「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, leaking light through the mosaic region of the exposure mask can be decreased, which can suppress changes in the pattern line width of a TFT substrate and can reduce display irregularity in a liquid crystal display.例文帳に追加

これにより、露光マスクのモザイク領域からの漏れ光を低減でき、ＴＦＴ基板のパターン線幅の変動を抑制し、液晶表示装置の表示ムラを軽減することが可能になる。 - 特許庁

In an EUV exposure apparatus having a reflective optical system, an EUV mask blank having a chip pattern and a substrate, on which a lower layer film, an intermediate layer film and a negative resist film are formed, are installed.例文帳に追加

反射光学系を有するＥＵＶ露光装置に、チップパターンを有するＥＵＶマスクブランクスと、下層膜、中間層膜及びネガ型レジスト膜が形成された基板とを設置する。 - 特許庁

To provide a lighting optical device in which, when the device is mounted on an exposure system, the polarization level of an illumination light is varied in accordance with a pattern characteristic of a mask, thereby materializing an appropriate lighting condition.例文帳に追加

露光装置に搭載された場合に、マスクのパターン特性に応じて照明光の偏光度を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置。 - 特許庁

To provide a new method for manufacturing a photomask and semiconductor device by which optical proximity effect correction can be carried out without deforming a mask pattern, and to provide an optical proximity effect correction method.例文帳に追加

マスクパターンを変形させることなく光近接効果補正を行える新規なフォトマスク及び半導体装置の製造方法並びに光近接効果補正方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device, whose costs are lower than those of conventional ones, by keeping their producing efficiencies high, and by suppressing the aligning discrepancy between the wafer and the mask pattern of the apparatus.例文帳に追加

生産効率を高く維持すると共にウェハとマスクパターンの合わせずれを大幅に抑制し、より低コストの半導体製造装置及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

An element isolation trench is formed in a semiconductor device via a mask pattern, the element isolation trench is embedded by a dielectric, and subsequently an unneeded dielectric is removed by chemical-mechanical polishing.例文帳に追加

半導体基板中にマスクパターンを介して素子分離溝を形成し、さらに前記素子分離溝を絶縁膜で埋め込んだ後、化学機械研磨して余計な絶縁膜を除去する。 - 特許庁

To improve the dimensional accuracy of a pattern formed on a board by suppressing the reflection of a dimensional error on the board being an object to be exposed during the production of a projection mask.例文帳に追加

投影マスク製造時の寸法誤差が被露光対象である基板上に反映されてしまうことを抑止して、基板上に形成するパターンの寸法精度を向上させる。 - 特許庁

A double refracting crystal board DR as a member having optical anisotropy is provided at the light exit side of a projecting optical system PL for projecting the image of the pattern of a mask on a wafer W.例文帳に追加

マスクのパターンの像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬの光出射側に光学的異方性を有する部材としての複屈折結晶板ＤＲを設ける。 - 特許庁

To provide an inspection device or an inspection method capable of inspecting samples, like a wafer and a mask, having an equivalent circuit pattern formed thereon but different shapes, by using one device.例文帳に追加

ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。 - 特許庁

A resist pattern which includes a region, having a thick film thickness and a region having a thinner film thickness than that of the former region is formed on the reflective electrode, by using a light exposure mask which includes a transflective portion.例文帳に追加

反射電極上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

A resist pattern which includes a region having a thick film thickness and a region having a thinner film thickness than the former region is formed over the reflective electrode by using a light exposure mask which includes a semi-transmission portion on the reflective electrode.例文帳に追加

反射電極上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。 - 特許庁

At first, a resistor heating part 31 is provided on a head chip 29 while being surrounded by a barrier wall 23, an orifice plate 24 is placed thereon and a mask pattern 32-1 of Ti film 32 is formed thereon.例文帳に追加

先ずヘッドチップ２９の上に抵抗発熱部３１、これを囲む隔壁２３、その上にオリフィスプレート２４を積層し、その上にＴｉ膜３２のマスクパタ−ン３２−１を形成する。 - 特許庁

The X-ray mask is used to transfer a pattern onto a resist by X-ray lithography, and includes an X-ray transmissive portion and an X-ray absorption body held by the X-ray transmissive portion.例文帳に追加

本発明のＸ線マスクは、Ｘ線リソグラフィにおいてレジストにパターンを転写するマスクであり、Ｘ線透過部と、Ｘ線透過部により保持されるＸ線吸収体とを備える。 - 特許庁

The mask pattern is configured by a size of about a half of a display screen, is configured by a size of key display or a character unit, or is configured by a plurality of figures.例文帳に追加

そして、前記マスクパターンを、表示画面半分程度の大きさで構成し、または文字単位やキー表示の大きさで構成し、または複数の図形で構成するようにした。 - 特許庁

To provide a pattern layout that can prevent changes in transistor characteristics caused by rounding which generates inside a corner of a diffusive region or a gate wiring and by an alignment error of a mask.例文帳に追加

拡散領域あるいはゲート配線の角部内側に発生する丸まりとマスクの位置合わせ誤差とに起因するトランジスタ特性の変動を防止し得るパターンレイアウトを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a member for transfer which does not cause the disappearance and peeling of wiring due to the internal stress of a plated metal and the infiltration of plating into the boundary between a mask pattern and a conductive substrate.例文帳に追加

金属めっきの内部応力による配線の消失、剥離、およびマスクパターンと導電性基板の間へのめっきの染込みが生じない転写用部材の製法の提供。 - 特許庁

A mask 10 is characterized in that T≤H holds if the thickness of the absorber 16, which is the absorbing film 16a formed into a desired transfer pattern, is T and the depth of the recess 17 is H.例文帳に追加

マスク１０は、吸収膜１６ａを所望の転写パターンに形成してなる吸収体１６の厚さをＴ、凹部１７深さをＨとすると、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a pattern correcting method for a mask for exposure, by which a new OPC(operations planning and control) rule or the like can be created in a short time in case of any change in a unit process after an OPC rule or the like is determined.例文帳に追加

ＯＰＣルール等が決定された後にユニットプロセスに変更が生じても、短時間で新たなＯＰＣルール等を作成できる露光マスクのパターン補正方法を実現すること。 - 特許庁

After ink 12 is supplied to an outer peripheral face 2a1 of a raw material 2a' of a shaft member with ink jetting to form a masking pattern 1, the material surface of a non-mask part 1b is removed by etching.例文帳に追加

軸部材の素材２ａ’の外周面２ａ１にインクジェット法によりインク１２を供給してマスキングパターン１を形成した後、非マスク部１ｂの素材表面をエッチングで除去する。 - 特許庁

To provide a resist material improved in resolution and excellent in resistance to surface roughness and side lobes at the time of using a halftone mask, and a pattern forming method using the resist material.例文帳に追加

解像性を大きく改善し、かつハーフトーンマスク使用時の表面荒れやサイドローブに対する耐性が優れたレジスト材料、及びレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display in which a position shift after positioning of a mask and a substrate is controlled and a pattern deposition of an organic compound layer of an organic light emitting element can be made in a high resolution.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイの製造において、マスクと基板とを位置合わせした後の位置ずれを抑制し、有機発光素子の有機化合物層を高解像度でパターン成膜する。 - 特許庁

To form a pattern in a desired dimension including a dimension smaller than resolution and in a desired shape by exposure using a single mask realizing a phase shift effect.例文帳に追加

位相シフト効果を実現する１枚のマスクを用いた露光によって、解像度程度以下の寸法を含む任意の寸法のパターンを任意の形状について形成できるようにする。 - 特許庁

A first resist film 102 is formed on a substrate 101, and a first pattern exposure which irradiates exposing light on the first resist film 102 through a first mask 103A is carried out.例文帳に追加

基板１０１の上に第１のレジスト膜１０２を形成し、第１のレジスト膜１０２に第１のマスク１０３Ａを介した露光光を照射する第１のパターン露光を行う。 - 特許庁

An AND circuit 8 performs the AND operation of the output data D6 and the mask data D7, and outputs an AND operation result D8 (masked output pattern data) to a set latch 9.例文帳に追加

ＡＮＤ回路８は出力データＤ６とマスクデータＤ７とのＡＮＤ演算処理を行ってＡＮＤ演算結果Ｄ８（マスク処理済み出力パターンデータ）をセットラッチ９に出力する。 - 特許庁

A mask defect inspecting machine obtains EB data 3 (after SUB) corresponding to OPC pattern parts by SUB-calculating the EB data 1 before OPC from the EB data 2 after optical proximity effect correction (OPC).例文帳に追加

光学近接効果補正（ＯＰＣ）後のＥＢデータ２からＯＰＣ前のＥＢデータ１をＳＵＢ演算して、ＯＰＣパターン部分に対応するＥＢデータ（ＳＵＢ後）３を得る。 - 特許庁

To obtain a high-quality phase shift mask with high reliability, suppressing generation of haze on the surface without degrading control of pattern dimensions and a phase difference with higher accuracy.例文帳に追加

より高精度なパターン寸法及び位相差の制御を損なうことなく、表面におけるヘイズの発生を十分に抑止し、信頼性の高い高品質の位相シフトマスクを実現する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition for a thick film, having higher sensitivity and high fidelity to a mask, and to provide a method for manufacturing a thick resist pattern by using the photoresist composition.例文帳に追加

より高感度でマスク忠実性の高い厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物と、当該フォトレジスト組成物を用いた厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The data management device 3 classifies and manages a plurality of masks M based on not an identifier given to each mask M but an identifier id2 given to each layout pattern of the masks M.例文帳に追加

データ管理装置３は、マスクＭ毎に付与された識別子ではなく、マスクＭのレイアウトパターン毎に付与された識別子ｉｄ２に基づいて複数枚のマスクＭを区別して管理する。 - 特許庁

In this method of creation, since the same mask pattern is exclusive-ORed twice, original data is restored; and an original design image is displayed on the completed QR code image.例文帳に追加

この作成方式によれば、同一マスクパターンの排他的論理和が２回とられるので元データが復元され、完成したＱＲコード画像上に元のデザイン画像が表示される。 - 特許庁

It is then developed to form a negative resist pattern which is used as a mask for etching a first conductive layer thus forming a first metallization layer 11a.例文帳に追加

その後、現像処理を施すことによりネガレジストパターンを形成し、これをマスクとして第１導電層にエッチングを施すことにより第１金属配線層１１ａを形成する。 - 特許庁

The metal mask 1 is provided by forming a carving pattern opening 3 in a metallic substrate 2, and the small hole for the identification mark is additionally formed in a place except for a manufacturing place.例文帳に追加

メタルマスク１は、金属製基板２に刻印用のパターン開口３を形成してなるもので、製作場所以外の場所で、追加的に識別マーク用の小孔が形成される。 - 特許庁

To provide a scanning exposure device, an exposure method, and a device manufacturing method capable of improving the shape accuracy of a pattern formed on a substrate using a variable molding mask.例文帳に追加

可変成形マスクを用いて基板上に形成されるパターンの形状の精度を高めることができる走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method for forming the dynamic pressure generating part, ink 12 is supplied to an outer peripheral face 2a1 of a raw material 2a' constituting a shaft member to form the masking pattern 1 and then treating a surface of a raw material of a non-mask part 1b.例文帳に追加

軸部材を構成する素材２ａ’の外周面２ａ１にインク１２を供給してマスキングパターン１を形成した後、非マスク部１ｂの素材表面を処理する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method for using an ion implantation mask which is stable even with a fine pattern without fall to form a good annular ion implantation region.例文帳に追加

微細パターンでも安定して倒れの生じないイオン注入マスクを用い、良好な環状のイオン注入領域を形成することができるイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating the information recording medium includes a step of forming nanorod recording layers on a substrate by sputtering using a mask having a prescribed aspect ratio and a nanorod pattern.例文帳に追加

基板に、所定の縦横比とナノロッドパターンとを有するマスクを利用し、スパッタリング法でナノロッドによるナノロッド記録層を形成する段階を含む情報記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

In the processes of manufacturing a photomask blank before the wiring pattern of a photomask is formed, a mask layer 22 consisting of a nickel film is formed by subjecting a substrate 10 to electroless plating with nickel.例文帳に追加

フォトマスクの配線パタンが形成される前のフォトマスクブランクの製造過程において、基板１０上に、ニッケルの無電解メッキをすることによりニッケル膜よりなるマスク層２２を形成する。 - 特許庁

The measuring apparatus includes a device having a mask structure mechanism 5 including a measurement pattern 6; and a device 10 for detecting and evaluating interference information for indicating an imaging error.例文帳に追加

測定装置は、測定パターン6を含むマスク構造機構5を有する装置と、撮像エラーを示す干渉情報の検出および評価のための装置10を含む測定装置と、を含む。 - 特許庁

Under a condition that the focus position is corrected, the first and second focus monitor patterns formed on a mask as well as a circuit pattern are transferred onto the photoresist film on the second wafer (S114).例文帳に追加

前記フォーカス位置が補正された状態で、前記マスクに形成された第１及び第２のフォーカスモニタパターン、並びに回路パターンを第２のウェハ上のフォトレジスト膜に転写する（Ｓ１１４）。 - 特許庁

Utilizing a fine mask pattern by the photolithography technology, Sn solder 5 covered with an Ag film 6 is fed onto a semiconductor 1 and an electrode pad 3A of a board.例文帳に追加

フォトリソグラフィー技術による微細なマスクパターンを利用して、表面がＡｇ膜６で覆われたＳｎはんだ部５を、半導体１および基板の電極パッド３Ａ上に供給する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein a process pattern is formed on a semiconductor wafer inexpensively without waste and a mask is superposed thereon highly accurately.例文帳に追加

本願課題は、半導体ウエハ上に無駄なく安価にプロセスパターンを形成し、高精度にマスクを重ね合わせることを可能にする半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a technology by which the alternation of a layout pattern from the production side is made unnecessary, the design time can be shortened and the yield can be improved in the method for forming a mask.例文帳に追加

マスクの形成方法において、製造側からのレイアウトパターンの変更をなくし、設計工期を短縮するとともに歩留まりの向上を図ることができる技術を提供する。 - 特許庁

A reflecting pixel electrode 11 (third metal film) and a second transparent conductive film 12 as a layer above it are patterned with the same mask pattern and subjected to a batch wet etching process using the same etchant.例文帳に追加

反射画素電極１１（第３の金属膜）とその上層の第２の透明導電性膜１２を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。 - 特許庁

The focus monitor method uses modified illumination to transfer the pattern of a photo mask 5 for phase shift focus monitor to a photo resist 21b on a semiconductor substrate 21a.例文帳に追加

本発明のフォーカスモニタ方法は、位相シフトフォーカスモニタ用フォトマスク５のパターンを、変形照明を用いて半導体基板２１ａ上のフォトレジスト２１ｂに転写することを特徴とする。 - 特許庁

Since this mask pattern includes a phase component in addition to an amplitude component, in steps 33 and 34, the objective photomask having a phase shifting layer disposed on a transmissivity modulating layer is produced.例文帳に追加

このマスクパターンは振幅成分に加えて位相成分も含んでいるので、ステップ３３および３４で透過率変調層に位相シフト層が積層されたフォトマスクを製造する。 - 特許庁

Next, by etching a photoresist pattern Fr2 formed on the layer insulation film 18 as a mask, a wiring groove 71 larger than the via hole 70 is formed in the internal element region.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１８の上に形成されたフォトレジスパターンＦr2をマスクとするエッチングにより、内部素子領域において、ヴィアホール７０よりも広い配線用溝７１を形成する。 - 特許庁