「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask 102 containing a mask pattern is plotted on a target 104 by lithography beams 101, 103.例文帳に追加

マスクパターンを含むマスク１０２がリソグラフィービーム１０１，１０３によりターゲット１０４上に描画される。 - 特許庁

Subsequently, the first resist mask 10 is used as an etching mask to form a gate electrode 11, which is a working pattern, by RIE.例文帳に追加

そして、これをエッチングマスクにしＲＩＥで加工パターンであるゲート電極１１を形成する。 - 特許庁

PATTERN DISPOSITION METHOD, MASK PREPARED USING METHOD, AND TRANSFER METHOD USING MASK例文帳に追加

パターン配置方法およびその方法を用いて作成されたマスク、並びにそのマスクを用いた転写方法 - 特許庁

According to data of it, corrections for canceling the mask distortion are made for mask pattern design data at a time.例文帳に追加

このデータに基づいて、マスク歪みを相殺する補正を、マスクパターン設計データに対し一括して行う。 - 特許庁

On the surface of each mask (including a pattern original plate and a reticle), a discrimination code (bar code) 14 of a mask is attached.例文帳に追加

マスク（パターン原版及びレチクルを含む）の表面に、該マスクの識別符号（バーコード）１４が付されている。 - 特許庁

Thereafter, the processed film is subjected to etching using the first and second mask as a mask for the formation of the pattern free from edge roughness.例文帳に追加

その後、第１マスク及び第２マスクをマスクとして、被加工膜をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

An electron beam 1 has passed a reference pattern formed in a mask, and it shows the direction of the mask.例文帳に追加

電子ビーム１はマスクに形成された基準パターンを通過したものであり、マスクの方向を示す。 - 特許庁

The first resist film is exposed through a first mask to transfer a first pattern of the first mask.例文帳に追加

第１のマスクを通して第１のレジスト膜を露光し、第１のマスクの第１のパターンを転写する。 - 特許庁

MASK FOR VACUUM DEPOSITION, METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING EL ELEMENT USING THE MASK例文帳に追加

真空蒸着用マスク、それを用いた薄膜パターンの形成方法及びＥＬ素子の製造方法 - 特許庁

After forming a sacrificial film on the first mask pattern 121, a hard mask film is formed on the sacrificial film.例文帳に追加

第１マスクパターン１２１上に犠牲膜を形成した後、犠牲膜上にハードマスク膜を形成する。 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING PHASE SHIFTING MASK, METHOD THEREFOR AND PATTERN FORMING METHOD USING PHASE SHIFTING MASK例文帳に追加

位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びに位相シフトマスクを使用するパターン形成方法 - 特許庁

The etching of the conductor film 3 which is the process object film is performed by etching using the mask pattern as a mask.例文帳に追加

被加工膜である導体膜３のエッチングは、当該マスクパターンをマスクにしてのエッチングにより行う。 - 特許庁

PATTERN CORRECTION METHOD, MASK FOR EXPOSURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE MASK FOR EXPOSURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

パターン補正方法、露光用マスク、露光用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

MASK MOLD, ITS MANUFACTURING METHOD AND MOLDING METHOD OF LARGE-AREA MICRO-PATTERN USING MANUFACTURED MASK MOLD例文帳に追加

マスクモールド及びその製作方法と、製作されたマスクモールドを用いた大面積・微細パターン成形方法 - 特許庁

This measurement is carried out over the entire area of a membrane where the mask pattern is formed to obtain a mask distortion distribution.例文帳に追加

この測定を、マスクパターンが形成されるメンブレンの全領域で行い、マスク歪み分布を取得する。 - 特許庁

MASK BLANK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE, MASK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

極端紫外線露光用マスクブランク及び極端紫外線露光用マスク並びにパターン転写方法 - 特許庁

PATTERN TRANSFERRING METHOD USING MASK, HALFTONE MASK, ITS MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF CIRCUIT SUBSTRATE例文帳に追加

マスクを用いたパターンの転写方法、ハーフトーンマスク、及びその製造方法、並びに回路基板の製造方法 - 特許庁

The reflection mask 2 is made of absorber layer 16 of the mask blank, which is formed in a pattern.例文帳に追加

反射型マスク２は、このマスクブランクスにおける吸収体層１６をパターン状に形成してなる。 - 特許庁

Using the etching mask pattern on the second mask structure as a mask, a first mask pattern is formed by including the side wall spacer 350A so that a void is formed in-between in the first region A, and a second mask pattern is formed by including the side wall spacers 350B, 350C so that the second mask structure is present in-between in the second region B.例文帳に追加

第２マスク構造物上にあるエッチングマスクパターンをマスクとして第１領域Ａで間にボイドが形成されるように側壁スペーサ３５０Ａを含む第１マスクパターンと、第２領域Ｂで間に第２マスク構造物が介在するように側壁スペーサ３５０Ｂ、３５０Ｃを含む第２マスクパターンを形成する。 - 特許庁

Besides, a cooling means 27 for cooling the mask can be provided and water can be coagulated on the pattern surface of the mask.例文帳に追加

また、マスクを冷却する冷却手段２７を設け、マスクのパターン面に水を凝集してもよい。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR DESIGNING PHASE SHIFT MASK例文帳に追加

パターン形成方法、半導体装置の製造方法、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの設計方法 - 特許庁

In the mask stage 12, an LCD panel mask 17, having the equivalent function to a reticle pattern is provided.例文帳に追加

マスクステージ１２においてレチクルパターンと同等の機能を有するＬＣＤパネルマスク１７が配備されている。 - 特許庁

BLANK FOR HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK AND HALFTONE TYPE PHASE SHIFT MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD BY USING SAME例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びそれを用いたハーフトーン型位相シフトマスク、並びにパターン転写法 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING HALFTONE PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 - 特許庁

In this exposure method, a pattern of the mask is exposed onto a substrate, after aligned using a mask mark on a mask and a substrate mark on the substrate.例文帳に追加

また露光方法は、マスク上のマスクマークと基板上の基板マークとを用いて位置合わせした後、マスクのパターンを基板に露光。 - 特許庁

To provide a mask improved in the strength of the mask, patterning the pattern region to be a wiring pattern with high resolution, and also patterning a pattern region of a large area en block.例文帳に追加

マスク強度の向上及び、配線パターンとなるパターン領域を高解像度で、かつ、大面積のパターン領域を一括でパターニングすることができるマスクを提供する。 - 特許庁

To improve DOF of both a fine dense pattern and an isolated space pattern, while avoiding generation of a side lobe in a photo mask and a pattern formation method with the photo mask.例文帳に追加

フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法において、サイドローブの発生を避けつつ微細な密集パターン及び孤立スペースパターンの両方のＤＯＦを向上する。 - 特許庁

To provide a method for verifying mask pattern correction and an apparatus for verifying the result of pattern correction, by which the processing efficiency for verifying the result of mask pattern correction can be improved.例文帳に追加

マスクパターン補正結果検証の処理効率向上を図ることが可能なマスクパターン補正検証方法およびマスクパターン補正結果検証装置を提供する。 - 特許庁

MARKER STRUCTURE FOR ALIGNMENT OR OVERLAY TO CORRECT PATTERN INDUCED DISPLACEMENT, MASK PATTERN TO DEFINE THE MARKER STRUCTURE, AND LITHOGRAPHIC PROJECTING APPARATUS USING THE MASK PATTERN例文帳に追加

パターン誘発変位を補正するためのアラインメント又はオーバレイ用マーカ構造、当該マーカ構造を規定するためのマスク・パターン、及び当該マスク・パターンを使用するリトグラフ投影装置 - 特許庁

To directly guarantee mask accuracy within a device pattern forming region, by directly measuring the pattern accuracy on the mask within the device pattern forming region.例文帳に追加

マスク上のパターン精度をデバイスパターン形成領域内で直接測定することにより、デバイスパターン形成領域内のマスク精度を直接保証することを目的とする。 - 特許庁

To correct a mask pattern while considering the position of a projection pattern formed on a substrate upon designing the mask pattern for forming a diffusion area in a substrate.例文帳に追加

基板に拡散領域を形成するときのマスクパターンを設計するときに、基板に形成された凸状のパターンの位置を考慮して補正を行うことができるようにする。 - 特許庁

A standard is set up to plural parameters affecting size of the circuit pattern and further layout of the mask pattern provided in the mask corresponding to the circuit pattern is determined.例文帳に追加

回路パターンの寸法に影響を及ぼす複数のパラメータに対して規格を設定すると共に、回路パターンと対応してマスクに設けられるマスクパターンのレイアウトを決定する。 - 特許庁

A mask 100 is configured in such a manner that transmittance of a wiring pattern 2 formed on the mask 100 is made different from that of a via hole pattern 3 disposed right under the wiring pattern 2.例文帳に追加

マスク１００上に形成されている配線パターン２と該配線パターン２の直下に配置されるビアパターン３との透過率が異なるように構成する。 - 特許庁

To enlarge a depth of focus by considering a method for disposing an auxiliary pattern according to the pattern possession density, relating to an exposure mask, a mask pattern correction method and a semiconductor device.例文帳に追加

露光用マスク、マスクパターン補正方法、及び、半導体装置に関し、パターンの占有密度等に応じて補助パターン配置方法を考慮し、焦点深度を拡大する。 - 特許庁

This method forms a mask pattern 13a on the treatment film, forms a hardened portion 12a on the treatment film by injecting energy such as an electron beam to the treatment film with the mask pattern set as a mask, and then forms a groove 12b by providing anisotropic etching to the hardened portion of the treatment film with the mask pattern set as a mask.例文帳に追加

この上にマスクパターン１３ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜に向けて電子線等のエネルギー注入を行って被加工膜に硬化部位１２ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜の硬化部位を異方性エッチングし溝１２ｂを形成する。 - 特許庁

The mask 1 is provided with: a mask part 3 having a pattern composed of a plurality of vapor through-holes for mask film-deposition on a glass substrate 10; and a frame 2 for fixing and supporting the mask part 3.例文帳に追加

マスク１は、ガラス基板１０にマスク成膜するための複数の蒸気通孔からなるパターンを有するマスク部３と、マスク部３を固定支持するフレーム２と、を備える。 - 特許庁

In this alignment method, a mask is allocated close to a wafer and the mask, and wafer are aligned with an exposing apparatus by transferring a mask pattern formed on the mask to a resist layer on the wafer.例文帳に追加

ウエハにマスクを近接配置し、該マスクに形成されたマスクパターンを前記ウエハ上のレジスト層に転写する露光装置におけるマスクとウエハの位置合わせ方法。 - 特許庁

A first leveling mechanism holds a mask chuck and moves this chuck in a first direction, perpendicular to a mask pattern-formed surface of a mask fixed to the mask chuck.例文帳に追加

第１のレベリング機構が、マスクチャックを保持し、マスクチャックに固定されているマスクのマスクパターンが形成された面に対して垂直な第１の方向に、マスクチャックを移動させる。 - 特許庁

To provide a method of producing a mask blank and a method of producing a transfer mask, for obtaining desired flatness of the mask blank even when a thin film has a film stress, and preventing reduction in positional accuracy of a mask pattern as well as pattern shift and pattern defect during pattern transfer.例文帳に追加

薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a mask blank and a method of producing a transfer mask, for achieving a desired flatness of the mask blank even when a thin film itself has a film stress, and avoiding degradation in positional accuracy of a mask pattern or occurrence of a pattern displacement error and a pattern defect during pattern transfer.例文帳に追加

薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a mask pattern correction method according to an embodiment, a mask pattern correction amount for a reference flare value is calculated as a reference mask correction amount for every type of pattern within a layout, and a change amount of the mask pattern correction amount corresponding to a change amount of a flare value is calculated as change amount information.例文帳に追加

実施形態のマスクパターン補正方法では、レイアウト中のパターンの種類毎に、基準フレア値におけるマスクパターン補正量を基準マスク補正量として算出するとともに、フレア値の変化量に対するマスクパターン補正量の変化量を変化量情報として算出する。 - 特許庁

The first wafer 4 has a mask pattern 44 formed on a top side, and an opening 45 of the mask pattern 44 is opposed to an opening 15 of the mask pattern 14 for transfer and has a size larger than the size of the opening 15 of the mask pattern 14 for transfer.例文帳に追加

第１のウエハ４は、表側にマスクパターン４４が形成され、当該マスクパターン４４の開口部４５が前記転写用マスクパターン１４の開口部１５と対向され、かつ、当該マスクパターン４４の開口部４５の寸法が前記転写用マスクパターン１４の開口部１５の寸法より大きい。 - 特許庁

To provide a mask pattern formation support apparatus, a mask pattern formation support method, a program, a storage medium, and an exposure mask, which facilitate the formation of a mask pattern for the manufacture of a semiconductor device having a circuit pattern with the figure and dimensions both in high fidelity to the aimed circuit pattern designed by a designer.例文帳に追加

設計時に設計者が意図した回路パターンに対して、形状および寸法がともに忠実な回路パターンを有する半導体デバイスを製造するマスクパターンの作成を容易化することができるマスクパターン作成支援装置、マスクパターン作成支援方法、プログラム、記憶媒体および露光用マスクを提供する。 - 特許庁

A thinning process part 134 counts the number of printed sheets from the time, selects a mask pattern from a mask pattern select table 136 on the basis of the counted value, takes out the mask pattern from a mask pattern storage memory 135, and thins pixels to which the coloring matter is to be colored by an AND operation to an image pattern.例文帳に追加

間引き処理部１３４は、そのときから印刷枚数をカウントし、そのカウント値に基づいてマスクパターン選択テーブル１３６からマスクパターンを選択し、このマスクパターンをマスクパターン格納メモリ１３５から取り出してイメージパターンとの論理積演算を行うことにより、着色物が着色される画素を間引く。 - 特許庁

The mask for vapor deposition comprises the mask layer 1 consisting of a single thin film of silicon, and a mask pattern 2 formed on the mask layer 1, having a mask opening part 3 with the shape that the opening width expands towards a vapor deposition source.例文帳に追加

単一のシリコン薄膜からなるマスク層１と、そのマスク層１に形成され、蒸着源側に向かって開口幅が広がる形状のマスク開口部３を有するマスクパターン２とを備えている。 - 特許庁