「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The present invention discloses a mask for forming a fine pattern to completely transfer a first and a second pattern from the mask through a double patterning step onto a transfer object below, and a method for forming the mask.例文帳に追加

二重パターニング工程でマスク上の第１及び第２パターンをそのまま下部の被転写物に転写させる微細パターンを形成するためのマスク及びその形成方法である。 - 特許庁

The mask set includes a first mask layer including a first exposure area where a first halftone pattern is formed to define a first pattern area, and a second mask layer including a second exposure area where a binary pattern and a second halftone pattern are formed to define a second pattern area.例文帳に追加

このマスクセットは、第１ハーフトーンパターンが形成されて前記第１パターン領域を画定する第１露光領域を含む第１マスクレイヤと、バイナリパターン及び第２ハーフトーンパターンが形成されて前記第２パターン領域を画定する第２露光領域を含む第２マスクレイヤを含む。 - 特許庁

In the mask pattern correction system, respective regions according to materials or processes are extracted by a region extracting unit 22a from mask pattern data preliminarily stored in a pattern data storing unit 21, adjacent pattern distances including other materials of the mask pattern are calculated in the extracted regions by a control unit 20.例文帳に追加

予めパターンデータ格納部２１に格納されたマスクパターンデータから、領域抽出部２２ａ、…により材料または加工プロセス別にそれぞれの領域が抽出され、抽出された複数の領域にて、マスクパターンの他材料を含めた隣接パターン距離が制御部２０内で算出される。 - 特許庁

A temperature-controlling means is established on a mask body having a predetermined mask pattern to adjust the temperature of at least a portion of the mask body to a predetermined temperature.例文帳に追加

所定のマスクパターンをもつマスク本体に、マスク本体の少なくとも一部を所定温度に調整する温度調整手段を設ける。 - 特許庁

An oxidizing blocking film pattern is removed, the conductive film is etched with the hard mask as an etching mask for forming the control gate, and the hard mask is removed.例文帳に追加

酸化ブロッキング膜パターンを除去し、ハードマスクをエッチングマスクとして前記導電膜をエッチングしてコントロールゲートを形成し、ハードマスクを除去する。 - 特許庁

A resist-made mask 12A is formed using this exposure mask pattern 22A, and the core 44 is formed on the basis of this resist-made mask 12A.例文帳に追加

この露光用マスクパターン２２Ａを使用して、レジスト製マスク１２Ａを形成し、このレジスト製マスク１２Ａに基づいてコア４４を形成する。 - 特許庁

To provide a halftone type phase shift mask on which a fine photomask pattern is formed with high accuracy, and to provide a mask blank for producing the above mask.例文帳に追加

微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたハーフトーン型位相シフトマスクおよびこれを作製するためのマスクブランクを提供すること。 - 特許庁

A method of forming the hard mask pattern of a semiconductor element includes the stages of: forming second hard mask patterns 107a on a semiconductor substrate; forming a third hard mask pattern including a first pattern 115a crossing the second hard mask patterns 107a and a second pattern 115b disposed between the second hard mask patterns 107a; and forming a fourth hard mask pattern 123a between first patterns 115a.例文帳に追加

半導体基板上に第２のハードマスクパターン１０７ａを形成する段階と、第２のハードマスクパターン１０７ａと交差する第１のパターン１１５ａと第２のハードマスクパターン１０７ａ間に位置する第２のパターン１１５ｂを含む第３のハードマスクパターンを形成する段階と、第１のパターン１１５ａ間に第４のハードマスクパターン１２３ａを形成する段階と、を含む半導体素子のハードマスクパターン形成方法。 - 特許庁

To specify a region usable as an alignment mark as a pattern region from the design data of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの設計データから、アライメントマークとして使用可能な領域をパターン領域として特定する。 - 特許庁

Accordingly, a circuit pattern opening the pattern in each area is formed with the mask provided to form each layer.例文帳に追加

これを各層形成の為のマスクにより、各場所のパターンを開路した回路パターンを形成する。 - 特許庁

To transfer a relatively narrow pattern and a relatively wide pattern by using a single sheet of a mask.例文帳に追加

相対的に細いパターンと相対的に太いパターンとを１枚のマスクを用いて精度良く転写する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING TEST PATTERN, PROGRAM FOR PRODUCING TEST PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

テストパターン作成方法、テストパターン作成プログラム、マスク作製方法、及び半導体装置製造方法 - 特許庁

PATTERN CORRECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING MASK, AND RECORDING MEDIUM RECORDED WITH THE PATTERN CORRECTION METHOD例文帳に追加

半導体製造用マスクのパターン補正方法およびそのパターン補正方法を記録した記録媒体 - 特許庁

To provide a mask blank for imprint molding capable of forming a fine glass pattern with high pattern precision.例文帳に追加

微細ガラスパターンを高いパターン精度で形成することができるインプリントモールド用マスクブランクを提供する。 - 特許庁

To improve correction efficiency and accuracy in a method for creating a pattern data for correcting a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの補正を行うパターンデータ作成方法に関し、補正の効率及び精度を向上させる。 - 特許庁

Thereafter, the processed film 2 is etched with the second resist pattern 12 and first resist pattern 6 as a mask.例文帳に追加

その後、第２のレジストパターン１２および第１のレジストパターン６をマスクとして被加工膜２をエッチングする。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR HARD MASK PATTERN OF FINE PITCH, AND FORMATION METHOD FOR FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING IT例文帳に追加

微細ピッチのハードマスクパターンの形成方法及びそれを用いた半導体素子の微細パターン形成方法 - 特許庁

The mask pattern is used to connect optical images in the process to form a continuous wiring pattern R113.例文帳に追加

このマスクパターンを用い、プロセス上で光学像を繋げ、連続な配線パターンＲ１１３として形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 45 is etched using the resist pattern as a mask and the resist pattern is removed.例文帳に追加

第４に、レジストパターンをマスクとして層間絶縁層４５がエッチングされ、該レジストパターンが除去される。 - 特許庁

To inspect a defect in a mask pattern with high accuracy and to prevent a defect in an exposure pattern on a wafer.例文帳に追加

マスクパターンの欠陥検査を精度良く行い、ウェハ上の露光パターンに欠陥が生じないようにする。 - 特許庁

A first etching mask pattern 113a is formed to have a pitch twice as large as the pitch of a contact hole pattern.例文帳に追加

コンタクトホールパターンのピッチより２倍大きいピッチで第１のエッチングマスクパターン１１３ａを形成する。 - 特許庁

After the second photoresist pattern has been removed, a layer to be etched is etched, by using the second hard mask layer pattern.例文帳に追加

第２フォトレジストパターンを除去した後、第２ハードマスク層パターンを用いて、被エッチング層をエッチングする。 - 特許庁

To form a hard mask pattern having an interval smaller than a pattern interval obtained from a lithography equipment.例文帳に追加

リソグラフィ装備から得られるパターン間隔よりさらに小さい間隔を有するハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, PHOTOMASK OBTAINED BY THE SAME AND METHOD FOR IMPROVING DIFFERENCE OF MASK PATTERN DIMENSION ON PATTERN ROUGHNESS/FINESS例文帳に追加

フォトマスクの製造方法、それによって得られたフォトマスクおよびマスクパターン寸法の疎密差改善方法 - 特許庁

The objective fine wiring pattern is formed using the resist pattern 35 as a mask.例文帳に追加

このレジストパターン３５をマスクとして用いることによって、微細な配線パターンを形成することができる。 - 特許庁

METHOD FOR APPLYING RESIST, APPARATUS FOR APPLYING RESIST, METHOD FOR FORMING MASK PATTERN AND METHOD FOR FORMING PATTERN ON LIQUID CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

レジスト塗布方法、レジスト塗布装置、マスクパターン形成方法および液晶基板のパターン形成方法 - 特許庁

This mask holder 1 holds the aligning mask 2 used for the alignment of the pattern forming resin of a printed wiring board at an aligning time.例文帳に追加

プリント配線板のパターン形成用樹脂の露光に用いる露光マスク２を，露光時に保持するマスクホルダー１。 - 特許庁

MASK FOR FORMING THIN FILM PATTERN OF LAMINATION STRUCTURE COMPRISING PATTERNED MASK FILM AND SUPPORTING BODY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 - 特許庁

The resist pattern is transferred to the mask material layer 142 by processing the mask material layer using reactive dry etching.例文帳に追加

反応性ドライエッチングによってマスク材料を加工することにより、レジストパターンをマスク材料１４２に転写する。 - 特許庁

MASK, ITS FORMING METHOD, CORRECTION METHOD OF MASK PATTERN, PROGRAM FOR THE METHOD, AND RECORDING MEDIUM WITH THE PROGRAM RECORDED THEREIN例文帳に追加

マスク、その形成方法、マスクパターンの補正方法、その方法のプログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体 - 特許庁

A mask circuit 306 operates AND between EOR operation data and the mask pattern (obtains AND operation data).例文帳に追加

次にマスク回路３０６は、ＥＯＲ演算データとマスクパターンとをＡＮＤ演算する（ＡＮＤ演算データを得る）。 - 特許庁

A metal hard mask 8 and an image material 9 are deposited thereon, and a trench pattern is formed on the metal hard mask.例文帳に追加

この上に金属ハードマスク８と結像材料９を堆積し、トレンチパターンを金属ハードマスクに形成する。 - 特許庁

Then the manufactured mask is set to the plurality of projection optical units and the mask pattern is transferred onto the substrate by exposure.例文帳に追加

そして、製造されたマスクを複数の投影光学ユニットに対して設定し、マスクのパターンを基板へ露光する。 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFTING MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFTING MASK, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 - 特許庁

PATTERN EVALUATION METHOD, EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING EXPOSURE MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

パターン評価方法、露光用マスク、露光方法、露光用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

MASK, MANUFACTURING METHOD OF MASK, FORMING METHOD OF THIN FILM PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器 - 特許庁

Subsequently, the insulating film 22 is removed by etching while using the mask pattern 23 as an etching mask, thus exposing the liner film 26.例文帳に追加

そして、マスクパターン２３をエッチングマスクとして絶縁膜２２をエッチング除去し、ライナ膜２６を露出させる。 - 特許庁

To provide a stencil mask which has high durability and hardly deforms or damages a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンが変形したり、損傷したりすることが生じ難い耐久性の高いステンシルマスクを提供する。 - 特許庁

When a correction mask pattern has the required size, no pattern remains after the computer micrographics-macrographics of the difference graphic pattern, and when the correction mask pattern is larger, a pattern remains after the computer micrographics-macrographics of the difference graphic pattern, accordingly inappropriate correction can be detected.例文帳に追加

補正マスクパターンが所望サイズであれば、差分図形パターンを縮小−拡大処理するとパターンが残らず、補正マスクパターンが大きい場合には、差分図形パターンに縮小−拡大処理するとパターンが残るため、不適切な補正を検出可能である。 - 特許庁

A second mask film 30 is formed on the second film 28, and a wiring pattern 32 is formed in the second mask film, and then, while the second mask film is being used as a mask, the second film 28 is etched to form a pattern 32 wherein the first mask film is exposed on the bottom.例文帳に追加

第２の被エッチング膜上に第２のマスク膜３０を形成し、第２のマスク膜に配線パターン３２を形成し、第２のマスク膜をマスクとして、第２の被エッチング膜をエッチングすることにより、第１のマスク膜が底部に露出したパターン３２を形成する。 - 特許庁

To provide a production method for a mask blank-use translucent substrate, a mask blank and an exposing mask to prevent occurrence of a transfer pattern defect and a mask pattern defect by correcting a recessed defect on the surface of a translucent substrate, and to provide a method of correcting a defect in an exposing mask.例文帳に追加

透光性基板表面にある凹欠陥を修正して転写パターン欠陥やマスクパターン欠陥の発生を防止するマスクブランク用透光性基板、マスクブランク及び露光用マスクの製造方法、並びに露光用マスクの欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

The mask consists of plural masks for multiple exposure, into each of which at least one mark is formed, the mark pattern that consists of the marks of each mask is formed on a substrate plate, mask alignment in the succeeding processes using this mark pattern, and the pattern is formed by copying the mask pattern that is formed on the mask into the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、前記マスクが多重露出のための複数のマスクからなり、前記複数のマスクの夫々に少なくとも１つのマークを形成し、夫々のマスクのマークからなるマークパターンを半導体基板に形成し、このマークパターンを用いて以降の工程のマスクの位置合わせを行ない、該マスクに形成されたマスクパターンを半導体基板に転写してパターンを形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor device, mask materials 70, 80 to be patterned on a desired target pattern are deposited on a ground material 10, the mask material is patterned on a spare pattern that contains a target pattern and is wider than it, the mask material is patterned on the target pattern, and a ground material is treated by using the mask material as a mask.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、所望の目標パターンにパターニングされるべきマスク材料７０、８０を下地材料１０上に堆積し、目標パターンを含みかつそれよりも広い予備パターンにマスク材料をパターニングし、目標パターンにマスク材料をパターニングし、マスク材料をマスクとして用いて下地材料を処理することを具備する。 - 特許庁

An aligner is provided, where a transfer pattern of a mask (R) is exposed duplicatively on a photosensitized board (P) so that a pattern larger than a transfer pattern on the mask is exposed on the photosensitized board.例文帳に追加

感光性基板（Ｐ）上にマスク（Ｒ）の転写用パターンを重複露光することにより、マスク上の転写用パターンよりも大きなパターンを感光性基板に露光する露光装置。 - 特許庁

To provide a method for inspecting a phase shift mask, which never detects a false defect of a pattern as a pattern defect by mistake when a pattern defect of the phase shift mask is inspected.例文帳に追加

位相シフトマスクのパターン欠陥検査に際し、パターンの疑似欠陥を誤ってパターン欠陥として検出することがないようにした、位相シフトマスクの検査方法を提供する。 - 特許庁