「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, a run length decoder 305 converts an encoded mask pattern (stored in a mask for matching RAM) indicating a start position of an effective section and a length of the effective section, to a mask pattern having the same bit length as the matching pattern.例文帳に追加

次にレングスデコーダ３０５は、「有効区間の開始位置」と「有効区間の長さ」を示した符号化マスクパターン（マスクｆｏｒマッチングＲＡＭに格納されている）をマッチングパターンと同じビット長のマスクパターンに変換する。 - 特許庁

A partial region in the surface of the third layer is covered with a mask pattern.例文帳に追加

第３の層の表面のうち一部の領域をマスクパターンで覆う。 - 特許庁

In a photomask, a first identification mark 18 for identification of the kind of a mask is formed at a portion outside a pattern region 17 where a mask pattern is formed.例文帳に追加

マスクパターンを形成したパターン領域１７外の部分にマスクの種類を識別するための第１の識別マーク１８を形成した。 - 特許庁

Mask alignment of a diffusion layer pattern and a mask pattern to be processed in a post-process is carried out using the alignment mark M1a formed in this manner.例文帳に追加

こうして形成されたアライメントマークＭ１ａを用い、拡散層パターンと後工程において加工するマスクパターンとのマスク合わせを行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane mask for simultaneously increasing precision in the dimensions of a mask pattern and precision in a transfer pattern.例文帳に追加

マスクパターンの寸法精度を向上させるとともに、転写パターンの精度を向上させることができるメンブレンマスクの製法を提供する。 - 特許庁

The obtained resist pattern is used as a mask to etch the substrate to be processed.例文帳に追加

得られたレジストパターンをマスクとして被加工基板のエッチングを行う。 - 特許庁

Through the comparison below the mask, various bits in the input key are compared with various bits in a 1st leaf pattern under the mask specified with the 2nd leaf pattern.例文帳に追加

マスク下の比較では、入力キー内の諸ビットが、第２リーフ・パターンで特定されたマスク下で、第１リーフ・パターン内の諸ビットと比較される。 - 特許庁

A mold mask pattern 450 is formed on the object layer 430 for pattern formation in the first region and on the mask layer 432 in the second region.例文帳に追加

第１領域ではパターン形成対象層４３０上に、第２領域ではマスク層４３２上にモールドマスクパターン４５０を形成する。 - 特許庁

By using the resist pattern 4 as a mask, the conductive layer 3 is subjected to dry etching.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。 - 特許庁

The sacrifice film and the silicon nitride film are removed to form an oxide film mask pattern.例文帳に追加

犠牲膜及びシリコン窒化膜を除去し酸化膜マスクパターンとする。 - 特許庁

Mask alignment between a diffusion layer pattern and a mask pattern to be processed in a post-process is carried out using the alignment mark M1a formed in this way.例文帳に追加

こうして形成されたアライメントマークＭ１ａを用い、拡散層パターンと後工程において加工するマスクパターンとのマスク合わせを行う。 - 特許庁

SIMULATION METHOD, SIMULATION SYSTEM, AND CORRECTING METHOD OF MASK PATTERN例文帳に追加

シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法 - 特許庁

On the photosensitive layer, positions (x_1 to x_4 and y_1 to y_4) of the pattern 2 of the mask for exposure are measured based upon the pattern 1 of the mask for light.例文帳に追加

感光層上で、光用マスクのパターン１を基準として、露光用マスクのパターン２の位置（ｘ_１ 〜ｘ_４ 及びｙ_１ 〜ｙ_４ ）を測定する。 - 特許庁

The mask patterns have a mask pattern body 12 resembling the transfer patterns and projecting part patterns 16 disposed over the entire line of one 14A of longitudinal direction pattern boundaries 14A, B facing each other of the mask pattern body.例文帳に追加

マスクパターンは、転写パターンと相似するマスクパターン本体１２と、マスクパターン本体の相互に対向する長手方向パターン境界線１４Ａ、Ｂの一方１４Ａの全線に設けられた突起部パターン１６とを備えている。 - 特許庁

The first mask pattern comprises a plurality of metal wires 33, and the second mask pattern comprises a plurality of rectangular parallelepiped photosensitive emulsions 34.例文帳に追加

第一のマスクパターンは複数の金属ワイヤー３３からなり、第二のマスクパターンは複数の直方体状の感光性乳剤３４からなる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, DESIGN METHOD OF MASK PATTERN, AND PROGRAM例文帳に追加

半導体装置の製造方法、マスクパターンの設計方法およびプログラム - 特許庁

By using the resist pattern 4 as a mask, the insulation film 2 is subjected to wet etching.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 - 特許庁

Thereafter, a second mask pattern 5 is formed on the first mask pattern 4 and the thin film 2 with the first mask pattern 4 left, by offset printing by an organic material, ink-jet printing or additional application by a dispenser nozzle.例文帳に追加

その後、第１マスクパターン４を残した状態で第１マスクパターン４及び薄膜２の上に、有機材料のオフセット印刷、インクジェット印刷、又はディスペンサノズルによる追加塗布で第２マスクパターン５を形成する。 - 特許庁

The device 1 for creating a mask pattern includes a measuring unit 3 and a changing unit 4.例文帳に追加

マスクパターン生成装置１は、測定部３と、変更部４と、を含む。 - 特許庁

Then, the AND operation of the mask pattern with the recording data is performed.例文帳に追加

そして、読込まれたマスクパターンと記録データとのＡＮＤ演算を行なう。 - 特許庁

A mask pattern, defining a first opening portion, is formed on the conductive layer.例文帳に追加

第１開口部を定義するマスクパターンを導電層上に形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer is etched by the plasma according to a mask pattern.例文帳に追加

該プラズマによりマスクのパターンに従って半導体層がエッチングされる。 - 特許庁

ALIGNER, MASK APPARATUS, PATTERN PROTECTIVE APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

露光装置、マスク装置及びパターン保護装置、並びにデバイス製造方法 - 特許庁

MASK FOR EXTREME ULTRA-VIOLET EXPOSURE, BLANK, AND METHOD FOR PATTERN TRANSFER例文帳に追加

極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 - 特許庁

With this, a negative thin-film pattern is formed as against the mask.例文帳に追加

これにより、マスクに対してネガ形状の薄膜パターンが形成される。 - 特許庁

By using the resist pattern 4 for a mask, the insulation film 2 is subjected to wet etching.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 - 特許庁

By using the resist pattern 4 for a mask, the conductive layer 3 is subjected to dry etching.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。 - 特許庁

A mask pattern with a standardized dimension from 0.34 to 0.68, formed by a semitransparent phase shifter is disposed on a mask pattern made of shield material so as to be protruded from the edge of the mask pattern made of shield material.例文帳に追加

遮光性材料からなるマスクパターン上に、半透過性の位相シフタからなり、規格化寸法が０.３４から０.６８のマスクパターンを、遮光性材料からなるマスクパターンの縁部から突出するように配設する。 - 特許庁

The exposed second layer is etched while the second layer in the lower section of the mask pattern is etched in the lateral direction, and the mask pattern is left in an eaves shape.例文帳に追加

露出した第２の層をエッチングするとともに、マスクパターンの下方の第２の層を横方向にエッチングし、マスクパターンを庇状に残す。 - 特許庁

A mask pattern of an oxide film, e.g. SOG, is formed on an organic film.例文帳に追加

有機膜上に、ＳＯＧなどの酸化膜のマスクパターンを形成する。 - 特許庁

CRIMPING STRUCTURE OF CRIMPING MACHINE FOR MASK PATTERN FILM AND CRIMPING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

マスクパターンフィルム圧着機の圧着構造及びその圧着方法 - 特許庁

The lens cylinder 32 projects a pattern from a mask 36 onto the circuit board.例文帳に追加

レンズ筒３２はパターンをマスク３６から回路基板上に投影する。 - 特許庁

EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT EXPOSURE MASK AND BLANK AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF CHARGED PARTICLE BEAM LITHOGRAPHY MASK, AND METHOD FOR EXPOSURE OF PATTERN例文帳に追加

荷電粒子線リソグラフィマスクの製造方法及びパターン露光方法 - 特許庁

The option processing is performed by bonding, a mask pattern, or a fuse.例文帳に追加

前記オプション処理はボンディング、マスクパターン又はヒューズにより行われる。 - 特許庁

MASK FOR FORMATION OF ELECTRODE PATTERN AND PRODUCTION OF ELECTRO-OPTIC DEVICE例文帳に追加

電極パターン形成用マスク及び電気光学装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an exposure mask by which a mask pattern with high dimensional accuracy can be formed without depending on the layout of the design pattern.例文帳に追加

設計パターンのレイアウトによらずに寸法精度の良好なマスクパターンを形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GENERATING IRRADIATION PATTERN DATA, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, AND DRAWING SYSTEM例文帳に追加

照射パターンデータ作成方法、マスク製造方法、及び描画システム - 特許庁

In the mask for forming the thin film pattern of a lamination structure, a mask film having an aperture pattern and a supporting body of the pattern shape corresponding to a mask film pattern are laminated.例文帳に追加

薄膜パターン形成用マスクであって、開口パターンを有するマスク被膜とマスク被膜パターンに対応したパターン形状の支持体を積層したことを特徴とする、積層構造の薄膜パターン形成用マスクと、これを用いたマスクの製造方法である。 - 特許庁

In a photomask having a light shielding zone formed around a mask pattern region where a mask pattern is drawn by scanning by each of a specified drawing width, an inspection pattern for inspecting the misalignment of the drawn images in the mask pattern region is formed outside the light shielding zone.例文帳に追加

マスクパターンを所定の描画幅ずつ走査することによって描画したマスクパターン領域の外周に遮光帯を形成したフォトマスクにおいて、遮光帯の外側に、マスクパターン領域の描画ズレを検査するための検査パターンを形成した。 - 特許庁

A silicon nitride film as a second film is formed on the core material pattern 24, a sidewall pattern is formed by an etch back treatment, and the core material pattern 24 is removed to obtain a mask pattern.例文帳に追加

芯材パターン２４上に第２膜のシリコン窒化膜を形成し、エッチバック処理で側壁パターンを形成し、芯材パターン２４を除去してマスクパターンを得る。 - 特許庁

At least an auxiliary pattern which corrects line degeneracy by influence in exposure has been added to the mask pattern 12 and the pattern 12 acts effectively in fine element forming pattern resolution.例文帳に追加

マスクパターン１２は、少なくとも露光時の影響によるライン縮退を補正する補助パターンが付加され微細な素子形成パターン解像に有効に働く。 - 特許庁

To provide a pattern-coating material which increases the etching resistance of a pattern, in a process of etching the pattern formed on a substrate with the use of the pattern as a mask.例文帳に追加

基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスにおいて、パターンのエッチング耐性を向上させるパターン被覆材料の提供。 - 特許庁

To obtain a further appropriate resist pattern by enlarging both a mask pattern size and a resist pattern width and increasing the controllable parameter.例文帳に追加

マスクパターンサイズの増大とともにレジストパターン幅を大きくし、制御できるパラメータを増加させ、より適切なレジストパターンを得る。 - 特許庁

A second pattern 7a being the scaling down of the first pattern is formed by etching the mask layer to which the first pattern is transferred.例文帳に追加

第１のパターンが転写されたマスク層をエッチングして第１のパターンを縮小させた第２のパターン７ａを形成する。 - 特許庁