「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Light from the pattern of a mask 3 forms a primary image I of a mask pattern via a first image-forming optical system K1.例文帳に追加

マスク３のパターンからの光が、第１結像光学系Ｋ１を介して、マスクパターンの一次像Ｉを形成する。 - 特許庁

To improve the exposure position accuracy of a mask pattern of a photomask.例文帳に追加

フォトマスクのマスクパターンの露光位置精度を向上する。 - 特許庁

A third mask pattern is formed between the first patterns.例文帳に追加

第１のパターン間に第３のマスクパターンを形成する。 - 特許庁

MASK PATTERN CORRECTING METHOD, PHOTOMASK, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM STORED WITH MASK PATTERN CORRECTING PROGRAM例文帳に追加

マスクパターン補正方法、フォトマスク及びマスクパターン補正方法プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - 特許庁

MASK PATTERN WITH HALFTONE PHASE DIFFERENCE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ハーフトーン位相差マスクのマスクパターン及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR AUTOMATICALLY MEASURING ROUNDNESS AND MEASUREMENT APPARATUS FOR MASK PATTERN QUALITY例文帳に追加

丸み自動計測方法、マスクパターン品質測定装置 - 特許庁

PHASE SHIFT MASK AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

位相シフトマスクおよびそれを用いたパターン形成方法 - 特許庁

A photoresist material is developed according to a mask pattern.例文帳に追加

マスク・パターンに従ってフォトレジスト材料が現像される。 - 特許庁

The three-dimensional image on the wafer surface of the mask pattern is obtained.例文帳に追加

マスクパターンの、ウエハ表面における空間像を得る。 - 特許庁

The size of the second mask pattern is reduced by removing a surface part of the second mask pattern by etching.例文帳に追加

第２のマスクパターンの表層部をエッチング除去することにより、第２のマスクパターンの寸法を縮小させる。 - 特許庁

MASK PATTERN VERIFYING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

半導体集積回路装置のマスクパターン検証装置 - 特許庁

HALF-TONE TYPE PHASE SHIFT MASK AND HOLE PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク及びホールパターン形成方法 - 特許庁

EXPOSURE MASK AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

露光用マスクおよびそれを用いるパターン形成方法 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, PROGRAM FOR CORRECTING MASK PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラム、フォトマスクの作製方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF AND MASK PATTERN例文帳に追加

半導体装置およびその製造方法並びにマスクパターン - 特許庁

PRINTED WIRING BOARD MASK PATTERN ASSEMBLY PICTURE PREPARING DEVICE AND PRINTED WIRING BOARD MASK PATTERN ASSEMBLY PICTURE DISPLAY METHOD例文帳に追加

プリント配線板マスクパターン面付図面作成装置およびプリント配線板マスクパターン面付図面の表示方法 - 特許庁

MASK FOR ELECTRON BEAM EXPOSURE AND METHOD OF DESIGNING PATTERN THEREOF例文帳に追加

電子線露光用マスク及びそのパターン設計方法 - 特許庁

DESIGN METHOD OF MASK PATTERN, PHOTOMASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターンの設計方法、フォトマスク及び半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, PHOTOMASK AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパタ−ン補正方法、フォトマスク及び半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MASK PATTERN FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置、及び半導体装置製造用マスクパターン - 特許庁

A first photoresist pattern is formed on the hard mask layer.例文帳に追加

ハードマスク層上に第１フォトレジストパターンを形成する。 - 特許庁

In this process, the pattern face 90a of the mask faces upward.例文帳に追加

このとき、マスクのパターン面９０ａは上向きになる。 - 特許庁

The mask pattern of a phase shift mask has a light shielding pattern and first and second transmitting patterns which transmit exposure light.例文帳に追加

位相シフトマスクのマスクパターンを、遮光パターンと、露光光を透過する第１、第２の透過パターンとから構成する。 - 特許庁

The second region is covered with the mask pattern and the sidewall spacer on the sidewall of the first gate mask pattern is removed.例文帳に追加

第２の領域を、マスクパターンで覆い、第１のゲートマスクパターンの側壁上のサイドウォールスペーサを除去する。 - 特許庁

METHOD FOR INSPECTING PATTERN SHAPE OF TRANSFER MASK FOR ELECTRON BEAM例文帳に追加

電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 - 特許庁

APPARATUS OF FORMING MASK PATTERN, APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING HIGH-RESOLUTION MASK AS WELL AS METHOD OF FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加

マスクパターンの作成装置、高解像度マスクの作製装置及び作製方法、並びにレジストパターン形成方法 - 特許庁

Etching is carried out so that the first mask pattern is left in a region where the first pattern and first mask pattern cross each other and the second pattern is left in a region where the first pattern and second pattern cross each other.例文帳に追加

第１のパターンと第１のマスクパターンが交差する領域に第１のマスクパターンが残留し、第１のパターンと第２のパターンが交差する領域に第２のパターンが残留するようにエッチングを行う。 - 特許庁

A pattern facing the pattern of the solder pad is formed in a mask 96.例文帳に追加

マスク９６には、半田パッドのパターンと相対するパターンが形成されている。 - 特許庁

To provide a gray tone mask capable of improving a pattern shape and pattern accuracy.例文帳に追加

パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。 - 特許庁

MASK FOR PATTERN TRANSFER, PATTERN TRANSFER METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

パターン転写用マスク、パターン転写方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

AUXILIARY PATTERN FORMING METHOD AND AUTOMATIC FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MASK LAYOUT PATTERN例文帳に追加

補助パターン生成方法および半導体マスクレイアウトパターンの自動生成方法 - 特許庁

To provide a gray tone mask capable of improving a pattern feature and pattern accuracy.例文帳に追加

パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。 - 特許庁

EXPOSURE MASK, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND METHOD FOR FORMING THIN FILM PATTERN例文帳に追加

露光用マスク、レジストパターンの形成方法および薄膜パターンの形成方法 - 特許庁

COLOR PIXEL ARRAY PATTERN AS WELL AS ELECTRODE PATTERN AND ELECTRODE MASK USING THE SAME例文帳に追加

色画素配列パターン並びに電極パターン及びそれを用いた電極マスク - 特許庁

GRAY TONE MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK AND GRAY TONE MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

グレートーンマスクブランクとその製造方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 - 特許庁

While the position reference mark 8 is used to detect the position of the mask layer 4, a mask pattern is drawn on the mask layer 4.例文帳に追加

位置基準マーク８をマスク層４の位置検出に用いながら、マスク層４にマスクパターンを描画する。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING DEFECT IN GRAY TONE MASK, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK AND GRAY TONE MASK, AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加

グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING DEFECT IN GRAY TONE MASK, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK, GRAY TONE MASK, AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加

グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 - 特許庁

The mask 1 has a first mask layer 13, and a second mask layer 16 having a printing pattern opening corresponding to a printing pattern, laminated together.例文帳に追加

マスク１は、第１のマスク層１３と、印刷パターンに対応した印刷パターン開口を有する第２のマスク層１６とが積層されている。 - 特許庁

To provide a mask for charged particle exposure in which inner stress generating in a mask pattern formation region can be decreased and a mask pattern can be formed with high accuracy.例文帳に追加

マスクパターン形成領域に生じる内部応力を減少させ、マスクパターンを高精度にできる荷電粒子露光用マスクを提供する。 - 特許庁

In the periphery of a mask pattern 13 or a mask pattern region 14 of the membrane layer 12 which constitutes the mask, a membrane support layer 15 is formed.例文帳に追加

マスクを構成するメンブレン層１２のマスクパターン１３又はマスクパターン領域１４の周辺部に、メンブレン支持層１５が形成されて成る。 - 特許庁

With the mask pattern as a mask, ion is injected to a part which is not covered with the mask pattern in the insulating film to damage the insulating film.例文帳に追加

マスクパターンをマスクとして、絶縁膜のうちマスクパターンで覆われていない部分にイオンを注入することにより、絶縁膜にダメージを与える。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING PATTERN, PATTERN CORRECTING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PATTERN CORRECTING PROGRAM AND DESIGN PATTERN例文帳に追加

パターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、パターン補正プログラム、及び設計パターン - 特許庁

In the method of forming a pattern, a two-layer mask composed of a first mask and a second mask is formed on a film to be worked, and the pattern is formed by etching the film to be worked using the two-layer mask for the mask.例文帳に追加

パターン形成方法において、被加工膜上に、第１のマスクと第２のマスクとからなる２層のマスクを形成し、この２層のマスクをマスクとして被加工膜をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

The charged particle beam exposure mask is a mask composed of a mask board and a pattern formed on it with openings, and the beam exposure mask is equipped with pattern regions 23 and 24 which are complementarily divided and a pattern region 22 which is not complementarily divided on the same mask 21.例文帳に追加

マスク基板に開口によってパターンが形成されている荷電粒子線露光用マスクであって、同一マスク２１内に相補分割されたパターン領域２３，２４と相補分割されていないパターン領域２２を有する。 - 特許庁