「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

The structure of the gray level can be worked by controlling the quantity of exposure transmitting the binary mask 60 on the basis of the area ratio of ON/OFF of the dots 61 and exposing a worked body by density corresponding to the area ratio without faithfully reproducing the pattern of dots 61 of the mask 60.例文帳に追加

このドット６１のオン・オフの面積比率により、２値マスク６０を透過する露光量を制御することにより、マスク６０のドット６１のパターンを忠実に再現するのではなく、面積比率に対応した濃淡で被加工体を露光し、グレーレベルの構造を加工することができる。 - 特許庁

The method exposes the photo-resist layer to a pattern image, develops the photo-resist being exposed by using a developer, eliminates a part of the photo-resist not being exposed, and specifies a mask that includes the mask feature with a narrower width than the width of features being processed by another method.例文帳に追加

また、この方法は、フォトレジスト層をパターン像に露出させ、現像剤を用いて露出させたフォトレジスト層を現像し、現像していないフォトレジスト部分を除去して、アルミニウム層に隣接して、別の方法で生成されるよりも狭い幅を有するマスク・フィーチャを含むマスクを規定することを含む。 - 特許庁

Using an exclusive mask wherein test patterns having a same shape and a same size are plurally and repeatedly arranged in the mask blanks corresponding to the chip region, a resist pattern is formed by the processing procedure after the exposure processing of the photoresist on a product wafer changing a focal position for every shot.例文帳に追加

同一形状で且つ同一寸法のテストパターンがチップ領域に対応するマスクブランクス内で複数繰り返し配置された専用マスクを用いて、ショット毎にフォーカス位置を変えながら製品ウエーハ上のフォトレジストを露光処理し、現像処理してレジストパターンを形成する。 - 特許庁

The mask M is provided with small-sized masks M1 to M4, and the mask stage 1 retains a plurality of small-sized masks M1 to M4, such that the sum of effective exposure area of the plurality of small-size masks M1 to M4 becomes larger than the area of one complete pattern which is exposed and transferred to the substrate W.例文帳に追加

マスクＭは複数の小型マスクＭ１〜Ｍ４を備え、且つ、マスクステージ１は、複数の小型マスクＭ１〜Ｍ４の有効露光面積の合計が基板Ｗに露光転写される１つの完成パターンの面積よりも大きくなるように、複数の小型マスクＭ１〜Ｍ４を保持する。 - 特許庁

A divided print mask (corresponding to a conventional frame mold or pattern paper of printing) every color is prepared from trace data of a design and divided print images obtained by applying the divided print mask to colors (displayed on a color coordinating table 12) used for printing are overlapped and the resultant printing image 18 is displayed on a screen.例文帳に追加

図案のトレースデータから色毎の分版マスク（従来の捺染の型枠又は型紙に相当）を作成し、捺染に使用する色（配色テーブル１２に表示）に分版マスクを適用して成る分版イメージを重畳することにより得られる捺染イメージ１８を画面に表示する。 - 特許庁

To provide a mask dimension measuring instrument, capable of measuring the dimension of the minute pattern or hole on a mask in a non destructive and non contact state with high accuracy and also capable of measuring a long dimension not entering a measuring visual field, and a measuring method using the same.例文帳に追加

マスク上の微小なパターンやホールを非破壊、非接触、かつ高精度に、その寸法を測定することを可能にするとともに、計測視野に入らないような長寸法計測をも可能にする測定装置およびそれを用いた測定方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The metal thin film 14 is subjected to reactive ion etching treatment, pattern formation being faithful to the mask 17 is carried out by the ion etching, isotropic etching of a radical is utilized for advancing the etching from the gap between the mask 17 and the metal thin film 14, and the sectional shape of a gate electrode 18 is tapered.例文帳に追加

金属薄膜14をリアクティブ・イオン・エッチング処理し、イオンエッチングによってマスク17に忠実にパターン形成し、ラジカルの等方性エッチングを利用してマスク17と金属薄膜14の隙間からエッチングを進行させ、ゲート電極18の断面形状を肩の落ちたテーパ形状にする。 - 特許庁

Phosphorus 15 is ion-implanted in a P substrate using, as a mask, the silicon nitride films 11, 11a as the mask pattern which has an aperture 11b corresponding to a deep N well forming region and a silicon nitride film 11a like an island corresponding to an IP well forming region 6 within the aperture 11b (a).例文帳に追加

ディープＮウエル形成領域に対応して開口部１１ｂをもち、その開口部１１ｂ内にＩＰウエル形成領域６に対応して島状のシリコン窒化膜１１ａをもつマスクパターンとしてのシリコン窒化膜１１，１１ａをマスクにしてＰ基板１にリン１５をイオン注入する（ａ）。 - 特許庁

To improve characteristics and reliability of an element by simplifying a process by pattering an MTJ cell and a connection layer simultaneously and by preventing generation of metallic polymer or the like by carrying out an etching process by using an insulating film spacer and a hard mask as a mask instead of a photosensitive film pattern.例文帳に追加

ＭＴＪセルと連結層を同時にパターニングすることにより工程を単純化させ、感光膜パターンに代えて絶縁膜スペーサ及びハードマスク層をマスクにエッチング工程を行って金属性ポリマー等の発生を防ぎ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

A photomask 1 comprises a pillar mask base substance 2 made of materials passing exposure light and with at least the circumference partially built in a form of circular arc and a fine pattern 3 whose opening width smaller than the wavelength of the exposure light produced at the circular arc of the circumference of the mask substrate 2.例文帳に追加

フォトマスク１は、露光光を透過する材料で形成されて少なくとも外周面の一部が円弧形状に形成された柱状のマスク基体２と、マスク基体２の外周面の円弧形状部分に形成された露光光の波長以下の開口幅の微細パターン３とを具備する。 - 特許庁

Since a resist is applied to the surface of the wafer 8, the distortion of the optical system 5 can be measured by measuring the shape of the image of the standard pattern of the mask by reproducing the image through the well-known process of developing the resist and etching the wafer 8 by using the remaining resist as a mask.例文帳に追加

ウエハ８の表面にはレジストが塗布されており、レジストを現像して、残ったレジストをマスクとしてウエハ８をエッチングするという周知のプロセスにより、マスク４の標準パターンの像を再現し、その形状を測定することにより、極短紫外線光学系のディストーションが測定できる。 - 特許庁

In this method for manufacturing an optical integrated device by the butt-joint method, a first mask 21 for etching and removing selectively a first semiconductor structure 11 that is formed early is used as a mask pattern of a smaller width L1 that the width L0 of the first layer structure 11.例文帳に追加

バットジョイント法による半導体光集積素子の製造において、先に形成した第１半導体層構造１１に対して選択的なエッチング除去を行うための第１マスク２１を、第１層構造１１の幅Ｌ０よりも狭い幅Ｌ１のマスクパターンとする。 - 特許庁

In the holographic recording apparatus 10, a phase code mask 26 on which a phase code pattern is previously recorded as a hologram is used in a reference optical system 20 and reference light with which a holographic recording medium is irradiated is subjected to phase spatial modulation by the phase code mask 26 in place of a phase spatial light modulator.例文帳に追加

ホログラフィック記録装置１０は、その参照光学系２０に、予め位相コードパターンがホログラムとして記録されている位相コードマスク２６を用い、ホログラフィック記録媒体に照射される参照光を位相空間光変調器に代えて位相空間変調する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium for improving material workability, reducing mask damage even when an organic resist mask is used, reducing change of a pattern size and having stable magnetic characteristics and to provide a manufacturing method thereof by which the magnetic recording medium can be efficiently manufactured.例文帳に追加

有機物レジストマスクを用いた場合でも材料加工性とマスクダメージの低減を両立でき、パターンサイズの変化が少なく、磁気特性が安定した磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁

In the pattern forming method comprising a process for forming the thick film resist layer 25 with a pattern on a substrate 10 by using a mask 30, the thick film resist layer 25 is formed, and then the side faces S of the thick film resist layer 25 are hardened by irradiating the side faces S with an electromagnetic wave.例文帳に追加

マスク３０を用いて基板１０上にパターン付き厚膜レジスト層２５を形成する工程を含むパターン形成方法において、厚膜レジスト層２５を形成した後、厚膜レジスト層２５の側面Ｓに電磁波を照射して側面Ｓを硬化させた。 - 特許庁

A left/right symmetry of a shape of the metal dummy pattern 6 viewed from the center GC of the gate electrode 1 is kept in the region of the gate electrode 1 even if a position of the metal dummy pattern 6 is displaced from its original design caused by the displacement of a mask of wiring.例文帳に追加

配線のマスクずれの発生により、メタルダミーパターン６の位置が設計時からずれた場合であっても、ゲート電極１の領域内において、ゲート電極１の中心ＧＣから見たメタルダミーパターン６の形状は、左右対称性が保たれる。 - 特許庁

To provide a selecting method of an exposing method in which selection of an exposing technique corresponding to a real chip layout design is realized and required gate line width control is attained, when the exposing method is selected to perform pattern transfer for a mask pattern by the selected exposing method.例文帳に追加

露光方法を選択し、選択した露光方法によりマスクパターンのパターン転写を行う際、実チップレイアウト設計に対応した露光技術の選択を可能にし、要求されるゲート線幅制御を達成できる、露光方法の選択方法を提供する。 - 特許庁

In the exposure, the conductor pattern CP3 functions as a mask, but a resolution is reduced so that the resist film RP4 cannot resolve the dimension of the gap GP1, whereby a portion corresponding to the gap GP1 is not formed in the resist pattern RP4a after development.例文帳に追加

露光の際、導体パターンＣＰ３をマスクとして機能させるが、レジスト膜ＲＰ４がギャップＧＰ１の寸法を解像できないような低解像度にしておき、現像後のレジストパターンＲＰ４ａが、ギャップＧＰ１に相当する部分を生じないようにする。 - 特許庁

To reduce variation in pattern size due to density dependency of a pattern to be formed during dry etching processing on a light shield film as compared with a case wherein a conventional photomask blank having a light shield film is used, and to manufacture a mask with higher precision.例文帳に追加

遮光膜のドライエッチング加工時において、従来の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition which can suppress the dimples produced when using a halftone phase shift mask and permits the strict control of the variation of resist pattern sizes per unit temperature in order to cause the thermal flow of the resist pattern after development.例文帳に追加

ハーフトーン位相シフトマスクを用いたときに生じるディンプルを抑制することができ、しかも現像後のレジストパターンを熱フローさせるため、単位温度当りのレジストパターンサイズの変化量を厳密にコントロールできる化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To restrict a reduction in contrast of a pattern caused by unevenness in the film thickness of an etching stepper which is formed on a multilayer film which reflects EUV beams in an EUV beams exposure reflection type mask for use in transferring a pattern in a semiconductor manufacture, or the like.例文帳に追加

半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるＥＵＶ光露光用反射型マスクにおいて、ＥＵＶ光を反射する多層膜上に成膜されるエッチングストッパー層の膜厚のむらに起因するパターンのコントラスト低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of easily grasping the size of a resist pattern by an optical proximity effect even when the code pattern arrangement of a mask ROM is especially diversified and the number of code data of a cell part is enormously increased, a method for manufacturing the semiconductor device and a reticule.例文帳に追加

特にマスクＲＯＭにおいて、コードパターン配置が多様化し、セル部コードデータの数が膨大になっても、光近接効果によるレジストパターン寸法を容易に把握することができる半導体装置、半導体装置の製造方法あるいはレチクルを提供する。 - 特許庁

When a fusible body is formed on a substrate, a process for forming a resist pattern having an opening of a shape corresponding to the fusible body on the substrate and a process for applying a fusible body paste on the substrate with the resist pattern as a mask.例文帳に追加

基板上に可溶体を形成するに際し、前記可溶体に対応する形状の開口部を有するレジストパターンを前記基板上に形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記基板上に可溶体ペーストを塗布する工程とを行うことを特徴とする。 - 特許庁

A photoresist 17 is coated on the substrate, the photoresist 17 is exposed by a laser beam 15 of an electron beam 21 to record a signal, a pattern is formed by developing the photoresist 17 so as to be dry-etched using the pattern as a mask, and the stamper is manufactured by removing the photoresist 17 by ashing.例文帳に追加

この基板にフォトレジスト１７を塗布し、レーザ光１５または電子ビーム２１で露光して信号を記録し、現像してパターンを形成し、このパターンをマスクにしてドライエッチングを行い、アッシングによりフォトレジスト１７を除去してスタンパを作製する。 - 特許庁

To provide a method of forming a fine mask pattern in which the pattern, in which there is no remaining film on a base material or which is thin, can be formed, and to provide a nanoimprint lithography method which can perform precise and easy lithography process on the base material, and to provide a method of manufacturing a microstructure.例文帳に追加

基材上に残膜がないまたは薄いパターンを形成可能な微細マスクパターンの形成方法、基材に対して精度よくかつ容易にリソグラフィ加工が可能なナノインプリントリソグラフィ方法および微細構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The irradiation of the composition with radiations through a pattern mask decomposes the components (C) and (A) at the irradiated part to produce a difference in refractive index between the irradiated part and the unirradiated part, thus forming a pattern different in refractive index.例文帳に追加

この組成物にパターンマスクを介して放射線を照射することにより、放射線照射部の上記（Ｃ）成分および（Ａ）成分が分解し、放射線照射部と放射線未照射部との間に屈折率の差を生じ、屈折率が異なるパターンが形成される。 - 特許庁

The required circuit wiring pattern 2 is formed on the surface of the multilayered circuit board 1, and a mask 5, which is used for boring a connection opening 3 necessary for mounting of parts or connection to the other circuit board in a prescribed part of the circuit wiring pattern 2, is formed.例文帳に追加

多層回路基板１の表層に所要の回路配線パタ−ン２を形成し、この回路配線パタ−ン２の所定箇所には部品実装又は他の回路基板との接続に必要な接続用開口部３を形成する為のマスク５を形成する。 - 特許庁

Then, a resist pattern RP1 having an opening 28a at the location wherein a gate pad electrode is to be formed is formed on the surface protective film, and an opening 29a is formed in the surface protective film by etching the surface protective film using the resist pattern RP1 as the etching mask.例文帳に追加

それから、ゲートパッド電極形成予定位置に開口部２８ａを有するレジストパターンＲＰ１を表面保護膜上に形成し、レジストパターンＲＰ１をエッチングマスクとして表面保護膜をエッチングすることで表面保護膜に開口部２９ａを形成する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, capable of forming a fine pattern with high accuracy, without requiring a hard mask, further simplifying the formation step than conventionally, and reducing the manufacturing cost of the semiconductor device, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device and the semiconductor device.例文帳に追加

ハードマスクを必要とせずに、微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

In a first etching step of a method for forming metallic pattern, about 1/6 of the top portion of a lower electrode forming film 17A is etched with a mixed gas of chloride supplied at a flow rate of 0.09 slm and Ar supplied at a flow rate of 0.01 slm by using a resist pattern 18 as a mask.例文帳に追加

第１のエッチング工程において、流量０．０９ｓｌｍの塩素と流量０．０１ｓｌｍのＡｒとの混合ガスを用いて、レジストパターン１８をマスクとして下部電極形成膜１７Ａの上部の６分の１程度に対してエッチングを行なう。 - 特許庁

This manufacturing method includes the following process: a lower conducting film is formed on a semiconductor substrate, and a lower sacrificial film pattern and an upper sacrificial film pattern, which are laminated, is sequentially formed on the lower conducting film; then a mask spacer is formed on the sidewalls of the sacrificial film patterns.例文帳に追加

この方法は、半導体基板上に下部導電膜を形成し、その結果物上に順次に積層された下部犠牲膜パターン及び上部犠牲膜パターンを形成した後に、上部及び下部犠牲膜パターンの側壁にマスクスペーサを形成する段階を含む。 - 特許庁

For instance, higher wafer temperature during etching in the wafer region with the width of the resist pattern as the mask formed larger comparing to the other wafer region is capable of reducing the variations in the pattern width within the wafer surface of the film to be etched.例文帳に追加

例えば、マスクであるレジストパターン幅が他のウエハ領域に比べ大きく形成されたウエハ領域は、エッチング時のウエハ温度を他の領域より高くすることによって、被エッチンング膜のウエハ面内におけるパターン幅ばらつきを小さくすることが可能となる。 - 特許庁

Each of the pixel groups is composed of a pixel pattern including a plurality of pixels which have mutually different vertical can horizontal positions and the mask member has an aperture pattern including a plurality of aperture parts having mutually different horizontal and vertical positions.例文帳に追加

各画素群は、互いに垂直方向位置および水平方向位置が異なる複数の画素を含む画素パターンで構成され、かつマスク部材は、互いに水平方向位置および垂直方向位置が異なる複数の開口部を含む開口パターンを有する。 - 特許庁

To obtain satisfactory connection by preventing the end part of a pattern from becoming a reversely tapered shape at the time of forming the pattern by etching off the insulating film arranged under a wiring while using the wiring as a mask and by suppressing the step cutting of a connecting elec trode which is to be provided on the end part.例文帳に追加

配線の下に配置された絶縁膜を該配線をマスクとしてエッチング除去してパターン形成する際に、該パターン端部が逆テーパ形状となることを防ぎ、その上に設けられる接続電極の段切れを抑制して良好な接続を得る。 - 特許庁

Here, detection sensitivity of each of the optical detectors is adjusted by interposing a filter 40 of which the transmittance varies corresponding to the number of the transmission parts of each mask pattern (the transmission bit number) and the bit pattern of the signal light is identified by comparing the respective detected light intensity values with each other.例文帳に追加

このとき各マスクパターンの透過部の個数（透過ビット数）に応じて透過率が異なるフィルター４０を介することにより各光検出器の検出感度を調整し、各々の光検出強度を比較して信号光のビットパターンを特定する。 - 特許庁

A standard pattern using a wavelength as a parameter for the differential value of interference light with reference to the prescribed step of a first material to be treated and a standard pattern using a wavelength as a parameter for the differential value of interference light with reference to the prescribed mask residual film thickness of the material to be treated are set.例文帳に追加

第１の被処理材の所定段差に対する干渉光の微分値の、波長をパラメータとする標準パターンと被処理材の所定マスク残膜厚さに対する干渉光の微分値の、波長をパラメータとする標準パターンを設定する。 - 特許庁

Thereby, any undercut is not produced on an interface between the inter-layer dielectric film pattern and the mask pattern by the protection film spacer in a cleaning process to be made before the conductive film for the pad is formed, any void is not formed in the conductive film when evaporating the conductive film for the pad.例文帳に追加

これにより、パッド用導電膜の形成前に行う洗浄工程で保護膜スペーサによって層間絶縁膜パターンとマスクパターンとの界面にアンダーカットが発生せず、パッド用導電膜の蒸着時に導電膜内にボイドが形成されない。 - 特許庁

This stencil mask is provided with: a support formed with an opening; an etching stopper layer pattern-formed on the support; and a thin film formed with a transfer penetration pattern on the etching stopper layer wherein the surface or the whole surface of the support part and the thin film is oxidized.例文帳に追加

開口部が形成された支持部と、支持部上にパターン形成されたエッチングストッパ層と、エッチングストッパ層上に転写貫通パターンが形成された薄膜層と、を備え、支持部及び薄膜層の表面もしくは全面が酸化されたことを特徴とするステンシルマスク。 - 特許庁

The silicon mask M for depositing a thin film having a prescribed pattern for a substrate to be formed with the film has an opening 20 corresponding to the prescribed pattern and a detection section 15 where the forming state when forming the opening 20 is detectable on a silicon base material S.例文帳に追加

被成膜基板に対して所定パターンを有する薄膜を形成するためのシリコンマスクＭが、シリコン基材Ｓ上に、所定パターンに対応する開口部２０と、開口部２０を形成する際の形成状態を検知可能な検知部１５と、を備える。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PARTITIONING PATTERN FOR WRITING, METHOD FOR WRITING, METHOD FOR MAKING MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, PROGRAM FOR PARTITIONING PATTERN FOR WRITING AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM RECORDED WITH THE PROGRAM例文帳に追加

描画用パターンの分割処理方法、描画用パターンの分割処理装置、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 - 特許庁

In manufacturing a semiconductor device using the resist pattern 5 formed on a silicon substrate 1 as a mask, the resist pattern 5 is subjected to graphite treatment by means of catalytic effects of liquid metal in a liquid metal reservoir 6 (for example, gallium, indium or gallium-indium alloy).例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたレジストパターン５をマスクとして用いて半導体デバイスを製造する際に、レジストパターン５を液体金属溜め６内の液体金属（例えば、ガリウム、インジウム又はガリウムインジウム合金）の触媒効果を用いてグラファイト化処理する。 - 特許庁

To provide an aligning method and an aligner that the dimension of a pattern formed on a substrate is uniformized in each projecting area at the time of transferring the image of the pattern formed on a mask through plural projection optical systems to the substrate.例文帳に追加

複数の投影光学系を介してマスクに形成されたパターンの像を基板上に転写するに際し、基板上に形成されるパターンの寸法が各投影領域において均一化できる露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a halftone phase shift mask, having a light shielding film in which a semitransparent phase shift film pattern can be formed, without being influenced by the dimensional accuracy of the light-shielding film pattern and proper dimensional accuracy can be obtained.例文帳に追加

遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、半透明位相シフト膜パターンが、遮光膜パターンの寸法精度の影響を受けずに形成ができ、寸法精度が良好であるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

At the time of transferring a pattern by using a complementarily divided mask 4, alignment marks 3a and 3b are put on the scribed line 2 of a wafer 1 to be exposed and, at the same time, commonly used by adjacent original pattern regions in a shared state.例文帳に追加

相補分割マスク４を用いてパターン転写を行うのにあたり、被露光体であるウエハ１のスクライブライン２上にアライメントマーク３ａ，３ｂを配するとともに、隣り合う原パターン領域同士でスクライブライン２上のアライメントマーク３ａ，３ｂを共有する。 - 特許庁

In the screen mask 11, the cream solder 16 is coated via a pattern hole 11a formed corresponding to a land 15a on the land 15a formed on a mounting substrate 15, and a size L_1 of the pattern hole 11a is set larger than the size L_2 of the land 15a.例文帳に追加

実装基板１５に形成されたランド１５ａ上に、ランド１５ａに対応して形成されたパターン孔１１ａを介してクリーム半田１６を塗布するスクリーンマスク１１であって、パターン孔１１ａの大きさＬ_1をランド１５ａの大きさＬ_2よりも大きくする。 - 特許庁