「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

By the film mask 4, a pattern high in the degree of freedom is realized, and, by the fine wire 3, a fine pattern is realized.例文帳に追加

フィルムマスク４によって自由度の高いパタンを実現し、細線３によって微細なパタンを実現する。 - 特許庁

PATTERN DEFECT INSPECTION METHOD, PATTERN DEFECT INSPECTING TEST PATTERN BOARD, PATTERN DEFECT INSPECTION DEVICE, PHOTO MASK MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE SUBSTRATE例文帳に追加

パターン欠陥検査方法、パターン欠陥検査用テストパターン基板、及びパターン欠陥検査装置、並びにフォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 - 特許庁

Successively, the fine random hole pattern A is formed by transferring a regular dense hole pattern composed of a pattern C to the pattern L by using the etching mask film as an etching stopper.例文帳に追加

続いて、該エッチングマスク膜をエッチングストッパとして、パターンＣからなる規則正しい密集ホールパターンを転写し、これによって、微細なランダムなホールパターンＡを形成する。 - 特許庁

To simultaneously form a fine line pattern and a thick line pattern using an enhancer mask capable of performing simultaneous formation of a fine isolated line pattern and a dense line pattern.例文帳に追加

微細な孤立ラインパターン及び密集ラインパターンの同時形成が可能なエンハンサマスクを用いて微細ラインパターンと大きいラインパターンとを同時に形成できるようにする。 - 特許庁

After a mold pattern is formed on the first pattern of the floating gate, the first pattern of the floating gate is removed with the mold pattern as a mask for forming the floating gate.例文帳に追加

浮遊ゲートの第1パターン上にモールドパターンを形成した後、モールドパターンをマスクとして露出された浮遊ゲートの第1パターン部分を除去して浮遊ゲートを形成する。 - 特許庁

A pattern generator generate the copy prevention pattern so that a latent image is embedded only in the detected image area in a mask pattern wherein the dot pattern is embedded.例文帳に追加

パターン生成部はドットパターンが組み込まれたマスクパターンに対して検出された画像領域内にのみ潜像画像が埋め込まれるように複写防止パターンを生成する。 - 特許庁

A second pattern fusing part 32 forms an oblique wiring mask pattern by composing a via mat pattern of the verified oblique wiring pattern and via cells followed by fusing in different parts.例文帳に追加

第２図形融合部３２は、検証の済んだ斜め配線図形とビアセルのビアマット図形を合成して重なる部分で融合した斜め配線マスク図形を作成する。 - 特許庁

The pattern of a mask M is exposed on a base plate G through a projection optical system 3.例文帳に追加

投影光学系３を介してマスクＭのパターンを基板Ｇに露光する。 - 特許庁

A predetermined mask pattern is formed on the heat-sensitive layer by exposure and development of the heat-sensitive layer.例文帳に追加

感熱層を露光、現像し、感熱層に所定のマスクパターンを形成する。 - 特許庁

CONFIRMATION DEVICE FOR PATTERN DATA FOR PLOTTING DEVICE IN MASK DATA FOR PLOTTING DEVICE例文帳に追加

描画装置用のマスクデータにおける描画装置用のパターンデータの確認装置 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a levenson type mask forming a fine pattern.例文帳に追加

微細なパターンを形成できるレベンソン型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal mask for achieving the formation of a deposition pattern of high accuracy.例文帳に追加

高精度の成膜パターン形成を実現させるためのメタルマスクを提供する。 - 特許庁

APPARATUS FOR PROJECTING PATTERN ON SUBSTRATE FROM EUV MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

パターンをＥＵＶマスクから基板に投影するための装置およびその方法 - 特許庁

Thereafter, the mask layer (250) is patterned to form a pattern (254) therein.例文帳に追加

その後、マスク層（２５０）はパターニングされて、その内部にパターン（２５４）が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND METHOD FOR GENERATING MASK PATTERN例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造方法およびマスクパターンの生成方法 - 特許庁

METHOD FOR DESIGNING MASK PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME例文帳に追加

マスクパターン設計方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide an X-ray mask comprising a transfer pattern of high precision.例文帳に追加

高い精度を有する転写用パターンを備えるＸ線マスクを提供する。 - 特許庁

The second wafer 1 has a mask pattern 14 for transfer formed on a top side.例文帳に追加

第２のウエハ１は、表側に転写用マスクパターン１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a layout method for a mask capable of securing pattern uniformity.例文帳に追加

パターンの均一性を確保することができるマスクの設計方法を提供する。 - 特許庁

To form a metal mask pattern having a high resistance to etching by using a wet method.例文帳に追加

高エッチング耐性を有する金属のマスクパターンを湿式方法で形成する。 - 特許庁

To provide a mask for electron beam exposure having a highly accurate ultrafine pattern.例文帳に追加

高精度で超微細パターンを有する電子線露光用マスクを提供する。 - 特許庁

The mask pattern and self-aligned photodiode are formed in the substrate.例文帳に追加

前記基板内に前記マスクパターンと自己整列されたフォトダイオードが提供される。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING MASK PATTERN UTILIZING SPATIAL FREQUENCY DOUBLING TECHNIQUE例文帳に追加

空間周波数倍加技術を利用するマスクパターン形成方法および装置 - 特許庁

A pattern mask 13 made of metal is stuck onto the surface of a decoration plate 12.例文帳に追加

装飾板１２の表面上に、金属製のパターンマスク１３を貼着する。 - 特許庁

EVALUATION METHOD, MASK PATTERN CORRECTION METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM例文帳に追加

評価方法、マスクパターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム - 特許庁

PATTERN FORMATION METHOD, MASK REPAIR METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE USING THEM例文帳に追加

パターン形成方法、マスクリペア方法およびこれらを用いたデバイス製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING MASK STRUCTURE AND METHOD OF FORMING FINE PATTERN USING THE SAME例文帳に追加

マスク構造物の形成方法及びこれを利用した微細パターン形成方法 - 特許庁

To perform proper pattern examination of even an eaves shape phase shift mask.例文帳に追加

ひさし型位相シフトマスクについても適切なパターン検査を行えるようにする。 - 特許庁

MASK FOR SPECIFYING SHAPE OF MAGNETIC PATTERN OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気記録媒体の磁化パターン形状規定用マスク及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT USING MASK PATTERN FOR CHANNEL ION IMPLANTATION例文帳に追加

チャンネルイオン注入用のマスクパターンを用いた半導体メモリ素子の製造方法 - 特許庁

PHOTOMASK, METHOD OF FORMING PATTERN USING THE PHOTOMASK, AND METHOD OF CREATING MASK DATA例文帳に追加

フォトマスク、そのフォトマスクを用いたパターン形成方法及びマスクデータ作成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MASK FOR EXPOSING SEMICONDUCTOR DEVICE PATTERN例文帳に追加

半導体装置とその製造方法および半導体装置パターン露光用マスク - 特許庁

Then etching is performed by using the CMP cut-off pattern as the mask for forming trenches.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ遮断パターンをマスクとしてエッチングを行い、トレンチを形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, WIRING PATTERN FORMING METHOD AND MASK WIRING DATA GENERATING METHOD例文帳に追加

半導体装置および配線パターン形成方法、マスク配線データ発生方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING MASK PATTERN FOR ION IMPLANTATION AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

イオン注入用マスクパターンの形成方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁

To obtain a smoother resist pattern without increasing burden in the manufacture of a mask.例文帳に追加

マスク製造の負荷を増加させること無く、より滑らかなレジストパターンを得る。 - 特許庁

The exposure apparatus includes a work stage holding a substrate as an exposure object, a mask stage 1 holding a mask M having a mask pattern as opposing to the substrate, and an irradiating means (exposure illumination optical system) irradiating the substrate with light for mask pattern exposure through the mask M.例文帳に追加

この露光装置は、被露光材である基板を保持するワークステージと、マスクパターンを有するマスクＭを基板に対向させて保持するマスクステージ１と、マスクパターン露光用の光をマスクＭを介して基板に照射する照射手段（露光用照明光学系）とを備えている。 - 特許庁

The detection sensitivity for a mask defect is inspected by using a mask for inspection of defect detection sensitivity having a basic pattern region where a pattern is formed based on the design data of a basic pattern and a defect pattern region where a pattern is formed based on the design data of a defect pattern prepared by adding a specified defect to the basic pattern.例文帳に追加

基本パターンの設計データを基づきパターンが形成された基本パターン領域と、基本パターンに、所定の欠陥を加えた欠陥パターンの設計データを元にパターンが形成された欠陥パターン領域とを備える欠陥検出感度検査用マスクを用いて、マスク欠陥検出感度の検査を行う。 - 特許庁

The photomask comprises a mask substrate, a device pattern arranged on the mask substrate, and one or more focus monitoring patterns arranged in a different position from the device pattern on the mask pattern, wherein the focus monitoring pattern has a sawtooth pattern comprising nearly triangular patterns continuously arranged without a space in one direction in a plan view.例文帳に追加

マスク基板と、このマスク基板上に配置されたデバイスパターンと、マスク基板上のデバイスパターンとは異なる位置に配置された１または２以上のフォーカスモニタパターンとを備え、このフォーカスモニタパターンが、平面で見て略三角形が同一方向に隙間なく連続して配置された鋸歯形状のパターンを有するフォトマスクを用いる。 - 特許庁

Correction based on a work conversion difference depending on a pattern at the time of process using a first resist pattern as a mask is performed for the pattern dimension of a first photomask, and correction based on a work conversion difference depending on a pattern at the time of etching process of a film to be processed by using a mask pattern as a mask is performed for the pattern dimension of the first photomask.例文帳に追加

第１のフォトマスクのパターン寸法に対して、第１のレジストパターンをマスクに用いた加工時のパターンに依存する加工変換差に基づく補正を行い、前記第１のフォトマスクのパターン寸法に対して、前記マスクパターンをマスクに用いた前記被加工膜のエッチング加工時のパターンに依存する加工変換差に基づく補正を行う。 - 特許庁

In a method for making a photomask, a mask pattern 5 is divided into two in the scanning direction of a scanner, and a first division pattern portion 10, consisting of a Levenson type phase shift mask pattern, is formed in one divided region whereas a second division pattern portion 20 consisting of an auxiliary pattern type phase shift mask pattern is formed in the other divided region, thus forming a photomask 1.例文帳に追加

フォトマスク製作工程において、マスクパターン５がスキャナの走査方向で二分割され一方の分割領域にはレベンソン形位相シフトマスクパターンからなる第一分割パターン部１０が、他方の分割領域には補助パターン形位相シフトマスクパターンからなる第二分割パターン部２０が形成されたフォトマスク１が製作される。 - 特許庁

PATTERN SHAPE DETERMINING METHOD, PATTERN SHAPE VERIFYING METHOD, PATTERN CORRECTING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING MASK FOR LITHOGRAPHY, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

パターン形状判定方法、パターン形状検証方法、パターン補正方法、リソグラフィ用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide an exposure mask and a pattern forming method for improving the light intensity distribution of a two-dimensional pattern and forming a fine resist pattern.例文帳に追加

２次元パターンの光強度分布を改善し、良好なレジストパターンを形成できる露光用マスク及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

After a predetermined resist pattern is formed through a plurality of resist-pattern forming processes, the underlayer film is etched with the resist pattern as a mask.例文帳に追加

複数回のレジストパターン形成処理により所定のレジストパターンが形成された後、当該レジストパターンをマスクとして下地膜がエッチングされる。 - 特許庁

To provide a correcting method for a mask pattern which can bring a pattern formed on a wafer through a photolithography process close to a design pattern.例文帳に追加

フォトリソグラフィプロセスを経てウエハ上に形成されるパターンをより設計パターンに近づけることのできるマスクパターンの補正方法を提供する。 - 特許庁