「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR CREATING DESIGN PATTERN DATA, METHOD FOR CREATING MASK PATTERN DATA, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, AND METHOD AND PROGRAM FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

設計パターンデータ作成方法、マスクパターンデータ作成方法、マスク製造方法、半導体装置の方法およびプログラム - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, PATTERN LAYOUT CREATION METHOD AND EXPOSURE MASK例文帳に追加

半導体装置、パターンレイアウト作成方法および露光マスク - 特許庁

MASK PATTERN CORRECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The step transferring the second mask pattern includes a step transferring the second mask pattern to another part 47 of the pixel.例文帳に追加

第２のマスクパターンを転写する工程は、画素内の他の部分４７に第２のマスクパターン部分を転写する工程を含む。 - 特許庁

The resist pattern is removed to manufacture an EUV mask 206.例文帳に追加

レジストパターンを除去してＥＵＶマスク２０６を製造する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING STENCIL MASK, AND METHOD OF TRANSFERRING PATTERN THEREFOR例文帳に追加

ステンシルマスクの製造方法及びそのパターン転写方法 - 特許庁

PATTERN FORMING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD FOR LEVENSON TYPE MASK例文帳に追加

パターン形成方法およびレベンソン型マスクの製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF PRINTING MASK AND DEVICE FOR FORMING PATTERN OF OPENING例文帳に追加

印刷用マスク製造方法及び開口パターン形成装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR INSPECTING MASK PATTERN DIMENSION例文帳に追加

マスクパターン寸法検査方法およびマスクパターン寸法検査装置 - 特許庁

FORMING METHOD OF MASK PATTERN AND MANUFACTURING METHOD OF TFT例文帳に追加

マスクパターンの形成方法およびＴＦＴの製造方法 - 特許庁

PATTERN DRAWING METHOD AND MASK FOR CONTACT X-RAY LITHOGRAPHY例文帳に追加

近接Ｘ線リソグラフィのパターン描画方法およびマスク - 特許庁

The width of the mask pattern other than the determining section is larger than the width W2 over a length direction of the mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの長さ方向にわたって、決定個所以外のマスクパターンの幅は、幅Ｗ２より大きい幅を有する。 - 特許庁

Phosphor is ion-implanted with an oxide film pattern 26 as a mask.例文帳に追加

酸化膜パターン２６をマスクとして燐をイオン注入する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MASK PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING SYSTEM OF MASK PATTERN, CELL LIBRARY, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK例文帳に追加

マスクパターンの作製方法、半導体装置の製造方法、マスクパターンの作製システム、セルライブラリ、フォトマスクの製造方法 - 特許庁

To etch layers to be etched that are masked by mask layers in a predetermined pattern width, while making each pattern width of the mask layer uniform.例文帳に追加

マスク層の各パターン幅を揃えつつ，マスク層によってマスクされる被エッチング層を所定のパターン幅にエッチングする。 - 特許庁

PHASE SHIFT MASK AND HOLE PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

位相シフトマスク及び、それを用いたホールパターン形成方法 - 特許庁

CORRECTION VERIFICATION METHOD AND CORRECTION VERIFICATION PROGRAM FOR MASK PATTERN例文帳に追加

マスクパターンの補正検証方法および補正検証プログラム - 特許庁

The pattern of the mask layer is then transferred to the magnetic recording layer.例文帳に追加

その後、マスク層のパターンを磁気記録層に転写する。 - 特許庁

To accurately project and expose the pattern image of a mask onto a substrate by reducing the influence of the drawing error of the pattern of the mask.例文帳に追加

マスクのパターンの描画誤差の影響を低減してマスクのパターンの像を基板上に正確に投影露光する。 - 特許庁

To provide a mask pattern data generation system/method having no-return work on the matching work of mask pattern data.例文帳に追加

マスクパターンデータの合わせ込み作業に関わる戻り作業のないマスクパターンデータ作成システムおよび方法を提供する。 - 特許庁

After the mask is produced (step ST1), the pattern position of the mask and flatness in measuring of the pattern position is measured (step ST2).例文帳に追加

マスク作製後（ステップＳＴ１）、マスクのパターン位置と、パターン位置の測定時における平面度を測定する（ステップＳＴ２）。 - 特許庁

MASK, PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME, AND LITHOGRAPHY例文帳に追加

マスク、それを用いたパターン形成方法およびリソグラフィ方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PATTERN EXPOSURE, METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING CIRCUIT, PATTERN EXPOSURE MASK, MANUFACTURE OF THE MASK, AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

パターン露光方法及び装置、回路製造方法及びシステム、パターン露光マスク、マスク製造方法、集積回路装置 - 特許庁

The mask pattern 32 is associated with a mask 30 capable of transmitting at least a part of the variably polarized light through said mask pattern.例文帳に追加

マスク・パターン３２は、可変的に偏光された光の少なくとも一部を前記マスク・パターンを通して送ることができるマスク３０に関連している。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PATTERN, PATTERN FORMING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, MASK MANUFACTURING SYSTEM, MASK, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

パターン作成方法及びパターン作成システム、マスク製造方法及びマスク製造システム、マスク、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - 特許庁

Wiring having a mask pattern is formed, and an interlayer insulating-film pattern that fills gaps among the wiring is formed, and then the mask pattern is partially etched to form a mask pattern 470 recessed among the interlayer insulating-film pattern, which is made as a groove.例文帳に追加

マスクパターンを有する配線を形成し、この配線間を埋める層間絶縁膜パターンを形成した後、マスクパターンを部分食刻して層間絶縁膜パターン間にリセスされたマスクパターン４７０を形成しグルーブとする。 - 特許庁

NEAR-FIELD EXPOSURE MASK, METHOD OF PRODUCING THE MASK, NEAR-FIELD EXPOSURE APPARATUS HAVING THE MASK, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

近接場露光用マスク、該マスクの製造方法、該マスクを備えた近接場露光装置及びレジストパターンの形成方法 - 特許庁

HALFTONE EUV MASK, HALFTONE EUV MASK BLANK, MANUFACTURING METHOD OF HALFTONE EUV MASK AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

ハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法及びパターン転写方法 - 特許庁

HALFTONE TYPE EUV MASK, HALFTONE TYPE EUV MASK MANUFACTURING METHOD, HALFTONE TYPE MASK EUV BLANK, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

ハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク及びパターン転写方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN例文帳に追加

ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法 - 特許庁

HALFTONE-TYPE EUV MASK, HALFTONE-TYPE EUV MASK BLANK, PRODUCTION METHOD OF HALFTONE-TYPE EUV MASK, AND PATTERN TRANSFER METHOD例文帳に追加

ハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法及びパターン転写方法 - 特許庁

The mask 100 for semiconductor manufacture as a binary mask such as a chromium mask or a phase shift mask has a pattern transfer area 110 and a pattern massed area 112 is included in the pattern transfer area 110.例文帳に追加

クロムマスクなどのバイナリマスク，または位相シフトマスクである半導体製造用マスク１００は，パターン転写領域１１０を有し，さらにパターン転写領域１１０にはパターン密集領域１１２が含まれている。 - 特許庁

A mask pattern conversion part 15 re-judges a valid pixel on the basis of mask judgement reference information from the enlarged/reduced mask pattern and converts it to the mask pattern composed of binary data indicating only whether or not it is valid.例文帳に追加

マスクパターン変換部１５が、拡大縮小処理されたマスクパターンから、マスク判定基準情報に基づいて有効画素を再判定し、有効か否かのみ示す２値のデータからなるマスクパターンに変換する。 - 特許庁

To provide a mask pattern evaluation device which can accurately extract a hot spot by reflecting the formation result of a mask pattern actually formed on a mask pattern, and the manufacturing method of the photomask.例文帳に追加

フォトマスクに実際に形成されるマスクパターンの出来映えを反映させることにより正確にホットスポットを抽出可能なマスクパターン評価装置及びフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A sacrificial mask pattern for filling the groove is formed, and the interlayer insulating-film pattern is etched using the mask pattern as an etching mask, thereby a self-aligning contact hole that exposes a semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

グルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成し、これを食刻マスクとして層間絶縁膜パターンを食刻して、半導体基板を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The photomask 100 for exposure having a mask pattern 102 and a mask pattern 104 complementing the mask pattern 102 is irradiated with light from a light source, and the mask patterns 102 and 104 are superimposed, as a mask, in the same region of a sample for sample exposure.例文帳に追加

マスクパターン１０２と、マスクパターン１０２を相補するマスクパターン１０４とが形成された露光用フォトマスク１００に光源からの光を照射し、マスクパターン１０２，１０４をそれぞれマスクとして試料の同一領域に重ねて露光する。 - 特許庁

On a photomask substrate, a comparison pattern on a mask whole or a part of which is substantially the same as a circuit pattern on the mask, and an inspection pattern on the mask whole or a part of which is substantially the same as a measurement pattern on the mask are adjacently provided.例文帳に追加

フォトマスク基板上にマスク上回路パターンと全体もしくは一部が実質的に同一のマスク上比較パターンおよびマスク上測定パターンと全体もしくは一部が実質的に同一のマスク上検査パターンを近接して設ける。 - 特許庁

METHOD FOR VERIFYING PATTERN DATA, METHOD FOR CREATING PATTERN DATA, METHOD FOR MANUFACTURING EXPOSURE MASK, AND PROGRAM例文帳に追加

パタンデータ検証方法、パタンデータ作成方法、露光用マスクの製造方法およびプログラム - 特許庁

Then, fluorine-based liquid is supplied to the surface of the resist pattern, and an underground film is etched, using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

そして，その後当該レジストパターンをマスクとした下地膜のエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide a mesa pattern shape of a mesa section, which does not deviate from a mask pattern shape greatly.例文帳に追加

マスクパターン形状から大きく乖離しないメサ部のメサパターン形状を得ること。 - 特許庁

Next, the silicon substrate 11 is etched using the lower resist pattern 22A and the upper resist pattern as a mask.例文帳に追加

下部レジストパターン２２Ａと上部レジストパターンをマスクとしてシリコン基板１１をエッチングする。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of peeling off a mask after forming a minute pattern.例文帳に追加

微小パターン形成後にマスクを剥離することのできるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing a substrate that has a pattern accurately following an exposure mask pattern.例文帳に追加

露光マスクパターンに忠実なパターンが設けられた基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of a film pattern capable of forming a stripe-like pattern film even without using a stripe-like photo mask.例文帳に追加

縞状のフォトマスクを利用せずとも縞状パターン膜を形成できるようにする。 - 特許庁

To prevent size dispersion from occurring in a circuit pattern depending on mask pattern layout.例文帳に追加

マスクパターンレイアウトに依存して回路パターンに寸法ばらつきが生じることを防止する。 - 特許庁