| 意味 | 例文 |
MASK patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5189件
A mask pattern 4 consisting of a first mask pattern 4a in the shape of a line of with a width WT of 0.15 μm and a second mask pattern 4b in the shape of a line with a width WF of 1.0 μm parallel with the pattern 4a is made on a mask 1.例文帳に追加
マスク1に、線幅W_Tが0.15μmの線形状の第1マスクパターン4a、このパターン4aに平行な線幅W_Fが1.0μmの線形状の第2マスクパターン4bからなるマスクパターン4を形成する。 - 特許庁
A mask pattern having a line width below a stipulated value is selected from mask patterns each projecting from an element region, the distance from the selected mask pattern to an adjacent pattern is calculated and the mask pattern is corrected corresponding to the distance.例文帳に追加
素子領域から突き出すマスクパターンのうち規定値以下になる線幅を有するマスクパターンが選択された後、このマスクパターンに隣り合うパターンまでの距離が算出され、この距離に応じてマスクパターンに補正が施される。 - 特許庁
In this pattern forming method, a first mask pattern 320A is formed in a first region A by patterning a dual mask layer on a substrate 300, and a second mask pattern 320B which is wider than the first mask pattern 320A is formed in a second region B.例文帳に追加
基板300上のデュアルマスク層をパターニングして第1領域Aには第1マスクパターン320Aを形成し、第2領域Bには第1マスクパターン320Aより幅広である第2マスクパターン320Bを形成する。 - 特許庁
To provide a method for correcting a mask pattern for accurately transferring a circuit pattern based on circuit design data, and to provide a mask pattern correction device, a circuit design device and a program for correcting the mask pattern.例文帳に追加
回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置、回路設計装置及びマスクパターンを補正するプログラムマスクパターンを提供する。 - 特許庁
MASK PATTERN MANUFACTURING MACHINE, PROGRAM, AND METHOD, AND MASK MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
マスクパターン作成装置、マスクパターン作成プログラム、マスクパターン作成方法およびマスク製造方法 - 特許庁
When the mask means 80 is at the mask position, a pattern light is projected onto the photographing area.例文帳に追加
マスク手段80がマスク位置にあるとき、撮影領域にはパターン光が投影される。 - 特許庁
MASK, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, METHOD FOR FORMING THIN-FILM PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRO-OPTIC DEVICE例文帳に追加
マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING PROCESS MODEL, METHOD FOR DESIGNING MASK PATTERN, MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
プロセスモデル作成方法、マスクパターン設計方法、マスクおよび半導体装置の製造方法 - 特許庁
The mask pattern is formed by etching a second mask 20 in a second position of the etching chamber 12.例文帳に追加
第2マスク20をエッチング室12の第2位置でエッチングしてマスクパターンを形成する。 - 特許庁
CORRECTION METHOD FOR PHASE SHIFT MASK, PHASE SHIFT MASK, PATTERN TRANSFER METHOD AND WAFER例文帳に追加
位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク及びパターン転写方法並びにウェハー - 特許庁
METHOD OF DESIGNING MASK PATTERN, METHOD OF PRODUCING MASK SET, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
マスクパターンの設計方法、マスクセットの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
An exposure part 16 transfers the mask pattern onto a mask via the transparent EL display 14.例文帳に追加
露光部16は、透明ELディスプレイ14を介してマスク上にマスクパターンを転写する。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING MISALIGNMENT BETWEEN TOP AND BACK PATTERN OF DOUBLE-FACE MASK, AND METHOD FOR PREPARING DOUBLE-FACE MASK例文帳に追加
両面マスクの表裏パターンずれの測定方法および両面マスクの作成方法 - 特許庁
To provide a mask verification method capable of performing an appropriate verification in accordance with a mask pattern.例文帳に追加
マスクパターンに応じた適切な検証を行えるマスク検証方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING MASK, GRATING, MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN, OPTICAL ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
マスクの形成方法、グレーティング、マスク、パターン形成方法、光学素子、及び半導体デバイス - 特許庁
SEMICONDUCTOR MASK, PATTERN SIZE MEASURING INSTRUMENT, MASK DEFECT CORRECTING DEVICE AND WAFER TRANSFER DEVICE例文帳に追加
半導体マスク、パターン寸法測定装置、マスク欠陥修正装置およびウェーハ転写装置 - 特許庁
A masking processing portion 15 uses the mask pattern m1(f, t) to mask the time frequency component X1(f, t).例文帳に追加
マスキング処理部15は、マスクパターンm1(f,t)を用いて時間周波数成分X1(f,t)をマスキングする。 - 特許庁
RESIN FOR ETCHING MASK, COATING MATERIAL FOR ETCHING MASK AND METHOD FOR FORMING PATTERN ON SAPPHIRE SUBSTRATE例文帳に追加
エッチングマスク用樹脂及びエッチングマスク用コート材並びにサファイア基板のパターン形成方法 - 特許庁
METHOD OF CORRECTING MASK PATTERN, PHOTO MASK, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
マスクパターンの補正方法、フォトマスク、半導体装置の製造方法、および半導体装置 - 特許庁
ALIGNMENT METHOD, DESIGN METHOD OF MASK PATTERN, MASK, DEVICE MANUFACTURING METHOD, ALIGNMENT DEVICE, AND EXPOSURE DEVICE例文帳に追加
アライメント方法、マスクパターンの設計方法、マスク、デバイス製造方法、アライメント装置、露光装置 - 特許庁
In the manufacture of the defective mask for inspecting a defect in a pattern transfer mask used in a semiconductor lithography process, the mask pattern 4 that is the same as a pattern transfer mask to be inspected is formed on a mask substrate that becomes the base of the defective mask.例文帳に追加
半導体体リソグラフィ工程にて用いられるパターン転写マスクの欠陥を検査するための欠陥マスクを製造するのにあたり、その欠陥マスクの基となるマスク基板上に、検査対象となるパターン転写マスクと同一のマスクパターン4を形成する。 - 特許庁
The pattern N1 is used as a mask to etch the pattern R1 to form a pattern R2 of the resist film (Fig.7(f)).例文帳に追加
パターンN1をマスクとしてパターンR1をエッチングし、レジスト膜のパターンR2を形成する(図7(f))。 - 特許庁
To obtain a pattern verification-inspection method by which a pattern dimension of a mask pattern is inspected with high accuracy.例文帳に追加
マスクパターンのパターン寸法を精度良く検査することができるパターン検証・検査方法を得ること。 - 特許庁
Instead of the use of the pattern A, an etching mask film is first formed and an auxiliary pattern composed of a pattern L and having a relatively large line width is transferred to the mask film.例文帳に追加
その代わりに、まず、エッチングマスク膜を形成し、そして、パターンLからなる線幅の比較的大きい補助パターンをその膜に転写する。 - 特許庁
To provide a mask pattern correction method and a mask pattern correction apparatus that reduce a correction error associated with flare correction to enhance a dimensional accuracy of a resist pattern.例文帳に追加
マスクパターン補正方法及びマスクパターン補正装置に関し、フレア補正に伴う補正誤差を小さくして、レジストパターンの寸法精度を高める。 - 特許庁
To suppress the shape defects of a pattern that is formed with a resist pattern as a mask.例文帳に追加
レジストパターンをマスクにして形成されるパターンの形状不良を抑制すること。 - 特許庁
To remove a mesh-shaped pattern from a mask image interrupted by the mesh-shaped pattern.例文帳に追加
メッシュ状のパターンで遮蔽されたマスク画像からメッシュ状のパターンを除去する。 - 特許庁
By etching with the first resist pattern 8 as a mask, a connection hole pattern is formed in the inorganic stopper layer 7 and the first insulation film 6.例文帳に追加
第1のレジストパターン8上から有機絶縁膜5をエッチングする。 - 特許庁
Further, the pattern width of the mask pattern arranged on an outermost side is set to 1.1-1.2 times of the pattern width of the mask pattern 14a arranged on the inner side.例文帳に追加
さらに、最外側に配置されているマスクパターン14bのパターン幅は、その内側に配置されているマスクパターン14aのパターン幅の1.1〜1.2倍に設定されている。 - 特許庁
METHOD AND PROGRAM FOR PATTERN DISPLACEMENT ANALYSIS, PATTERN CORRECTION, AND STENCIL MASK MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
パターン変位解析方法、パターン補正方法、ステンシルマスクの製造方法、およびプログラム - 特許庁
To provide a phase shift mask which improves the NILS value of a pattern of ≤50 nm in mask pattern size when the pattern is exposed and a pattern exposing method using the same.例文帳に追加
マスクパターンサイズが50nm以下パターンを露光する場合に、そのNILS値を改善する位相シフトマスクおよび、これを用いたパターン露光方法を提供する。 - 特許庁
The mask 2 is provided with slits in the same pattern as a desired wiring pattern.例文帳に追加
このマスク2には、所望の配線パターンと同一パターンのスリットが設けられている。 - 特許庁
An ion is implanted by using the resist pattern as a mask, and then the resist pattern is removed.例文帳に追加
レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行い、その後、レジストパターンを除去する。 - 特許庁
PHOTOMASK, METHOD FOR PRODUCING MASK PATTERN, AND METHOD FOR FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
フォトマスク、マスクパターンの生成方法、および、半導体装置のパターンの形成方法 - 特許庁
A mask 14 has a pattern area 10 in which a transfer pattern is formed.例文帳に追加
マスク14は、転写パターンの形成されているパターン領域10を有している。 - 特許庁
The photomask is provided with a device pattern having an opening part and a mask pattern and a focus monitor pattern or an exposure monitor pattern which has the opening part and the mask pattern and has the same plane pattern shape with at least one part of region of the device pattern on a photomask.例文帳に追加
フォトマスク上に、開口部とマスク部を有するデバイスパターンと、開口部とマスク部を有し、デバイスパターンの少なくとも一部の領域と同じ平面パターン形状を持つフォーカスモニターパターンまたは露光量モニターパターンを有する。 - 特許庁
A mask projection part 42 projects the mask pattern 28 to respective pattern irradiation images 30 on the basis of the approximate shape data 34.例文帳に追加
マスク投影部42は、概略形状データ34にもとづいてマスクパターン28をパターン照射画像30に投影する。 - 特許庁
To provide a method for designing a mask pattern which can perform strict pattern correction and to provide a mask formed by the method.例文帳に追加
厳密なパターン補正が可能なマスクパターン設計方法及びその方法により形成されるマスクを提供する。 - 特許庁
METHOD FOR GENERATING DRAWING PATTERN DATA AND METHOD FOR DRAWING MASK例文帳に追加
描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法 - 特許庁
DATA PROCESSING UNIT, RECORDING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING MASK PATTERN例文帳に追加
データ処理装置、記録装置およびマスクパターンの製造方法 - 特許庁
Optical image data of a mask in which a pattern is formed is acquired.例文帳に追加
パターンが形成されたマスクの光学画像データを得る。 - 特許庁
TRANSFER METHOD OF RESIST PATTERN AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTO MASK例文帳に追加
レジストパターンの転写方法及びフォトマスクの製造方法 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR FORMING MASK PATTERN, AND COMPUTER PROGRAM例文帳に追加
マスクパターン形成方法及び装置、並びに、コンピュータ・プログラム - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR INSPECTING PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING MASK例文帳に追加
パターン検査方法とその装置およびマスクの製造方法 - 特許庁
To highly accurately transfer a pattern on a mask onto a substrate.例文帳に追加
マスク上のパターンを基板上に高精度で転写する。 - 特許庁
MASK PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
Each stage function of a data agitation section is provided with a pair of the pattern of a mask (a) and the mask pattern which is a reversal of its bit.例文帳に追加
データ攪拌部1の各段関数5において、マスクaのパターンとそのビット反転のマスクパターンのペアが設けられる。 - 特許庁
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