「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

MASK PATTERN INSPECTING METHOD FOR ELECTRON BEAM EXPOSURE例文帳に追加

電子線露光用マスクパターン検査方法 - 特許庁

MASK PATTERN CORRECTING SYSTEM AND ITS CORRECTING METHOD例文帳に追加

マスクパタ—ン補正システムとその補正方法 - 特許庁

PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加

位相シフトマスク及びパターン形成方法 - 特許庁

PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR FORMING PATTERN例文帳に追加

位相シフトマスクおよびパターン形成方法 - 特許庁

STENCIL MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN THEREOF例文帳に追加

ステンシルマスク及びそのパターン転写方法 - 特許庁

MASK FOR TRANSFERRING CIRCUIT PATTERN, METHOD FOR FORMING MASK PATTERN, PROGRAM FOR FORMING MASK PATTERN, MASK PATTERN FORMING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

回路パターン転写用マスク、マスクパターン作成方法、マスクパターン作成プログラム、マスクパターン作成装置、半導体装置製造方法および半導体装置製造装置 - 特許庁

PATTERN OBSERVING DEVICE AND MASK INSPECTION DEVICE例文帳に追加

パターン観察装置およびマスク検査装置 - 特許庁

MASK PATTERN EVALUATING SYSTEM AND METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

マスクパターン評価システム及びその方法 - 特許庁

SYSTEM FOR CORRECTING MASK PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置のマスクパターン補正システム - 特許庁

MASK PATTERN VERIFICATION DEVICE AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

マスクパターン検証装置およびその方法 - 特許庁

INSPECTION DEVICE AND METHOD FOR MASK PATTERN例文帳に追加

マスクパターンの検査装置及び検査方法 - 特許庁

METHOD FOR VERIFYING RESULT OF MASK PATTERN CORRECTION, AND APPARATUS FOR VERIFYING RESULT OF MASK PATTERN CORRECTION例文帳に追加

マスクパターン補正結果検証方法およびマスクパターン補正結果検証装置 - 特許庁

MASK PATTERN CORRECTION METHOD, MASK PATTERN CORRECTION PROGRAM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラムおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

STENCIL MASK, METHOD OF MANUFACTURING STENCIL MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

ステンシルマスク、ステンシルマスクの作製方法、及びパターン転写方法 - 特許庁

A first mask pattern (14) is left by etching the first mask film using the reduced second mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

縮小された第２のマスクパターンをエッチングマスクとして、第１のマスク膜をエッチングすることにより、第１のマスクパターン(14)を残す。 - 特許庁

MASK PATTERN AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

マスクパターンおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法 - 特許庁

MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR EVALUATING PATTERN DIMENSION例文帳に追加

マスク、パターン形成方法およびパターン寸法評価方法 - 特許庁

MASK PATTERN CORRECTING METHOD, MASK MANUFACTURING METHOD, MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

マスクパターン補正方法、マスク製造方法、マスクおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, DEVICE FOR CORRECTING MASK PATTERN, RECORDING MEDIUM STORING MASK PATTERN CORRECTING PROGRAM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン補正方法、マスクパターン補正装置、マスクパターン補正プログラムを格納した記録媒体、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

DEVICE FOR GENERATING THINNED-OUT MASK PATTERN, RECORDING DEVICE EQUIPPED WITH THIS DEVICE FOR GENERATING THINNED-OUT MASK PATTERN, METHOD FOR GENERATING MASK PATTERN, PROGRAM AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

間引きマスクパターン生成装置及び当該生成装置を備えた記録装置、マスクパターンの生成方法、プログラム、記憶媒体 - 特許庁

To easily prepare a mask pattern accurately in a short time, the mask pattern allowing formation of a desired pattern on a substrate.例文帳に追加

所望の基板上パターンを形成できるマスクパターンを正確且つ短時間で容易に作成すること。 - 特許庁

To provide a mask pattern correcting method which can prevent a shift in a pattern position due to mask deformation due to gravity, and to provide a mask pattern manufacturing method and a mask.例文帳に追加

重力によるマスクの変形によりパターンの位置がずれるのを防止できるマスクパターン補正方法、マスク製造方法およびマスクを提供する。 - 特許庁

RESIST PATTERN PREDICTION SYSTEM, METHOD FOR PREDICTING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN例文帳に追加

レジストパターン予測システム、レジストパターン予測方法、及びマスクパターン補正方法 - 特許庁

MESH FOR PRINTING PATTERN APERTURE OF MASK, METHOD OF CREATING MESH PATTERN DATA, MASK, TWO-LAYER STRUCTURED MASK, METHOD OF MANUFACTURING MASK AND METHOD OF MANUFACTURING TWO-LAYER STRUCTURED MASK例文帳に追加

マスクの印刷パターン開口用のメッシュ、メッシュパターンデータの作成方法、マスク、２層構造マスク、マスク製造方法及び２層構造マスク製造方法 - 特許庁

MESH FOR PRINTING PATTERN APERTURE OF MASK, MASK, TWO-LAYER STRUCTURED MASK, METHOD OF CREATING MESH PATTERN DATA, METHOD OF MANUFACTURING MASK AND METHOD OF MANUFACTURING TWO-LAYER STRUCTURED MASK例文帳に追加

マスクの印刷パターン開口用のメッシュ、マスク、２層構造マスク、メッシュパターンデータの作成方法、マスク製造方法及び２層構造マスク製造方法 - 特許庁

EVALUATION METHOD FOR MASK PATTERN AND EVALUATION DEVICE例文帳に追加

マスクパターン評価方法及び評価装置 - 特許庁

PATTERN EXPOSURE MASK, PATTERN EXPOSURE METHOD DEVICE, MASK DESIGN METHOD/DEVICE, AND INFORMATION STORAGE MEDIUM例文帳に追加

パターン露光マスク、パターン露光方法／装置、マスク設計方法／装置、情報記憶媒体 - 特許庁

METHOD FOR COMPRESSING MASK PATTERN DATA AND PROGRAM THEREFOR例文帳に追加

マスクパターンデータ圧縮方法及びプログラム - 特許庁

METHOD FOR DESIGNING MASK PATTERN, DEVICE FOR DESIGNING MASK PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン設計方法、マスクパターン設計装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁

MASK PATTERN CREATING DEVICE AND CREATING METHOD例文帳に追加

マスクパターン作成装置および作成方法 - 特許庁

PHASE SHIFTING MASK, PATTERN FORMING METHOD USING THE MASK, AND SOLID-STATE DEVICE PRODUCED BY THE PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

位相シフトマスク、該位相シフトマスクを用いたパタン形成法、該パタン形成法による固体素子 - 特許庁

MASK LAYOUT PATTERN VERIFICATION DEVICE AND ITS METHOD例文帳に追加

マスクレイアウトパターン検証装置及び方法 - 特許庁

PREPARING METHOD FOR MASK PATTERN, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROGRAM FOR PREPARING MASK PATTERN例文帳に追加

マスクパターン作成方法、半導体装置の製造方法およびマスクパターン作成プログラム - 特許庁

METHOD AND STRUCTURE OF PATTERN MASK FOR DRY ETCHING例文帳に追加

ドライエッチング用パターンマスクの方法と構造 - 特許庁

METHOD OF FORMING MASK PATTERN ON SUBSTRATE例文帳に追加

基板上にマスクパターンを形成する方法 - 特許庁

The resist mask width of the check pattern 4 is 2d, while the resist mask width of the check pattern 5 is (2d+l).例文帳に追加

チェックパターン４のレジストマスク幅は２ｄ、パターン５のレジストマスク幅は（２ｄ＋ｌ）である。 - 特許庁

PATTERN TRANSFER MASK, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM FOR FORMING MASK PATTERN例文帳に追加

パターン転写マスク、半導体装置の製造方法、及び、マスクパターン作成用コンピュータプログラム - 特許庁

PATTERN PROCESSOR, PARTIAL/FULL APERTURE MASK, PATTERN PROCESSING METHOD, AND FABRICATING METHOD OF STENCIL MASK例文帳に追加

パターン処理装置、部分一括アパーチャマスク、パターン処理方法およびステンシルマスクの作製方法 - 特許庁

A mask coordinate calculation processing part 11 calculates a start position of the mask pattern to maximize the number of bit ON pixels in a pattern in which the mask operation of a source pattern and the mask pattern is performed, and a mask plotting processing part 12 performs the mask operation of the mask pattern deviated to the start position calculated by the mask coordinate calculation processing part 11 and of the source pattern.例文帳に追加

マスク座標計算処理部１１はソースパターンとマスクパターンをマスク演算したパターンにおけるビットＯＮ画素数が最大になるようなマスクパターンの開始位置を計算し、マスク描画処理部１２はマスク座標計算処理部１１により計算された開始位置にずらしたマスクパターンとソースパターンとをマスク演算する。 - 特許庁

To diminish a mask pattern in pattern width after the mask pattern is formed and also to reduce the cost of plant investment which increases with scaling-down of the mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンを形成した後にそのパターン幅を縮小化できるようにすると共に、マスクパターンの微細化に伴う設備投資コストを低減できるようにする。 - 特許庁

A mask pattern is formed on a substrate, and ion is implanted by using the mask pattern as a mask, thereby forming an amorphous layer.例文帳に追加

基板にマスクパターンを形成し、このマスクパターンをマスクとして、イオンを注入し、非晶質層を形成する。 - 特許庁

To suppress pattern failure caused by a mask blank when a mask is fabricated from the mask blank.例文帳に追加

マスクブランクからマスクを作製する際、マスクブランク起因によるパターン不良を抑制する。 - 特許庁

To suppress a pattern failure caused by a mask blank when a mask is fabricated from the mask blank.例文帳に追加

マスクブランクからマスクを作製する際、マスクブランク起因によるパターン不良を抑制する。 - 特許庁

GRAY TONE MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING GRAY TONE MASK AND GRAY TONE MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

グレートーンマスクブランク、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 - 特許庁

STENCIL MASK BLANK, STENCIL MASK AND PATTERN EXPOSURE METHOD OF CHARGED PARTICLE BEAM USING MASK例文帳に追加

ステンシルマスクブランク及びステンシルマスク並びにそれを用いた荷電粒子線のパターン露光方法 - 特許庁