「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask having a predetermined pattern is formed on the semiconductor crystal.例文帳に追加

上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。 - 特許庁

MASK BLANK, PHOTOMASK, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

With the pattern 5 as a mask, the insulating film is anisotropically etched.例文帳に追加

そのフォトレジストパターン５をマスクとして絶縁膜に異方性エッチングを施す。 - 特許庁

MASK, PATTERN GENERATING METHOD FOR PHASE SHIFTER, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスク、位相シフタのパターン生成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

An exposure mask provided with a diffraction grating pattern or an auxiliary pattern comprising a translucent film with a light intensity reducing function is used as an exposure mask.例文帳に追加

露光マスクとして、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置した露光マスクを用いる。 - 特許庁

With respect of each mask pattern, a region of a prescribed width is cut along the edge portion of the mask pattern to generate a shrunk region.例文帳に追加

マスクパターンの各々に対し、このマスクパターンからこのマスクパターンの縁部に沿って所定幅の領域を除去してなる縮小領域を生成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ORGANIC MASK AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING THE SAME例文帳に追加

有機マスクの形成方法及び該有機マスクを利用したパターン形成方法 - 特許庁

To make the pattern widths of an isolated process pattern and a dense process pattern, obtained by trimming a resist mask comprising the isolated resist pattern and dense resist pattern and then patterning a layer to be processed, to agree with each other.例文帳に追加

孤立レジストパターンと密集レジストパターンを含むレジストマスクをトリミングし、被加工層をパターニングして得られる孤立加工パターンと密集加工パターンのパターン幅を一致させる。 - 特許庁

After a mask protective member 2 is set on a mask protective member loading jig 1 and when a mask member 3 is moved downward to the vicinity of the mask protective member 2 in this state while the pattern face 31 of the mask member 3 is faced downward, air pressure 4 is added to the thin film 22.例文帳に追加

マスク保護部材装着治具１にマスク保護部材２をセットした状態で、その上方からパターン面３１を下に向けてマスク部材３を接近させると、空気圧４が薄膜２２に加わる。 - 特許庁

To provide a mask cleaning method which removes a foreign substance including silicon oxide deposited on a mask film formed on a mask, while keeping a pattern shape of the mask film; and to provide a mask cleaning device and a pellicle.例文帳に追加

マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。 - 特許庁

In this pattern forming method, materials to be etched are patterned by using a resist mask 3 as an etching mask in the manufacturing process of a semiconductor device, and then the volume of this resist mask is expanded by swelling or the like so that this resist mask can be changed into another etching mask 5.例文帳に追加

半導体装置の製造工程の中でレジストマスクをエッチングマスクに使用し被エッチング材料をパターニングした後、このレジストマスクを膨潤等により体積膨張させて別のエッチングマスクに変える。 - 特許庁

To provide a process for producing a reflective mask blank and a process for producing a reflective mask in which displacement of the mask caused by flatness of the patterning surface of a mask is prevented when a pattern is transferred.例文帳に追加

マスクのパターン形成面のフラットネスに起因するパターン転写時の位置ずれを防止することができる反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask and a method of monitoring mask contamination, which is capable of grasping the timing of cleaning of a mask before contamination causes a variation in the line width of a transferring pattern on a mask.例文帳に追加

コンタミネーションによるマスクの転写用パターンの線幅の変動が起きる前に、マスクの洗浄のタイミングを把握することができるマスクおよびマスクコンタミモニタ方法を提供することにある。 - 特許庁

A contact portion in contact with a mask substrate and a pressing portion for pressing the contact portion against the mask substrate are provided on a mask stage which is movable with the mask substrate mounted thereon, with the substrate having a circuit pattern formed.例文帳に追加

回路パターンが形成されたマスク基板を載置して移動可能なマスクステージ上に、マスク基板と当接する当接部と、そのマスク基板を当接部に押圧する押圧部とを設ける。 - 特許庁

The pattern forming method is characterized by forming a hard mask layer, providing the step in the hard mask layer and performing anisotropic etching on a substrate using the hard mask layer as an etching mask.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、ハードマスク層を形成し、該ハードマスク層に段差を設け、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板に異方性エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, EXPOSURE MASK, METHOD FOR PRODUCING EXPOSURE MASK, ELECTRON BEAM DRAWING METHOD FOR PRODUCING EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターンの補正方法、露光用マスク、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - 特許庁

MASK BLANK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE, MASK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE, METHOD OF MANUFACTURING MASK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE, AND PATTERN TRANSFER METHOD USING MASK FOR EXTREME ULTRAVIOLET RAY EXPOSURE例文帳に追加

極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 - 特許庁

The first mask pattern 21 is a pattern having a light condensing function and such a property that the amount of exposing radiation on a transfer body changes depending on focus variation, wherein the first mask pattern is a two-dimensional Fresnel zone pattern.例文帳に追加

第１のマスクパターン２１は、集光作用を有し、被転写体に対する露光照射量が焦点変動に依存して変化する性質を有するパターンであり、ここでは２次元のフレネル輪帯パターンとされている。 - 特許庁

The dimensional variation of the mask pattern by a bias amount of the mask pattern and the dimensional variation of the resist pattern are calculated on a computer by an expansion processing of the pattern or an optical intensity simulation so that the generation of the MEF is confirmed.例文帳に追加

マスクパターンのバイアス量によるマスクパターンの寸法変動およびレジストパターンの寸法変動をパターンの拡大処理、或いは光強度シミュレーションにより計算機上で算出しＭＥＦの発生を確認する。 - 特許庁

To provide a mask, a manufacturing method thereof, and further, an exposure apparatus and a method using the mask wherein an exposure pattern having a small line-width is formed without increasing the aspect ratio of the opening pattern of the mask, and the mask is durable.例文帳に追加

開口パターンのアスペクト比を大きくすることなく線幅の小さい露光パターンが形成され、かつ耐久性のあるマスクおよびその製造方法、さらには、このマスクを用いた露光装置および露光方法を提供する。 - 特許庁

The method for inspecting a mask defect includes a process of generating referential data from the corrected mask design data D2 obtained by correcting (S10) data according to the exposure transfer pattern, and a process of measuring the actual pattern of the mask based on the corrected mask design data D2 to generate sensor data.例文帳に追加

露光転写パタンに基づき補正した（Ｓ１０）補正後マスク設計データＤ２から、参照データを作成し、補正後マスク設計データＤ２に基づくマスクの形状を実測してセンサデータを作成するマスク欠陥検査方法。 - 特許庁

Next, the insulation film 110 is removed; in a second etching step, a hard mask pattern is formed by using the first and second auxiliary patterns as an etching mask; and in a third etching step, the etching target film 101 is formed, by using the hard mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

続いて絶縁膜１１０を除去し、第２のエッチング工程で第１，第２補助パターンをエッチングマスクとしてハードマスクパターンを形成し、それをエッチングマスクとして第３のエッチング工程でエッチング対象膜１０１をエッチングする。 - 特許庁

As a result, possibility of defects existing on the same positions in pattern regions on the different masks can be practically avoided, so that a mask pattern image which is deteriorated by defects is overlapped with a mask pattern image which has no defects, and restoration of the mask pattern image becomes possible.例文帳に追加

この結果、異なったマスク上のパターン領域の同一位置に欠陥がある可能性はほとんど回避されるため、欠陥によって劣化したマスクパターン像には、欠陥の無いマスクパターン像が重ね合わされることとなり、その修復が可能となる。 - 特許庁

On the top of the metallic film, a photoresist pattern 7 is prepared (c), with which a metallic mask pattern 8 is made (d) to remove the photoresist pattern 7 (e).例文帳に追加

その上にフォトレジストパターン７を作成し（ｃ）、これを用いて金属マスクパターン８を作成し（ｄ）、フォトレジストパターン７を除去する（ｅ）。 - 特許庁

At this time, preferably, the mask pattern is formed of a reflection prevention film pattern 125 and a photoresist pattern 130 that are successively laminated.例文帳に追加

この時に、マスクパターンは順次に積層された反射防止膜パターン１２５及びフォトレジストパターン１３０で形成することが望ましい。 - 特許庁

A pattern KP for inspection for the purpose of measuring the line width of the pattern to be transferred to a substrate is formed on the mask having a circuit pattern CP.例文帳に追加

回路パターンＣＰを有するマスクに、基板に転写されるパターンの線幅を計測するための検査用パターンＫＰを形成する。 - 特許庁

The mask structure for vapor deposition comprises a mask consisting of a thin sheet, and in which opening parts with a prescribed pattern are formed, a frame supporting a state where tensile force is applied to the mask in one face of the mask, and a cover mask supporting the part of the mask corresponding to the frame on the other face of the mask.例文帳に追加

薄板よりなり、所定パターンの開口部が形成されたマスクと、前記マスクの一つの面にて前記マスクに引張り力が加えられた状態を支持するフレームと、前記マスクの他面にて前記フレームに対応するマスクの部分を支持するカバーマスクとを含んでなる。 - 特許庁

The exposure light is radiated onto the photo mask from the mask pattern side, and the exposure light reflected by the photo mask is radiated onto the substrate.例文帳に追加

前記フォトマスクに対し前記マスクパターン側から前記露光光を照射するとともに、前記フォトマスクで反射された露光光を前記基板に照射する。 - 特許庁

To provide a mask for exposure that is suitable for highly integrated device pattern, a mask set for exposure, a method of manufacturing mask for exposure, and a film patterning method.例文帳に追加

高集積化されたデバイスパターンに適した露光用マスク、露光用マスクセット、露光用マスクの製造方法、及び膜のパターニング方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, SEMICONDUCTOR MASK DATA PRODUCING DEVICE, METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, AND METHOD FOR CORRECTING DESIGN LAYOUT例文帳に追加

半導体集積回路の製造方法、マスクの製造方法、半導体マスクデータ製造装置、マスクパターンの修正方法、及び設計レイアウトの修正方法 - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD, EXTREME ULTRAVIOLET EXPOSURE MASK, METHOD OF MANUFACTURING EXTREME ULTRAVIOLET EXPOSURE MASK, AND METHOD OF CORRECTING EXTREME ULTRAVIOLET EXPOSURE MASK例文帳に追加

パターン形成方法、極端紫外露光用マスク、極端紫外露光用マスクの製造方法および極端紫外露光用マスクの修正方法 - 特許庁

The mask selecting section 19 extracts a mask pattern from the mask registration memory 17 according to the scanning position of a printing head, and outputs it to a print data creating section 18.例文帳に追加

マスク選択部１９は、印刷ヘッドの走査位置に応じてマスク登録用メモリ１７からマスクパターンを取り出し、印字データ生成部１８に出力する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device by projecting a mask pattern that is formed on a mask to copy to an object and pattern forming into the object, the mask consists of plural masks having different mask patterns, and marks that are formed into each mask are synthesized to form a mark pattern that consists of plural marks into the object.例文帳に追加

マスクに形成されたマスクパターンを投影して対象物に転写し、該対象物にパターンを形成する半導体装置の製造方法において、前記マスクがマスクパターンの異なる複数のマスクからなっており、夫々のマスクに形成されたマークを合成して複数のマークからなるマークパターンを前記対象物に形成する。 - 特許庁

The mask is formed with a mask circuit pattern which is identical in design to other design circuit patterns, a mask top first mark which is overlapped in design with the substrate top first mark when the mask circuit pattern and the substrate top circuit pattern are overlapped at an overlapping position, and a mask top second mark which is overlapped in design with the substrate top second mark.例文帳に追加

マスクは、他の設計回路パターンと設計上は合同のマスク回路パターンと、マスク回路パターンと基板上回路パターンを重ね合わせ位置で重ねた場合に基板上第１マークと設計上重なるマスク上第１マークと、基板上第２マークと設計上重なるマスク上第２マークを有する。 - 特許庁

The method includes a step for forming at least one non-critical feature on a mask by utilizing one of a low transmittance phase shift mask (pattern) and a non-phase shift mask (pattern) and a step for forming at least one critical feature on the mask by utilizing a high transmittance phase shift mask (pattern).例文帳に追加

この方法は、低透過率位相シフト・マスク（パターン）と非位相シフト・マスク（パターン）の一方を利用してマスク上に少なくとも１つのクリティカルでないフィーチャを形成するステップと、高透過率位相シフト・マスク（パターン）を利用してマスク上に少なくとも１つのクリティカルなフィーチャを形成するステップとを含む。 - 特許庁

A process of selecting one pixel of the pixel value 0 from the mask pattern, and changing the pixel value of the selected pixel to 1 which shows non-masking to update the mask pattern is alternately repeated by a plurality of the number of times, whereby the mask pattern is completed.例文帳に追加

マスクパターンから画素値０の画素を１画素選択し、選択画素の画素値をマスクしないことを示す１に変更してマスクパターンを更新する処理を交互に複数回繰り返すことで、マスクパターンを完成させる。 - 特許庁

The dimension of the wafer pattern formed by using the first mask and the dimension of the wafer pattern formed by using the second mask are compared and the dimensional difference occurring in the difference of the mask pattern and the dimensional error occurring the other factor are discriminated and detected.例文帳に追加

第１マスクを使って形成したウェハパターンの寸法と、第２マスクを使って形成したウェハパターンの寸法とを比較して、マスクパターンの差に起因する寸法差と、その他の要因に起因する寸法差とを区別して検出する。 - 特許庁

Then processing using a pattern on the resist film as a mask (e.g. etching processing using the pattern on the resist film as the mask and an ion injection processing using the pattern on the resist film as the mask) is applied to the wafer on which the resist film having the rugged surface is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜の表面に凹凸が形成されたウエハは、レジスト膜のパターンをマスクとした処理（たとえば、レジスト膜のパターンをマスクとするエッチング処理、レジスト膜のパターンをマスクとするイオン注入処理）を受ける。 - 特許庁

The template is separated from the mask material to form a mask material pattern 20' on the substrate, radiation-sensitive resist is formed on the mask material pattern, and after the radiation-sensitive resist is irradiated selectively with radiation, the radiation-sensitive resist is developed to form a radiation-sensitive resist pattern 30' covering part of the mask material pattern.例文帳に追加

テンプレートをマスク材料から離して基板上にマスク材パターン２０’を形成し、マスク材パターン上に感放射線レジストを形成し、感放射線レジストに選択的に放射線を照射した後、感放射線レジストを現像することにより、マスク材パターンの一部を覆うように感放射線レジストパターン３０’を形成する。 - 特許庁

Linewidth on an active layer is set so as to be Li in the mask pattern of the first layer, and set so as to be L' in the mask pattern of the second layer, and anisotropic etching using the mask pattern of the second layer and anisotropic etching using the mask pattern of the first layer are successively carried out so that a hat shape gate can be formed by self-align.例文帳に追加

活性層上における線幅を、第１層のマスクパターンではＬｉ、第２層のマスクパターンではＬ’となるように設定し、第２層のマスクパターンを用いた異方性エッチング、第１層のマスクパターンを用いた異方性エッチングを順に行うことにより、ハットシェープゲートをセルフアラインで形成できる。 - 特許庁

After the hard mask patter 70 is formed and before the first side wall 140 is formed, the side surface 52 of the hard mask pattern 70 is inclined in a direction wherein the width of the hard mask pattern 70 becomes narrower upward.例文帳に追加

ハードマスクパターン７０を形成した後、第１のサイドウォール１４０を形成する前に、ハードマスクパターン７０の側面５２を、上に行くにつれてハードマスクパターン７０の幅が狭くなる方向に傾斜させる。 - 特許庁

At the same time, the server reads a mask pattern out of the mask data, calculates the inner product of the mask pattern and the data including the embedded additional information and sends this inner product to the anti-tamper device.例文帳に追加

この時、サーバは、マスクデータからマスクパターンを読み込み、このマスクパターンと付加情報の埋め込まれたデータとの内積を計算し、該内積の計算結果を耐タンパ性デバイスへ送信するようにする。 - 特許庁

For verification of connections of two or more masks, mask position is decided through pattern matching between the mask pattern data of masks and image data, and respective mask images are combined on the basis of these position information pieces.例文帳に追加

２以上のマスクの接続を確認する場合に、マスクのマスクパターンデータと画像データとをパターンマッチングすることによりマスク位置を決め、この位置情報を基にそれぞれのマスク画像を合成する。 - 特許庁

The liquid crystal masking part 14 takes mask pattern data 33 prepared by a control part 27 through an IF board 36, and forms a mask 35 based on the mask pattern data 33.例文帳に追加

液晶マスク部１４は、制御部２７で作成されたマスクパターンデータ３３をＩＦボード３６を介して取り込み、そのマスクパターンデータ３３に基づいてマスク３５を形成するように構成されている。 - 特許庁

This method for correcting the light proximity effect corrects the mask wiring pattern in order to compensate the light proximity effect when forming an etching mask by transferring the mask wiring pattern by photolithography.例文帳に追加

本方法は、フォトリソグラフィによりマスク配線パターンを転写してエッチングマスクを形成する際、光近接効果を補償するためにマスク配線パターンを補正する光近接効果補正方法である。 - 特許庁