「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

By this swapping, adjacencies of recording tolerance areas are eliminated in the mask pattern.例文帳に追加

この交換によって、マスクパターンにおいて記録許容エリアの隣接が除去される。 - 特許庁

A plurality of stripes where a mask pattern is drawn are set in an (x) direction and a (y) direction of the mask substrate respectively to correspond to a pattern drawing area PR.例文帳に追加

マスクパターンを描画するストライプを、パターン描画領域ＰＲに対応するように、マスク基板の面のｘ方向とｙ方向とのそれぞれに複数設定する。 - 特許庁

To shorten a period for manufacturing a photo mask having a shading pattern formed of an organic film.例文帳に追加

有機膜からなる遮光パターンを有するフォトマスクの製造期間を短縮する。 - 特許庁

To provide a pattern layout method for a photo-mask for pattern transfer by which a mask defect inspection is easily done with enhancement of resolving power contriving by providing auxiliary patterns.例文帳に追加

補助パターンを設けることによって解像力の向上を図りつつ、マスク欠陥検査が容易に行なえるパターン転写用フォトマスクのパターンレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture transistors having different threshold voltages without additional mask pattern.例文帳に追加

互いに異なるしきい値電圧をもつトランジスタを別途のマスクパターンなしで製造する。 - 特許庁

To optimize mask for lithography imaging by using the optimum pattern.例文帳に追加

最適なパターンを使用し、リソグラフィイメージングのためのマスク最適化を行うことに関する。 - 特許庁

A film is pattern-formed by sputter deposition through a stencil mask.例文帳に追加

本発明ではステンシルマスクを通してスパッタ堆積することで、膜をパターン形成した。 - 特許庁

An evaluation value is obtained by obtaining the number of pixel positions where pixels of the pixel value 1 overlap when the correction mask pattern is overlapped with another mask pattern while shifted in units of pixels.例文帳に追加

修正マスクパターンを画素単位でずらしながら、他方のマスクパターンと重ね合わせた時に画素値１の画素が重なる画素位置の数を求めることで、評価値を求める。 - 特許庁

At this time, one pixel of the pixel value 0 is selected for one mask pattern, and a correction mask pattern which has the pixel value of the selected pixel changed to 1 is generated.例文帳に追加

この時、一方のマスクパターンについて、画素値０の画素を１画素選択し、選択した選択画素の画素値を１に変更した修正マスクパターンを生成する。 - 特許庁

LAYOUT DATA VERIFICATION METHOD, MASK PATTERN VERIFICATION METHOD AND CIRCUIT OPERATION VERIFICATION METHOD例文帳に追加

レイアウトデータ検証方法、マスクパターン検証方法および回路動作検証方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photomask for preventing displacement of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの位置ずれを防止できるフォトマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Lateral spacers are formed around the salient pattern defining a third etching mask.例文帳に追加

第３のエッチングマスクを定義する突出パターンの周囲に、横スペーサが形成される。 - 特許庁

Then a tip of a birds peak 2a is removed by using the photo resist pattern 21 for a mask.例文帳に追加

次に、フォトレジストパターン２１をマスクとしてバーズビーク２ａの先端部を除去する。 - 特許庁

DEVICE MANUFACTURING METHOD, MASK SET USED FOR THE METHOD, DATA SET FOR CONTROLLING PROGRAMMABLE PATTERN FORMING APPARATUS, METHOD OF FORMING MASK PATTERN, AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

デバイス製造方法、その方法で使用するためのマスク・セット、プログラム可能なパターン形成装置を制御するためのデータ・セット、マスク・パターンを作成する方法、およびコンピュータ・プログラム - 特許庁

The SiO2 film 3 is etched with the resist pattern as a mask, and an opening 3a is made.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとしてＳｉＯ_2 膜３をエッチングし、開口３ａを形成する。 - 特許庁

REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK, REFLECTIVE PHOTO MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD USING THE SAME例文帳に追加

反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 - 特許庁

The transparent conductive layer 3 is patterned by using the resist layer 4 as a mask pattern.例文帳に追加

そして、このレジスト層４をマスクパターンとして、透明導電層３をパターニングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pattern integrated screen mask capable of realizing a printing flat mesh screen mask obtained by integrating a nickel mesh with a pattern by using not a woven net but the nickel mesh as the mesh.例文帳に追加

メッシュに織網ではなくニッケルメッシュを用い、このニッケルメッシュとパターンが一体化されたフラットな印刷用メッシュスクリーンマスクを実現できる製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MASK PATTERN, METHOD FOR PATTERNING THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING MICRO DEVICE例文帳に追加

マスクパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法 - 特許庁

EXPOSURE MASK PATTERN, FORMING METHOD THEREFOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

露光用マスクパターン及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming a film having a fine pattern with no mask or stamper.例文帳に追加

マスクやスタンパを用いないで、微細パターンの膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FACTOR ANALYSIS FOR WATER PATTERN ERROR AND APPARATUS FOR MANUFACTURING PHOTOGRAPHIC PLATE MAKING MASK例文帳に追加

ウェハパターン誤差の要因解析方法および写真製版用マスクの製造装置 - 特許庁

LITHOGRAPHY SIMULATION METHOD, MASK PATTERN CORRECTING METHOD, AND TREATMENT SUBSTRATE CORRECTING METHOD例文帳に追加

リソグラフィシミュレーション方法、マスクパターン補正方法及び処理基板形状補正方法 - 特許庁

The resist film 46 is exposed along the pattern of a mask 59 by an exposure means 50.例文帳に追加

レジスト膜４６は、露光手段５０においてマスク５８のパターンが焼き付けられる。 - 特許庁

The desired mask pattern can be formed corresponding to the surrounding environment.例文帳に追加

これにより、周囲の環境に応じて所望のマスクパターンを形成することができる。 - 特許庁

Thereby a correction table used for correction of the mask pattern is prepared (S108).例文帳に追加

このことにより、マスクパターンの補正に使用する補正テーブルを作成する（Ｓ１０８）。 - 特許庁

The microcomputer system 110 transfers an image signal to the mask pattern producing device 120.例文帳に追加

マイクロコンピュータシステム１１０はイメージ信号をマスクパターン生成器１２０に送信する。 - 特許庁

The mask pattern data for representing the shapes of the signal input terminal and the signal output terminal of the spare cell is made to be the mask pattern data of a second or a further wiring layer.例文帳に追加

スペアセルの信号入力端子および信号出力端子の形状を表現するマスクパターンデータを、第2配線層以上の配線層のマスクパターンデータとする。 - 特許庁

To manufacture an auxiliary pattern phase shift mask without degrading the quality.例文帳に追加

品質を損なわずに、補助パターン型位相シフトマスクを製造することが可能とする。 - 特許庁

To suppress the etch stop while securing the remaining film of a mask pattern when forming an aperture having high aspect ratio in an insulating film in anisotropic etching using a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンを用いた異方性エッチングで、絶縁膜に高いアスペクト比を有する開孔を形成する際に、マスクパターンの残膜を確保しつつ、エッチストップを抑制する。 - 特許庁

A first spacer 350A for covering both sidewalls of the first mask pattern 320A and a second spacer 350B for covering both sidewalls of the second mask pattern 320B are simultaneously formed.例文帳に追加

第１マスクパターン３２０Ａの両側壁を覆う第１スペーサ３５０Ａと第２マスクパターン３２０Ｂの両側壁を覆う第２スペーサ３５０Ｂとを同時に形成する。 - 特許庁

An etching process is performed to etch the spacer layer 460 so that spacers may remain at sidewalls of a pattern structure of the mold mask pattern 450, and to etch the mask layer 432 in the second region.例文帳に追加

モールドマスクパターン４５０のパターン構造物の側壁に複数のスペーサが残留するようにスペーサ層４６０をエッチングし、第２領域でマスク層４３２をエッチングする。 - 特許庁

FILM DEPOSITION METHOD AND FILM DEPOSITION APPARATUS, MASK, PATTERN FILM, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND SOLAR CELL例文帳に追加

成膜方法と成膜装置、マスク、パターン膜、光電変換素子、及び太陽電池 - 特許庁

To form the image of a mask pattern accurately on a substrate by slit scan aligning system.例文帳に追加

スリットスキャン露光方式で、マスクのパターンの像を正確に基板上に形成する。 - 特許庁

Subsequently, a wiring pattern is formed on the silicon nitride film using a resist mask and the resist is ashed.例文帳に追加

次に、レジストマスクでシリコン窒化膜に配線パターンを形成し、レジストをアッシングする。 - 特許庁

Repulsive potential is calculated in-between a plane of the block pattern when manufacturing the mask.例文帳に追加

マスクを製造する際、斥力ポテンシャルをブロックパターンのプレーンとの間で計算する。 - 特許庁

The upper conductive film and the sacrificial mask pattern are removed for planarization until an upper surface of the recessed mask pattern is exposed, thereby a plug 850 surrounded by the spacer is formed.例文帳に追加

リセスされたマスクパターンの上部面が露出されるまで上部導電膜及び犠牲マスクパターンを除去平坦化してスペーサーによって囲まれたプラグ８５０を形成する。 - 特許庁

An auxiliary film is formed on a side wall of the pattern and etched to form a second etching mask pattern 121a between first etching mask patterns in an automatic alignment manner.例文帳に追加

このパターンの側壁に補助膜を形成し、これをエッチングすることにより、第１のエッチングマスクパターン間に第２のエッチングマスクパターン１２１ａを自動整列方式で形成する。 - 特許庁

MASK PATTERN CORRECTION METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン修正方法、フォトマスク製造方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

Then in a process a2, an ultraviolet exposure is performed using mask which provides a desired pattern.例文帳に追加

次に工程ａ２で所望のパターンが得られるマスクを用いて紫外線露光する。 - 特許庁

The planarization layer and the upper side dielectric layer are etched according to the mask pattern.例文帳に追加

マスク・パターンに従って平坦化層および上側誘電体層がエッチングされる。 - 特許庁

A charge transfer electrode 6 is formed by performing etching through the mask pattern 7.例文帳に追加

マスクパターン７を介したエッチングを行って、電荷転送電極６を形成する。 - 特許庁

That is to say, the lower half of each nozzle group corresponds to a lower pattern in each region of a mask, and the upper half thereof corresponds to an upper pattern in each region of the mask.例文帳に追加

つまり、各ノズル群の下半分はマスクの各領域における下側のパターンに対応し、上半分はマスクの各領域における上側のパターンに対応する。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING MASK PATTERN SHAPE, AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

マスクパターン形状計測装置及びマスクパターン形状計測方法並びに記録媒体 - 特許庁

This automatic vending machine is provided with a prescribed mask pattern wherein one visual field angle and the other visual field angle are contrary, and a transaction operation screen is masked by the mask pattern and is projected to each the visual field.例文帳に追加

一方の視野角と他方の視野角とが背反する所定のマスクパターンを設け、取引画面を前記マスクパターンによりマスクし各視野角に投影するようにした。 - 特許庁