「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The photomask 11 includes, in a prescribed region, a mask pattern evaluating pattern 13 as well as a mask pattern 12 which takes part in the formation of an element on a semiconductor wafer.例文帳に追加

フォトマスク１１は、半導体ウェハ上への素子形成に関するマスクパターン１２と共にその評価パターン１３を所定領域に含んでいる。 - 特許庁

In a pattern correcting process, a mask pattern to be processed is divided into unit areas (ST21), and the characteristic value of the mask pattern is calculated at every unit area (ST22).例文帳に追加

パターン補正処理では、処理対象となるマスクパターンを単位領域に分割し（ＳＴ２１）、単位領域毎にマスクパターンの特性値を算出する（ＳＴ２２）。 - 特許庁

A resist pattern is formed including a portion of an ineffective pattern region 2 at the peripheral portion of a wafer as well as the effective pattern region 4 when forming the wiring pattern by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとして配線パターンを形成する際に、ウェハ周辺部の無効パターン領域２にもレジストパターンを部分的に形成する。 - 特許庁

This mask 6, which has a pattern part 18 with a pattern and a non-pattern part 19 where no pattern is formed, is provided with a cover part 21 which covers part of the non-pattern part 19 used to convey the mask.例文帳に追加

パターンを有したパターン部１８と、パターンが形成されていない非パターン部１９とを有するマスク６において、非パターン部１９のうち、マスクの搬送に用いられる部分を覆うカバー部２１を設けた。 - 特許庁

To provide a mask pattern verification method, mask pattern generation method, pattern data processor, and program, for fast pattern verification to prevent destruction of a stencil mask using a simple graphic process.例文帳に追加

簡易な図形演算処理を用いて、ステンシルマスクの破壊防止のためのパターン検証を高速に行うことができるマスクパターン検証方法、マスクパターン作成方法、パターンデータ処理装置、およびプログラムを提供する。 - 特許庁

To make the thickness of a mask host small, while preventing breaking of the mask host of a stencil mask and to make a transmission hole pattern formed in the mask host thin.例文帳に追加

ステンシルマスクのマスク母体の破断を防止しつつマスク母体の厚さを薄くして、マスク母体に形成される透過孔パターンを微細化できるようにする。 - 特許庁

The first mask is eliminated (step S104), and then, a second mask is formed as a pattern different from that of the first mask in a second mask forming step (step S105).例文帳に追加

第１のマスクを除去した後（ステップＳ１０４）、第２のマスク形成工程で第２のマスクを第１のマスクと異なるパターンとして形成する（ステップＳ１０５）。 - 特許庁

With the top surface of the second hard mask layer 40 as an etching mask, the second and first hard mask layers 40 and 20 are etched to form a hard mask pattern 60.例文帳に追加

第２ハードマスク層４０の上部をエッチングマスクとして第２及び第１ハードマスク層４０及び２０をエッチングしハードマスクパターン６０を形成する。 - 特許庁

The stencil mask is composed of a first stencil mask 38 having a first linear pattern 32 divided from an L-shaped pattern 22 as a mask pattern and a second stencil mask 40 having a second linear pattern 36 that is the remain of the pattern 22, as a mask pattern.例文帳に追加

本ステンシルマスクは、Ｌ字状パターン２２を第１の線状パターン３２と第２の線状パターン３６とに分割して、第１の線状パターン３２をマスクパターンとして有する第１のステンシルマスク３８と、Ｌ字状パターン２２の残りの部分、つまり第２の線状パターン３６をマスクパターンとして有する第２のステンシルマスクマスク４０とで構成されている。 - 特許庁

METHOD FOR SETTING DESIGN MARGIN OF WAFER PATTERN, METHOD FOR SETTING PATTERN ACCURACY AND METHOD FOR SETTING DESIGN MARGIN OF MASK PATTERN例文帳に追加

ウェハパターンの設計マージン設定方法、パターン精度設定方法およびマスクパターンの設計マージン設定方法 - 特許庁

PATTERN CORRECTION METHOD, PATTERN CORRECTION SYSTEM, PATTERN CORRECTION PROGRAM, METHOD FOR PRODUCING MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

パターン補正方法、パターン補正システム、パターン補正プログラム、マスクの作成方法、および半導体装置の製造方法 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFT MASK, ITS MANUFACTURING METHOD AND METHOD FOR TRANSFERRING MASK PATTERN BY USING SAME例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法及びそれを用いたマスクパターン転写方法 - 特許庁

HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク並びにパターン転写方法。 - 特許庁

In the mask mode, mask pattern read-out control is switched according to the output resolution DPIout.例文帳に追加

マスクモードでは、出力解像度ＤＰＩoutに対応してマスクパタ−ン読出し制御を切換える。 - 特許庁

To provide a mask verifying method for precisely ensuring a finished dimension of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの仕上がり寸法保証を正確に行なうマスク検証方法を提供すること。 - 特許庁

PATTERN TRANSFER FILM, MANUFACTURE THEREOF, FUNCTIONAL MASK AND MANUFACTURE OF FUNCTIONAL MASK例文帳に追加

パターン転写フィルム、パターン転写フィルムの製造方法、機能性マスク、機能性マスクの製造方法 - 特許庁

Further, a pattern is formed on the absorber film of the reflective mask blank to obtain the reflective mask.例文帳に追加

また、この反射型マスクブランクの吸収体膜にパターンを形成して反射型マスクを得る。 - 特許庁

A hard mask film 103 and a first mask pattern 105 are formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１上に、ハードマスク膜１０３と第１のマスクパターン１０５を形成する。 - 特許庁

MASK FOR EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT EXPOSURE, MASK BLANK FOR EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT EXPOSURE, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

極限紫外線露光用マスク、極限紫外線露光用マスクブランク、およびパターン転写方法 - 特許庁

PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN BY USING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

位相シフトマスク、位相シフトマスクを用いたパターンの形成方法および電子デバイスの製造方法 - 特許庁

MASK FOR EXPOSURE TO EXTREME ULTRAVIOLET RAY, BLANK, MANUFACTURING METHOD OF MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

極限紫外線露光用マスク、ブランク、およびマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 - 特許庁

The second mask layer is formed in a pair of line pattern shape with the pair of the sidewall layers as a mask.例文帳に追加

一対のサイドウオール層をマスクにして第２マスク層を一対のラインパターン形状に成形する。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING PATTERN OF PHASE INVERSION MASK AND PHASE INVERSION MASK CORRECTED BY USING THE SAME例文帳に追加

位相反転マスクのパターン校正方法及びこれを利用して校正された位相反転マスク - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加

位相シフトマスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD AND PROGRAM FOR MASK PATTERN CORRECTION例文帳に追加

半導体装置の製造方法、位相シフトマスク、マスクパターン補正方法およびマスクパターン補正プログラム - 特許庁

Then, the magnetic disk 6 is chucked on the mask 2 by vacuum, and a magnetized pattern is formed by using the mask 2.例文帳に追加

その後、磁気ディスク６をマスク２に真空チャックし、該マスク２を用いて磁化パターンを形成する。 - 特許庁

PATTERN CORRECTION METHOD OF REFLECTIVE EXPOSURE MASK, MANUFACTURING METHOD OF REFLECTIVE EXPOSURE MASK AND PROGRAM例文帳に追加

反射型露光用マスクのパターン補正方法、反射型露光用マスクの製造方法およびプログラム - 特許庁

Further, a reflection type mask is obtained by forming a pattern on the absorbing medium of the reflection type mask blank.例文帳に追加

また、この反射型マスクブランクの吸収体膜にパターンを形成して反射型マスクを得る。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for generating a mask pattern for alternating phase-shift mask lithography.例文帳に追加

交番位相シフト・マスク・リソグラフィのマスク・パターンを生成する方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To form a fine pattern without using an auxiliary pattern method and a phase shift mask or the like, and to easily inspect the fault of the mask.例文帳に追加

補助パターン法や位相シフトマスクなどを用いずとも微細パターンの形成が可能で、かつマスクの欠陥検査を容易とする。 - 特許庁

PATTERN-INSPECTION METHOD AND APPARATUS, AND MASK- MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

パターン検査方法、パターン検査装置およびマスクの製造方法 - 特許庁

WIRING PATTERN FORMING METHOD AND MASK USED THEREIN例文帳に追加

配線パターン形成方法および、この方法に用いられるマスク - 特許庁

To provide an etching mask for forming an accurate pattern.例文帳に追加

正確なパターンの形成ができるエッチング用マスクを提供する。 - 特許庁

METHOD OF EVALUATING MASK PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターン評価方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

STENCIL MASK, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF TRANSFERRING ITS PATTERN例文帳に追加

ステンシルマスク及びその製造方法及びそのパターン転写方法 - 特許庁

PROGRAM AND METHOD FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITION AND MASK PATTERN例文帳に追加

露光条件及びマスクパターンを決定するプログラム及び方法 - 特許庁

To obtain a desired mask pattern without decreasing work efficiency.例文帳に追加

作業効率の低下を招くことなく、所望のマスクパターンを得る。 - 特許庁

On the mask 4, a prescribed standard pattern is preformed.例文帳に追加

マスク４には、予め所定の標準パターンが形成されている。 - 特許庁

METHOD OF FORMING MASK PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

Then, using a resist pattern as a mask, the silicon nitride film is patterned .例文帳に追加

そして、レジストパターンをマスクとしてシリコン窒化膜をパターニングする。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING MASK PATTERN例文帳に追加

半導体装置の製造方法およびマスクパターン形成方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR TESTING PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING MASK例文帳に追加

パターン検査方法、パターン検査装置およびマスクの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR INSPECTING MASK PATTERN AND PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターンの検査方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING PATTERN USING TWO ALTERNATING PHASE INVERSION MASK例文帳に追加

二枚の交番位相反転マスクを用いたパターン形成方法 - 特許庁

COLOR PICTURE TUBE HAVING IMPROVED SHADOW MASK APERTURE PATTERN例文帳に追加

改良されたシャドウマスクの開孔パターンを有するカラー映像管 - 特許庁