「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD AND SYSTEM FOR EVALUATING EVALUATED PATTERN OF MASK例文帳に追加

マスクの評価すべきパターンを評価するための方法及びシステム - 特許庁

By using the hard mask pattern, the etching object film is etched.例文帳に追加

ハードマスクパターンを用いて上記エッチング対象膜をエッチングする。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR VERIFYING CORRECTION MASK PATTERN例文帳に追加

補正マスクパターン検証装置および補正マスクパターン検証方法 - 特許庁

METHOD OF GENERATING MASK PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

The underlayer material 11 is patterned by using the lower layer pattern 12a as a mask.例文帳に追加

下地材は、この下層パターンをマスクとしてパターニングされる。 - 特許庁

PATTERN TRANSFERRING METHOD, MASK AND EXPOSURE EQUIPMENT USED FOR IT例文帳に追加

パターン転写方法及びそれに用いるマスク並びに露光装置 - 特許庁

PHOTO MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING PATTERN FORMED BODY USING THE SAME例文帳に追加

フォトマスク及びこれを用いたパターン形成体の製造方法 - 特許庁

When the membrane mask is to be manufactured, correction is made according to strain after etching in pattern drawing, in advance at drawing of the mask pattern.例文帳に追加

メンプレンマスク作製において、エッチング後の歪みに応じてあらかじめパターン描画時に補正をしてマスクパターンを描画する。 - 特許庁

An active mask 14 comprises pattern generators 22A-22E.例文帳に追加

アクティブマスク１４には、パターンジェネレータ２２Ａ〜２２Ｅが設けられている。 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION MASK AND THIN FILM PATTERN-FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

蒸着マスクおよびそれを用いた薄膜パターン形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PATTERN LAYOUT AND METHOD FOR GENERATING MASK DRAWING DATA例文帳に追加

パターンレイアウト作成方法及びマスク描画データ作成方法 - 特許庁

STEREO SLIDE MOUNT, STEREO SLIDE VIEWER AND COLLIMATOR PATTERN MASK例文帳に追加

ステレオスライドマウント並びにステレオスライドビューワ並びに視準パターンマスク - 特許庁

METHOD FOR DESIGNING MASK PATTERN AND METHOD FOR DESIGNING SUBSTRATE TO BE EXPOSED例文帳に追加

マスクパターンの設計方法および被露光基板の設計方法 - 特許庁

A mask pattern covering film material for covering a pattern formed on a mask base is also provided which contains a silicone polymer.例文帳に追加

また、シリコーンポリマーを含有する、マスク基盤上に形成されたパターンを被覆するためのマスクパターン被覆膜材料を提供する。 - 特許庁

A first mask pattern is formed on the antireflection film 114, the antireflection film 114 is etched to form a second mask pattern.例文帳に追加

反射防止膜１１４上に第１マスクパターンを介在させ、反射防止膜１１４をエッチングして、第２マスクパターンを形成する。 - 特許庁

CORRECTION METHOD FOR MASK PATTERN, PHOTOMASK, EXPOSURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターンの補正方法、フォトマスク、露光方法、半導体装置 - 特許庁

FORMATION OF MASK PATTERN AND MANUFACTURE OF THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

マスクパターンの形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

This resist pattern is used as a mask, to process the surface of the substrate.例文帳に追加

このレジストパターンをマスクとして、基板の表面を加工する。 - 特許庁

MASK FOR TRANSFERRING PATTERN AND CHARGED PARTICLE BEAM TRANSFER EXPOSURE METHOD例文帳に追加

パターン転写用マスク及び荷電粒子線転写露光方法 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING DESIGN PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING EXPOSURE MASK例文帳に追加

設計パターンの補正方法および露光マスクの製造方法 - 特許庁

In a mask used for the first exposure treatment, the whole surface of the mask for an ordinary pattern corresponding to the ordinary pattern forming area is formed of a light shielding pattern, and in a mask used for the second exposure treatment, the whole surface of the mask for a grating pattern corresponding to the grating pattern forming area is formed of the other light shielding pattern.例文帳に追加

上記第１の露光処理用のマスクにおいて、通常パターン形成領域に対応する通常パターン用マスク部は全面が遮光パターンで形成され、第２の露光処理用のマスクにおいて、グレーティングパターン形成領域に対応するグレーティングパターン用マスク部は全面が遮光パターンで形成される。 - 特許庁

DESIGN PATTERN CORRECTING METHOD, MASK PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, DESIGN PATTERN CORRECTION SYSTEM, AND DESIGN PATTERN CORRECTING PROGRAM例文帳に追加

設計パターン補正方法、マスクパターン作成方法、半導体装置の製造方法、設計パターン補正システム、及び設計パターン補正プログラム - 特許庁

At the time of inspecting a pattern position and performing exposure, the mask 10 is held by an inspection device or an exposure device while the mask 10 is held by the mask frame 20.例文帳に追加

パターン位置検査時と露光時は、マスク１０はフレーム２０に保持されたまま検査装置や露光装置に保持される。 - 特許庁

To provide a mask capable of forming a complicated circuit wiring pattern by mask film deposition, and to provide a method for producing a mask or the like.例文帳に追加

複雑な回路配線パターンをマスク成膜により形成することができるマスク、マスクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To form a highly precise mask pattern-shaped mask on a workpiece, and to highly precisely carry out patterning to the workpiece by using the mask.例文帳に追加

被加工物に高精度のマスクパターンのマスクを形成すると共に、そのマスクを用いて被加工物を高精度にパターニングする。 - 特許庁

The mask M is equipped with: a film mask 120 on which the pattern Pa is formed; and a glass plate 122 onto which the film mask 120 is stuck.例文帳に追加

マスクＭは、パターンＰａが形成されるフィルムマスク１２０と、該フィルムマスク１２０が貼り付けられるガラス板１２２と、を備える。 - 特許庁

To provide an evaluation mask for evaluating by detecting the mask deformation of a thin membrane mask and deformation of a transfer pattern.例文帳に追加

膜厚の薄いメンブレンマスクのマスク変形及び転写パターンの変形を検出し、評価する評価用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a mask in which the deformation of a pattern opening part formed in a unit mask due to a tensile force applied to the unit mask is suppressed, and to provide a mask assembly having the mask.例文帳に追加

単位マスクに加えられる引張力によって単位マスクに形成されたパターン開口部の形状が変形することを抑制したマスク、及びこれを含むマスク組立体を提供する。 - 特許庁

This mask is provided with a mask substrate 10 including a mask layer 3 and a mask pattern 4 having an opening part 5 of the mask tapered off toward a vapor deposition source.例文帳に追加

マスク層３を含むマスク基板１０と、そのマスク層３に形成され、蒸着源に向かって先細りした形状のマスク開口部５を有するマスクパターン４とを備えている。 - 特許庁

To provide an evaluation method for mask pattern capable of evaluating accurately a proximity-effect by considering a change in the amount of flare deteriorating the dimension of the circuit pattern, a pattern correction method and a mask pattern generator.例文帳に追加

パターン評価方法、パターン補正方法及びパターン発生装置に関し、回路パターン寸法を劣化させるフレア量変化を考慮して近接効果を精密に評価する。 - 特許庁

The test mask is one made by drawing a pattern regularly with the same pitch as the minimum pattern pitch of the mask pattern to draw over the drawing field of a pattern drawing system.例文帳に追加

ここで、テストマスクは、パターン描画装置の描画フィールドにまたがって、描画しようとするマスクパターンの最小パターンピッチと同一のピッチで規則的にパターンを描画したものである。 - 特許庁

The reflection type exposing method includes: a step of selecting a specified pattern, for example, a pattern of the smallest size for a trench mask or hole mask provided to the reflection type mask; and a step of measuring the mask size associated with the pattern.例文帳に追加

反射型露光方法は、反射型マスクに設けられるトレンチマスクまたはホールマスクにおいて、特定のパターン、例えば、最も寸法の小さいパターンを選択するステップと、当該パターンについてのマスク寸法を計測するステップとを含む。 - 特許庁

A wafer for evaluation is made in accordance with the correction data of the mask pattern of a mask for evaluation obtained by inputting the design data of the mask pattern of the mask for evaluation to the rule base OPC and the length measurement of the gate pattern of the wafer for evaluation is performed.例文帳に追加

ルールベースＯＰＣに評価用マスクのマスクパターンの設計データを入力することにより、得た評価用マスクのマスクパターンの補正データに基づいて評価用ウェハを製作し、評価用ウェハのゲートパターンの測長を行なう。 - 特許庁

Further, the exposed release layer 22 is removed and after the alignment layer 26 is etched with the mask metal pattern 24 as a mask, the mask metal pattern 24 is removed.例文帳に追加

さらに、露出した剥離層２２を除去すると共に、マスク金属パターン２４をマスクにして配向膜２６をエッチングした後に、マスク金属パターン２４を除去する。 - 特許庁

Then, an amount of pattern correction to the mask patterns according to information with regard to the size of the mask patterns and the average light intensity is calculated for every mask pattern.例文帳に追加

そして、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する。 - 特許庁

If a decision is made that the thin film can be utilized for the pattern along the mask data (Y), a pattern is formed along the mask data for the thin film thus producing a mask (ST17).例文帳に追加

薄膜がマスクデータに沿ったパターンに対して利用可能と判定された（Ｙ）場合には、薄膜に対して、マスクデータに沿ってパターンを形成しマスクを製造する（ＳＴ１７）。 - 特許庁

The method further includes forming of a resist pattern 8 on a hard mask 6, patterning of the hard mask 6 and the low permittivity film 4 with the resist pattern 8 as a mask, and forming of an opening 10.例文帳に追加

ハードマスク６上にレジストパターン８を形成し、このレジストパターン８をマスクとしてハードマスク６と低誘電率膜４をパターニングし、開口１０を形成する。 - 特許庁

A hard mask 108 is formed on the organic insulating film, and a second resist pattern 109 having an opening is formed on the hard mask, thereby forming a hard mask pattern 108a.例文帳に追加

有機系絶縁膜上にハードマスク１０８を形成し、ハードマスク上に開口部を有する第２レジストパターン１０９を形成してハードマスクパターン１０８ａを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THIN FILM ON MASK FOR PRESCRIBING MAGNETIZATION PATTERN SHAPE AND MASK FOR PRESCRIBING MAGNETIZATION PATTERN SHAPE, AS WELL AS METHOD FOR REMOVING SURPLUS THIN FILM OF THE MASK例文帳に追加

磁化パターン形状規定用マスクに対する薄膜形成方法及び磁化パターン形状規定用マスク、並びに磁化パターン形状規定用マスクの余剰薄膜除去方法 - 特許庁

A mask processing means 9 performs mask processing to the expectation pattern 8 based on the output signal observation interval information 7, and outputs expectation pattern 10 after mask processing.例文帳に追加

マスク処理手段９は、出力信号観測間隔情報７に基づき期待値パターン８に対するマスク処理を行い、マスク処理後の期待値パターン１０を出力する。 - 特許庁

First, a photomask 3 to be used for exposure is subjected to the correction of the mask pattern form according to the space between adjacent mask patterns and to the mask pattern form.例文帳に追加

まず、露光時に使用されるフォトマスク３が、隣接するマスクパターン間のスペースと前記マスクパターンの形状に応じて、前記マスクパターンの形状を補正する補正方法を行う。 - 特許庁

To provide an electronic circuit analyzer capable of transmitting items required for mask pattern generation written in a conventional 'mask pattern instruction book' just by delivering an electronic circuit to a mask pattern generator.例文帳に追加

電子回路をマスクパターン生成者に手渡すだけで、従来の「マスクパターン指示書」に記載されていたマスクパターン生成に必要な事項を伝達できる電子回路解析装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent a mask from being broken when carried in or out by preventing wrong detection of whether the mask is present using a pattern of the mask, and confirming that the mask is mounted normally on a mask receiver in a mask stocker.例文帳に追加

マスクのパターンによるマスクの有無の誤検出を防止するとともに、マスクがマスクストッカー内のマスク受けに正常に搭載されていることを確認して、マスクの搬入又は搬出時のマスクの破損を予防する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first mask pattern on a layer to be etched; forming a second mask pattern on the layer to be etched; forming a spacer on the sidewalls of the first mask pattern and the second mask pattern; and etching the layer to be etched on the basis of an etching mask in which the second mask pattern was removed.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法は、被エッチング層上に第1マスクパターンを形成する段階、被エッチング層上に第2マスクパターンを形成する段階、第1マスクパターン及び第2マスクパターンの側壁にスペーサを形成する段階、及び第2マスクパターンが除去されたエッチングマスクを基準に前記被エッチング層をエッチングする段階を含む。 - 特許庁

To improve the shape precision a chemical amplification resist pattern used in the formation of a mask pattern and to enhance the resolution of the resist pattern.例文帳に追加

マスクパタン形成の際に使用される化学増幅レジストパタンの形状精度を良くし、解像性を向上させる。 - 特許庁