「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a chemically amplified positive resist composition for forming a pattern satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blank, a resist pattern forming method and a photomask using the composition.例文帳に追加

高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the high-voltage C-MOS element, a first oxide film pattern is formed on which a predetermined region of a semiconductor substrate is exposed, a second oxide film pattern is formed on the exposed semiconductor substrate, and ion implantation and annealing are performed with the first oxide film pattern serving as a mask to form a high-voltage deep well region.例文帳に追加

高電圧シーモス素子の製造方法は、半導体基板の所定領域が露出した第１酸化膜パターンを形成して、露出した半導体基板上に第２酸化膜パターンを形成して、第１酸化膜パターンをマスクにしてイオン注入及びアニーリングを遂行して高電圧ディープウェル領域を形成する。 - 特許庁

In addition, it is manufactured through a step for forming a photo resist in plane-symmetrical manner to the glass cloth on both surface of the glass cloth, evenly exposing both surface thereof by means of a mask with a specified pattern, developing the photo resist and forming a specified photo resist pattern on both surfaces thereof, and applying electrolytic plating to form a conductor pattern.例文帳に追加

この電子部品は、ガラスクロスの両面にガラスクロス面対称にフォトレジストを形成する工程、所定のパターンのマスクを介してガラスクロスの両面を同じに露光し、現像してガラスクロスの両面に所定のフォトレジストパターンを形成する工程、及電解メッキを施して導体パターンを形成する工程を用いて製造される。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for inspecting irregularity of a periodic pattern that accurately images and detects the irregularity caused by dimension shift and position shift of several nm order in the periodic pattern, especially in an inspecting object such as a photo-mask for a CCD/CMOS imager where the directivity of the cell pitch or pattern varies.例文帳に追加

周期性のあるパターン、特にＣＣＤ／ＣＭＯＳイメージャー用フォトマスクのようにセルピッチやパターンの方向性が多岐にわたるような被検査体に対し、数ｎｍオーダーの寸法ズレや位置ズレによって生じるムラを高精度に撮像、検出可能な周期性パターンのムラ検査装置、および方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist film from the resist composition on a surface to be processed, and exposing and developing the resist to form a resist pattern, and a patterning step of patterning the object surface by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

An exposure mask to be inspected is used for carrying out pattern exposure to a reference chip under standard exposure conditions, the pattern exposure is carried out to a plurality of inspection chips by changing exposure conditions, and development treatment is made, thus manufacturing a first inspection wafer where the pattern with the same layout is formed in each chip (S1 to S2).例文帳に追加

検査を行う露光マスクを用いてリファレンスチップに対して標準の露光条件でパターン露光を行い、複数の検査チップに対して露光条件を変化させたパターン露光を行った後、現像処理を行うことで各チップに同一レイアウトのパターンを形成してなる第１検査ウエハを作製する（Ｓ１〜Ｓ２）。 - 特許庁

The present invention provides a stencil mask having a membrane group provided with beams 2, a plurality of membranes 1 surrounded by the beams, and opening patterns 5 provided in the membranes, and having five or more membrane groups, with an opening pattern of each membrane group being a complementary division pattern which is a mutually different part of the same pattern.例文帳に追加

本発明は梁２と、梁により囲われた複数のメンブレン１と、メンブレンに設けた開口パターン５と、を備えたメンブレン群を有し、前記メンブレン群を５つ以上有し、各メンブレン群の開口パターンは、同一のパターンの互いに異なる一部である相補分割パターンであることを特徴とするステンシルマスクである。 - 特許庁

Specifically, when superposing a projection image of a mask pattern on a reticle 20 on a transfer pattern on a semiconductor substrate 21 using a reduced projection exposure method, the rotational shift in an exposure shot region is corrected in accordance with a measurement value of a transitional shift in the exposure shot region in a transfer pattern on the semiconductor substrate.例文帳に追加

即ち、縮小投影露光法を用いて半導体基板２１上の転写パターンへレチクル２０上のマスクパターンの投影像を重ね合わせる際に、半導体基板上の転写パターンにおける露光ショット領域の並進シフトの測定値に応じて、露光ショット領域の回転シフトを補正する。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a low dielectric constant insulating film 5 on a semiconductor substrate 1, a step for forming a resist pattern 6 on the low dielectric constant insulating film, a step for etching the low dielectric constant insulating film 5 with the resist pattern as a mask, and a step for peeling the resist pattern 6 by plasma treatment with ammonium ions.例文帳に追加

半導体基板１上に低誘電率絶縁膜５を形成する工程と、低誘電率絶縁膜上にレジストパターン６を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして低誘電率絶縁膜をエッチングする工程と、アンモニウムイオンによるプラズマ処理によってレジストパターン６を剥離する工程と、を備えている。 - 特許庁

In accordance with a difference between the size of an actual pattern obtained by processing under an exposure condition reduced in the change of the pattern size even when the focus of light in exposure is changed or a pivotal point, and a mask pattern size or a pivotal shift, a switching picture for switching whether a substrate processing condition is set or not is indicated to operate the processing device.例文帳に追加

露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換画面を表示して操作する。 - 特許庁

In a mask layout having aperture patterns continuously and discretely disposed, a device pattern having a chevron pattern selectively having a large aperture part can be formed with high controlling property by specifying the pattern pitch P to satisfy 0.69λ/NA≤P≤0.85λ/NA, wherein λ is the exposure light wavelength and NA is the numerical aperture of a projection lens.例文帳に追加

開口パターンを連続的に離散配置したマスクレイアウトにおいて、パターンピッチＰを０．６９λ／ＮＡ≦Ｐ≦０．８５λ／ＮＡ（ここで、λは露光光波長、ＮＡは投影レンズの開口数）とすることで、選択的に大開口部を有するシェブロンパターンを有するデバイスパターンを制御性よく形成することができる。 - 特許庁

The method for printing the pattern on a processing base comprises the steps of placing a screen formed with a screen print pattern mask on the base, then coating the overall surface of the screen with an ink, thereafter spraying the ink by a high pressure gas from a mesh part of the screen to a printer material, and dropping the ink on the base, thereby printing the pattern on the base.例文帳に追加

スクリーン印刷パターンマスクを形成したスクリーンを加工基板上に載せ、その後スクリーンの全面にインクを塗布し、そしてその後、高圧ガスによりインクを前記スクリーンにおけるメッシュ部分から機材に吹き付け、これによりインクを加工基板上に落として、加工基板上にパターン印刷を行うことを特徴とする。 - 特許庁

Two projection lenses are provided on the same surface plate to independently perform two exposures, that is, a cyclic pattern exposure referring to dual-beam flux interference exposure and an ordinary pattern exposure, excluding the cyclic pattern exposure, a mask for each of exposures is provided respectively, and then the respective exposures are performed by a unit of wafer and the wafer is exchanged within a short time.例文帳に追加

同一定盤上に、二光束干渉露光に代表される周期パターン露光と周期パターン露光を含まない通常パターン露光の２つの露光を独立可能とする投影レンズを２本設け、さらに、各露光用のマスクを各々設けて、各露光をウエハ単位で露光処理し、短時間にウエハ交換する。 - 特許庁

Prior to defect correction of the isolated pattern 4, a conductive coil spring 3 is formed at a tip of a conductive probe 1 by a focused ion beam-induced chemical vapor-grown metal film, and the probe is conducted with the isolated pattern 4 while reducing the contact pressure with a mask pattern by the coil spring 3 to prevent the charge-up.例文帳に追加

導電性プローブ1の先端に集束イオンビーム誘起化学気相成長金属膜で導電性のコイルバネ3を形成し、コイルバネ3によりマスクパターンとの接触圧を緩和して孤立したパターン4との導通を取り、チャージアップが起こらないようにしてから集束イオンビーム7で欠陥修正を行う。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes; a resist pattern forming step of forming a resist pattern by forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition, exposing and developing the resist film; and a patterning step of patterning the surface to be processed, by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

To provide pattern width measurement equipment for performing non-destructive measurement without generating seizure on a mask substrate to be measured, and for accurately measuring a pattern width on the substrate to which microfabrication has been performed under the consideration of individual exposure conditions as an effective pattern width in exposure equipment.例文帳に追加

被測定マスク基板に焼き付きを生じさせることなく、非破壊での測定を可能とするとともに、個々の露光条件を考慮して精度良く微細加工処理が施された基板上のパタン幅を露光機における実効的なパタン幅として測定することが可能なパタン幅測定装置を提供する。 - 特許庁

The mask 10 for forming the waveguide is provided with one or more patterns 12 for forming a long size waveguide on a metallic plate 11, and the pattern 12 for forming the waveguide comprises a plurality of pattern opening parts 12a arranged along the longitudinal direction, and bridges 12b arranged between the pattern opening parts 12a and 12a, and the pattern opening part 12a is not provided with meshes.例文帳に追加

導波路形成用マスク１０は、金属板１１に長尺の導波路形成用パターン１２が１本以上設けられ、導波路形成用パターン１２は、長手方向に沿って設けられた複数のパターン開口部１２ａと、これらパターン開口部１２ａ、１２ａ間に設けられたブリッジ１２ｂからなり、パターン開口部１２ａにメッシュは設けられていないものである。 - 特許庁

The photomask has a photomask substrate, a mask pattern formed on the photomask substrate and containing at least one first pattern 11, a plurality of second patterns 12 arranged in a higher density than at least one first pattern, and a connecting part 13 connecting one end of at least one first pattern and each one end of the plurality of second patterns.例文帳に追加

このフォトマスクは、フォトマスク基板と、該フォトマスク基板上に形成されたマスクパターンであって、少なくとも１つの第１のパターン１１と、該少なくとも１つの第１のパターンよりも高い密度で配置された複数の第２のパターン１２と、該少なくとも１つの第１のパターンの一端と該複数の第２のパターンの各々の一端とを接続する接続部１３とを含むマスクパターンとを有する。 - 特許庁

An exposure pattern determination means 15 determines positions, shapes and transmitted light volumes of openings of the reconstructible mask 5 used for exposure on the basis of information capable of specifying the exposure region of the exposure object 7 so as to decide the exposure pattern, and the exposure device 1 exposes the exposure object 7 to light according to the exposure pattern determined by the exposure pattern determination means 15.例文帳に追加

被露光対象物７における露光領域を特定可能な情報に基づいて、露光パターン決定手段１５が再構成可能マスク５の露光に使用される各開口部の位置、各開口部の形状及び各開口部の光の透過量を決定して露光パターンを決定し、露光装置１は決定された露光パターンに従って被露光対象物７を露光する。 - 特許庁

In the exposure method where a mask formed with a desired pattern and an auxiliary pattern having dimensions smaller than those of the desired pattern is illuminated and light passed through the masks are projected to a body exposed through a projection optical system, the body is exposed at a position shifted from a best image focusing position when the auxiliary pattern is resolved.例文帳に追加

所望のパターンと、当該所望のパターンよりも寸法が小さな補助パターンとを有するマスクを照明して当該マスクを経た光を投影光学系を介して被露光体に投影し露光する露光方法において、前記補助パターンが解像されてしまう場合に、最良結像フォーカス位置からずれた位置で前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法を提供する。 - 特許庁

When a step of forming a resist pattern by processing a resist film formed on a workpiece and a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask under a predetermined etching condition are performed, a dimension and a shape (a film thickness and a taper angle) of the formed resist pattern are measured and the etching condition is adjusted based on the measured dimension and shape of the resist pattern.例文帳に追加

被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 - 特許庁

The mask holder for the charged particle beam exposure comprises openings provided, according to an opening pattern of a charged particle beam exposure mask, a charged particle beam irradiating holder member, a charged particle beam emission holder member for sandwiching the mask and recesses in contact portions of the irradiation holder member or the irradiation holder member and the emission holder member with the exposure mask.例文帳に追加

少なくとも荷電粒子線露光用マスクの開口パターンに応じた開口部が設けられ、且つ該マスクを挟み込むための荷電粒子線照射側ホルダ部材と荷電粒子線射出側ホルダ部材とを有し、かつ該荷電粒子線照射側ホルダ部材、または該荷電粒子線照射側ホルダ部材と該荷電粒子線射出側ホルダ部材の、荷電粒子線露光用マスクの接する部分に窪みを設けた荷電粒子線露光用マスクホルダを提供する。 - 特許庁

The first mask layer 13 has a printing part having a printing part opening 4 formed so as to overlap approximately all over a printing pattern opening 2, and a non-printing part which is thinner in thickness than the printing part.例文帳に追加

第１のマスク層１３は、印刷パターン開口２の略全面に重ねて形成された印刷部開口４を有する印刷部と、印刷部よりも厚さの薄い非印刷部とを有する。 - 特許庁

The mask means 80 is supported freely forwards and backwards between a projection position on the projection optical axis and a retreat position toward a photographing means from the projection optical axis, and has a pattern transmitting the light.例文帳に追加

マスク手段８０は、投影光軸上の投影位置と、投影光軸より撮影手段側の退避位置との間を進退可能に支持され、光を透過するパターンを有する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 207 is etched with a resist pattern 208 as a mask, and then an insulation film 206 for preventing Cu diffusion is etched to form a concave portion 220 to expose a lower-layer interconnection 205.例文帳に追加

レジストパターン２０８をマスクとして、層間絶縁膜２０７をエッチングし、さらにＣｕ拡散防止用絶縁膜２０６をエッチングして凹部２２０を形成し、下層配線２０５を露出する。 - 特許庁

To provide a mask data generating method for easily confirming whether an optical proximity effect correction pattern is automatically generated or not in the prescribed part of an arbitrary layer.例文帳に追加

任意のレイヤーの所定の箇所において、光学近接効果補正パターンが自動発生されたか否かを簡単に確認することができるマスクデータ作成方法等を提供する。 - 特許庁

To eliminate adverse effects on the positional precision of a pattern caused by radiant heat as much as possible with respect to a mask for vapor deposition, and to allow it to cope with high precision patterning.例文帳に追加

蒸着用マスクにおいて、輻射熱によるパターン位置精度に対する悪影響を極力排除することができ、高精度なパターニングに対応することを可能にする。 - 特許庁

In a process of exposure, the mask pattern is imprinted to the sensitization material in a state that an aberration of the projection system of the exposing device is adjusted with the combined coma aberration value and the spherical aberration value.例文帳に追加

露光においては、露光装置の投影系の収差を、組み合わせにおけるコマ収差の値と球面収差の値とに調整した状態で、マスクパターンを、感光材に転写する。 - 特許庁

A resist is applied onto the Ni foil, a mask pattern is transcription-exposed thereto, and a portion other than an exposed portion is dissolved and removed to form the Ni foil resistor 11 of a prescribed shape and the pad part 13.例文帳に追加

さらにＮｉ箔にレジストを塗布してマスクパターンを転写露光し、露光された部分以外を溶解除去して所定形状のＮｉ箔抵抗体１１とパッド部１３を形成する。 - 特許庁

To provide a mask image forming a high-density, fine circuit pattern and conducting a more accurate etching so as to be able to allow a connecting terminal location accuracy as much as possible.例文帳に追加

本発明は、高密度高精細な回路パターンを形成し、接続端子の位置精度をできるかぎり許容できるように、より正確なエッチングを行えるマスク画像の提供を目的とする。 - 特許庁

The mask 11 is preferably moved in a direction perpendicular to the progress direction of exposure light, and the resist pattern 13a is preferably provided with a rugged face in accordance with the function of an optical element.例文帳に追加

マスク１１を露光光の進行方向と直交する方向に移動させることが好ましく、レジストパターン１３ａを光学素子の機能に応じた起伏面とすることが好ましい。 - 特許庁

This is the film forming method in which by supplying a liquid material 7 into an opening part 61 of a mask installed on the base material 5, the film 8 of a prescribed pattern is formed.例文帳に追加

本発明の成膜方法は、基材５上に設けられたマスク６の開口部６１内に液状材料７を供給して、所定パターンの膜８を成膜する成膜方法である。 - 特許庁

To providing a method for manufacturing a semiconductor element with a vertical channel transistor, which can minimize losses of a hard mask pattern and a spacer surrounding an upper pillar to prevent attacks to the upper pillar.例文帳に追加

上部ピラーを取り囲むハードマスクパターン及びスペーサの損失を最小化して上部ピラーへのアタックを防止できる垂直チャネルトランジスタを備える半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a fiber grating manufacturing device in simple constitution which apodizes the refractive index modulation pattern of a grating so as to have various function shapes with one apodizing mask.例文帳に追加

１つのアポダイズマスクでグレーティングの屈折率変調パターンを種々の関数形状となるようにアポダイズすることができ、しかも、構成が簡単であるファイバグレーティング製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a metal dummy pattern capable of suppressing the nonuniformity of a transistor characteristic to a maximum extent even though mask displacement is generated, while maintaining a flattening effect of the metal CMP.例文帳に追加

メタルＣＭＰ本来の平坦化効果を維持しつつ、マスクずれが発生してもトランジスタ特性の不均一性を可能な限り抑制し得るような、メタルダミーパターンの構造を提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-manufacturing method for obtaining a selection region at the beginning of design without losing the similarity of a design value even in the transfer of a fined mask pattern.例文帳に追加

微細化されたマスクパターンの転写においても、設計値との相似性を損なうことなく、設計当初の選択領域が得られる半導体製造方法を提供すること。 - 特許庁

Further, an exposure parameter is changed (S3) to obtain a distance between the centers of gravity of a chief opening in a resist pattern and a second opening in the case of exposure using the half tone type phase shift mask (S4).例文帳に追加

露光パラメータを変化させて（Ｓ３）、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いて露光した場合のレジストパターンにおける主開口と第２開口との重心間距離を求める（Ｓ４）。 - 特許庁

The shape (light source shape) of an illuminating light source is set (S206) by controlling a spatial optical modulator 3S based upon designs of the illuminating light source and a mask pattern obtained through optimization calculation for optimizing the illuminating light source.例文帳に追加

照明光源及びマスクパターンの設計に基づいて空間光変調器３Ｓを制御することにより、照明光源の形状（光源形状）が設定される(ステップ２０６)。 - 特許庁

To provide an exposure device that adjusts light intensity distribution of a radiated beam to irradiate a mask with, and is conducive to properly forming a pattern on a substrate; and to provide an exposure method and method for manufacturing a device.例文帳に追加

マスクを照射する放射ビームの光強度分布を調整し、基板への適切なパターン形成に貢献できる露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The resin film 15 is bonded from the pattern transferring film 17 onto a member to be worked to separate the same from the base film 16 whereby the functional mask is formed on the member to be worked.例文帳に追加

このパターン転写フィルム１７から、被加工部材上に樹脂膜１５を接着し、ベースフィルム１６を剥離することにより、被加工部材上に機能性マスクを形成する。 - 特許庁

An upper surface of a part 1a of the side to be first printed of the mask 1 is reduced in thickness by recessing the upper surface, and screen pores 3 are provided in a predetermined pattern at the part 1a.例文帳に追加

マスク１の被印刷板に最初の印刷を行う側の部分１ａを、その上面を窪ませて肉厚を減じると共に該部分１ａに所要のパターンでスクリーン孔３を設ける。 - 特許庁

In the manufacture of the element, the Pt layer is formed by an electroplating method, but at this time, a photoresist pattern is used as a plating mask and the Ru layer is formed as a seed layer.例文帳に追加

誘電体素子の製造においては、該Ｐｔ層を電気めっき法により形成するが、このとき、めっきマスクとしてホトレジストパターンを用い、かつＲｕ層をシード層として形成する。 - 特許庁

MASK FOR VAPOR DEPOSITION, METHOD FOR PRODUCING VAPOR-DEPOSITION PATTERN USING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING SAMPLE OF SEMICONDUCTOR WAFER FOR EVALUATION, METHOD FOR EVALUATING SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 - 特許庁

A mask pattern 206 in which regions of a color to be a key color of chroma key processing are arranged every one line of horizontal resolution is prepared and composited with an image 204 for left eye by digital data processing.例文帳に追加

水平解像度の一ラインおきにクロマキー処理のキー色となる色の領域を配置したマスクパターン２０６を用意し、左眼用画像２０４と、デジタルデータ処理により、合成する。 - 特許庁

A region other than the mask pattern forming region 27 in the amorphous silicon film 23 is kept by a silicon substrate 21 which is a holding member via an SOG film 22 which becomes a bonding material.例文帳に追加

非晶質シリコン膜２３におけるマスクパターン形成領域２７以外の領域は、接着材料となるＳＯＧ膜２２を介して、保持部材となるシリコン基板２１により保持されている。 - 特許庁