「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, since a line-like resist pattern 8 is formed so as to cross the line pattern, the line pattern, mask by the electrode formation material 6 is etched with the resist pattern 8 as a mask and an electrode composed of the electrode formation material 6, is formed at a part where the line pattern and the resist pattern 8 cross.例文帳に追加

その後、該ラインパターンと交差するようにライン状のレジストパターン８を形成し、該レジストパターン８をマスクにして、電極形成材料６によるラインパターンをエッチングするで、該ラインパターンとレジストパターン８とが交差する部分に電極形成材料６からなる電極を形成する。 - 特許庁

A pattern is extracted by performing registration p1 of a pattern image with respect to a critical portion of the reference mask and registration p2 of a pattern in a critical portion of design data and applying extraction p4 of the critical pattern portion to a pattern image acquired by acquisition p3 of the pattern image of an inspection target mask.例文帳に追加

基準マスクのクリティカル部分についてのパターン画像の登録Ｐ１と、設計データのクリティカル部分のパターンの登録ｐ２を行い、検査対象マスクのパターン画像の取得ｐ３によって得たパターン画像に対してクリティカルパターン部の抽出処理ｐ４を施すことでパターンを抽出する。 - 特許庁

In the method of forming a mask pattern for exposure, a first pattern in which a plurality of kinds of patterns are intermingled and a second pattern whose dimensions are smaller than those of the first pattern are arranged on the mask in such a manner that the first pattern is resolved and the resolution of the second pattern is suppressed.例文帳に追加

複数種類のパターンが混在する第１のパターンと、当該第１のパターンよりも寸法が小さい第２のパターンとを、前記第１のパターンが解像され、且つ、前記第２のパターンの解像が抑制されるようにマスク上に配置する露光用マスクパターンの形成方法。 - 特許庁

To provide a Levenson mask which can suppress the influence of optical proximity effect and a fine pattern forming method using the mask.例文帳に追加

光近接効果の影響を抑制できるレベンソンマスク、及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal mask which can form a highly precise pattern film when used as a metal mask for vapor deposition in manufacturing an organic EL display or the like.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイ等の蒸着用メタルマスクとして高精度なパターン成膜が可能なメタルマスクを提供する。 - 特許庁

According to the mask pattern of the mask composed of the coagulated coating material 40, the copper foil 60 is etched for patterning.例文帳に追加

そして、凝固した塗布剤４０で構成されるマスクのマスクパターンに基づいて銅箔６０をエッチングしてパターニングする。 - 特許庁

To accurately verify whether L/S (line and space widths) of each line pattern on a mask data agrees with the specification of a mask layout design.例文帳に追加

マスクデータ上の各線パターンのＬ／Ｓがマスクレイアウト設計仕様と合致するかどうかを正確に検証する。 - 特許庁

MASK BLANK FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, MASK FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND PATTERN EXPOSURE METHOD例文帳に追加

荷電粒子線露光用マスクブランク、荷電粒子線露光用マスク、及びその製造方法、並びにパターン露光方法 - 特許庁

To provide a photolithography mask which optically transfers a pattern formed on a mask on a substrate and removes the optical proximity effect.例文帳に追加

マスクに形成されたパターンを基板に光転写し、かつ、光近接効果をなくすフォトリソグラフィマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method for achieving desired characteristics of an element with an appropriate amount of mask data and a process time.例文帳に追加

適正なマスクデータ量や処理時間で所望の素子特性を実現できるマスクパターン作成方法を提供する。 - 特許庁

In the pattern forming method, the metal mask 4 is used to dry-etch a film for patterning, and the metal mask 4 is removed.例文帳に追加

この金属マスク４を用いて膜をドライエッチングしてパターニングし、金属マスク４を除去するパターン形成方法である。 - 特許庁

To provide a metal mask capable of forming a precise pattern film as a metal mask for vapor deposition for an organic EL display or the like.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイ等の蒸着用メタルマスクとして、高精度なパターン成膜が可能なメタルマスクを提供する。 - 特許庁

The protective layer 3 and the organic semiconductor layer 2 are then patterned using the mask layer 5 as a mask thus obtaining an organic semiconductor pattern 7.例文帳に追加

マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。 - 特許庁

METHOD FOR DESIGNING PATTERN OF INTEGRATED CIRCUIT, METHOD FOR FORMING EXPOSURE MASK, EXPOSURE MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

集積回路のパターン設計方法、露光マスクの作成方法、露光マスク、および集積回路装置の製造方法 - 特許庁

The metal mask is so constituted that a mask pattern comprises groove parts 2 crossing each other and land parts 1 surrounded by the groove parts 2.例文帳に追加

マスクパターンが、互いに交差する溝部２と、溝部２で囲まれるランド部１とを含んで構成してあるメタルマスクである。 - 特許庁

A fine pattern is formed on the article to be etched by etching the material for the thus formed mask as a mask.例文帳に追加

こうして形成したマスク形成用材料をマスクとしてエッチングすることで、被エッチング物に微細パターンを形成する - 特許庁

To provide a photo mask which allows an isolated pattern hole to sufficiently receive light so as to make up for the insufficiency of the light, and to provide a method for fabricating the photo mask.例文帳に追加

孤立したパターンホールの受光不足を補うことができるフォトマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photolithography mask for optically transferring a pattern formed in the mask onto a substrate and for negating an optical proximity effect.例文帳に追加

マスクに形成されたパターンを基板に光転写し、かつ、光近接効果をなくすフォトリソグラフィマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a metal mask capable of forming a high-accuracy pattern on a large-sized substrate and the metal mask.例文帳に追加

大型の基板上に高精度のパターンを形成可能なメタルマスクの製造方法およびメタルマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wiring board, by which dielectric breakdown in a mask pattern when an exposure mask is used can be prevented.例文帳に追加

露光マスクを用いる際にマスクパターンにおける静電破壊を防止し得る配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Working with the narrow track width is conducted by a sidewall mask method using a film deposited on a sidewall of a dummy pattern as a mask.例文帳に追加

ダミーパターンの側壁に堆積させた膜をマスクとして利用するサイドウォールマスクの方法で狭トラック幅加工を行う。 - 特許庁

To provide a gray tone mask capable of suppressing the occurrence of electrostatic damages in a pattern during handling when the mask is used.例文帳に追加

マスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制できるグレートーンマスクを提供する。 - 特許庁

MASK BLANK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE, MASK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク及びその製造方法並びにパターン転写方法 - 特許庁

An exposure process is performed together with a phase shift mask, on the photoresist layer, and it shifts the pattern of the mask onto the photoresist layer.例文帳に追加

露光工程は、フォトレジスト層上で位相シフトマスクと一緒に行われ、フォトレジスト層上にマスクのパターンを移動する。 - 特許庁

The method further includes generating a vertical mask based on the target pattern, where the vertical mask contains low contrast horizontal features.例文帳に追加

ターゲットパターンに基づいて垂直マスクを作成するステップをさらに含み、垂直マスクは低コントラスト水平フィーチャを含む。 - 特許庁

To provide a photolithography mask for optically transferring a pattern formed in the mask onto a substrate and negating an optical proximity effect.例文帳に追加

マスクに形成されたパターンを基板上に光学的に転写し、かつ光近接効果を打ち消すためのフォトリソグラフィ・マスク。 - 特許庁

The protective layer 3 and the organic semiconductor layer 2 are patterned with the mask layer 5 as a mask to obtain the organic semiconductor pattern 7.例文帳に追加

マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。 - 特許庁

DESIGNING METHOD OF ILLUMINATION LIGHT SOURCE, MASK PATTERN DESIGNING METHOD, PHOTO MASK MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND PROGRAM例文帳に追加

照明光源の設計方法、マスクパターン設計方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム - 特許庁

A thin film for a transfer pattern is formed on the main surface of the obtained substrate for the mask blank to prepare the mask blank.例文帳に追加

こうして得られたマスクブランク用基板の主表面に転写パターン用の薄膜を形成してマスクブランクとする。 - 特許庁

To provide an exposure mask which can prevent a defect from being caused in a light shielding pattern, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

遮光パターンに欠陥が入るのを防ぐことができる露光用マスクとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The pattern altered part 21 is then removed and the spacer film 14 is used as a mask to etch the mask film 12 and the processed film 11.例文帳に追加

そして、パターン変質部２１を除去し、スペーサ膜１４をマスクとしてマスク膜１２と被加工膜１１をエッチングする。 - 特許庁

CREATION METHOD OF RANDOM PATTERN, MANUFACTURING METHODS OF MASK AND ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND CREATION PROGRAM OF RANDOM PATTERN例文帳に追加

ランダムパターンの作成方法、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法、及びランダムパターンの作成プログラム - 特許庁

Next, a resist film is applied to the backside of the wafer 1, and a mask pattern is transferred thereto to form a grid-like resist pattern.例文帳に追加

ついで、ウェハ１の裏面にレジスト膜を塗布して、マスクパターンを転写して、格子状のレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The sacrificial film G is used as a mask to etch the pattern F1, and a pattern F2 is formed on the film F to be treated (Fig.5(g)).例文帳に追加

犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。 - 特許庁

Half-die areas D1, D2 of different dies with the same pattern intrinsic property are grouped together in the mask pattern.例文帳に追加

同じパターン固有特性を有する異なるダイのハーフダイ領域Ｄ１、Ｄ２は、マスクパターンに一緒にグループ化される。 - 特許庁

To provide a mask pattern correcting method which can easily eliminate a minute level difference formed after line width correction of a pattern.例文帳に追加

パターンの線幅補正後に生じる微小段差を、簡易に解消できるマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁

To align a mask with a board at high precision to match a new pattern to a base pattern for precise light exposure.例文帳に追加

マスクと基板との位置合わせを精度良く行って、新たなパターンを下地パターンに合わせて精度良く露光する。 - 特許庁

PATTERN TRANSFER MASK, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, METHOD OF FORMING PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

パターン転写用マスク、パターン転写用マスクの製造方法、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

The conductive film is subjected to etching using the third pattern 12a as a mask for the formation of a wiring pattern 13.例文帳に追加

第３パターン１２ａをマスクとして導電膜をエッチングすることにより、配線パターン１３を形成する。 - 特許庁

A fine projecting and recessing pattern is formed on the substrate by using the mask pattern and etching the non-heat-sensitive layer.例文帳に追加

マスクパターンを用いて非感熱層をエッチングすることにより、微細凹凸パターンを基材上に形成する。 - 特許庁

INSPECTION CONDITIONAL CORRECTION METHOD OF PATTERN INSPECTION SYSTEM, MASK FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR, PATTERN INSPECTION SYSTEM AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

パターン検査システムの検査条件補正方法、半導体製造用マスク、パターン検査システムおよび記録媒体 - 特許庁

Thereafter, the copper layer 21 is etched, using the second resist pattern 43 as a mask to form a required wiring pattern 14.例文帳に追加

第２のレジストパターン４３をマスクとして銅層２１をエッチングして所要の配線パターン１４を形成する。 - 特許庁

OVERLAY VERNIER MASK PATTERN, METHOD OF FORMING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT CONTAINING OVERLAY VERNIER PATTERN, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

オーバーレイバーニアマスクパターンとその形成方法、並びにオーバーレイバーニアパターンを含む半導体素子とその形成方法 - 特許庁

FORMATION OF LAYOUT OF PATTERN FOR LSI, FORMATION OF PATTERN FOR LSI AND FORMATION OF MASK DATA FOR LSI例文帳に追加

ＬＳＩ用パターンのレイアウト作成方法、ＬＳＩ用パターンの形成方法及びＬＳＩ用マスクデータの作成方法 - 特許庁

To accurately inspecting fluctuations in the pattern dimension of a reticle mask pattern in a short time to identify the fluctuation section.例文帳に追加

レチクルのマスクパターンのパターン寸法の変動を、高精度に短時間に検査して変動の部位を特定する。 - 特許庁