された印刷パターン部６０と、該印刷パターン部６０を包囲する薄肉のマスク保持部６１とからなる。 - 特許庁

The width of the determining section for the width W1 of the mask pattern has width W2.例文帳に追加

マスクパターンの幅Ｗ１の決定個所の幅は、幅Ｗ２を有する。 - 特許庁

A power spectrum calculation unit 14 calculates a power spectra of X1 (f, t), GfX2 (f, t), and a mask pattern generation unit 15 generates a mask pattern m1 (f, t) from the power spectrum.例文帳に追加

パワースペクトル算出部14は、時間周波数成分X1(f,t)、GfX2(f,t)のパワースペクトルを算出し、マスクパターン生成部15はパワースペクトルからマスクパターンm1(f,t)を生成する。 - 特許庁

INSPECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER FOR INSPECTION AND PATTERN MASK FOR INSPECTION例文帳に追加

半導体装置の検査方法及び検査用ウェハ及び検査用パターンマスク - 特許庁

NEAR-FIELD EXPOSURE MASK, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME例文帳に追加

近接場露光用マスク及び該マスクを用いたレジストパターンの形成方法 - 特許庁

If the bit pattern is zero, one or more bits under the mask indicate the cleaning request. 例文帳に追加

このビットパターンが 0 のときは、マスク下のビット (群) がクリーニング要求を示す。 - JM

METHOD FOR FORMING MASK PATTERN DATA, PHOTOMASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターンデータ形成方法、フォトマスク、及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁