「MASK pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

The exposure mask comprising a first layer portion 13 provided with an opening pattern 13a and a second layer portion 14 provided with an opening pattern 14a which are laminated, wherein the opening patterns 13a and 14a are disposed in a state of partly intersecting with each other.例文帳に追加

開口パターン１３ａが設けられた第１層部分１３と、開口パター１４ａが設けられた第２層部分１４とを積層してなる基板１２を備えた露光マスク１０であり、開口パターン１３ａと開口パターン１４ａとは、部分的に交差させた状態で配置されている。 - 特許庁

To provide a wiring board where a high conductive circuit pattern is formed on a substrate without need of generation of a private mask and a complicated process and the conductor layer of the conductive circuit pattern can sufficiently be formed, and to provide a manufacturing method of the wiring board.例文帳に追加

専用マスクの作成や複雑な工程を必要とすることなく、基板上に高度な導電性の回路パターンが形成され、また、導電性の回路パターンの導体層を良好に形成することができる配線基板および配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a metallic layer 8a, which constitutes a part of a foundation metal BLM for a CCB bump, is processed by using a resist pattern 13 as a mask, a hydrophobic fluoride layer 12 is formed by plasma processing using fluorine gas in a surface of a PIQ film 9b while leaving the resist pattern 13.例文帳に追加

ＣＣＢバンプ用の下地金属ＢＬＭの一部を構成する金属層８ａをレジストパターン１３をマスクとして加工した後、レジストパターン１３を残したままＰＩＱ膜９ｂの表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理によって、疎水性のフッ化物層１２を形成する。 - 特許庁

The exposure mask 56A is formed, in such a way that a light-shielding pattern 55, placed on regions KO, K1 with higher heat capacity has a larger shape, has lower distribution density, or has a larger shape and lower distribution density, as compared with a light-shielding pattern 55 placed on a region K2 with lower heat capacity.例文帳に追加

この露光マスク５６Ａは熱容量が大きい領域Ｋ０，Ｋ１に置かれる遮光パターン５５が、熱容量が小さい領域Ｋ２に置かれる遮光パターン５５に比べて、形状が大きいか、配置密度が小さいか、形状が大きく且つ配置密度が小さいか、のいずれかに形成される。 - 特許庁

In a mask for exposure having a pattern forming surface comprising a light transmissive portion and a light shielding portion, the pattern forming surface has a rugged shape corresponding to the rugged shape of a surface to be exposed in a portion including at least the boundary between the light transmissive portion and the light shielding portion.例文帳に追加

露光用マスクは、光透過部分と光遮蔽部分とからなるパターン形成面を有する露光用マスクにおいて、パターン形成面は光透過部分と光遮蔽部分との少なくとも境界を含む部分に被露光面の凹凸形状に対応した凹凸形状を有する。 - 特許庁

In the mask body 20, pattern regions 30 of six faces composed of a plurality of through holes 31 are arranged at the position corresponding to the opening 11 of the frame body 10 rectangularly as the whole, and the through holes 31 for passing vapor deposition materials are arranged at each pattern region 30.例文帳に追加

マスク本体２０には、枠体１０の開口１１に対応する位置に、複数の通過孔３１からなる６面のパターン領域３０が全体として矩形状に配置され、各パターン領域３０には蒸着材料通過用の通過孔３１が配列されている。 - 特許庁

Structure of the integrated circuit package carrier 10 is provided with a substrate 10, a conductor pattern which is composed of a plurality of copper wires and set on a single surface or both surfaces of the substrate 10, and a solder mask 30 for covering a prescribed part of the conductor pattern and a plurality of connective connection bodies 40.例文帳に追加

集積回路パッケージキャリア１の構造は、基板１０と、複数の銅導線からなり基板１０の片面または両面に設置される導体パターンと、導体パターンの所定部分および複数の導接体４０を被覆するためのソルダマスク３０とを有している。 - 特許庁

By irradiating the composition with radiation through a pattern mask, the above component (C) and the component (A) in the irradiated part are decomposed to produce a difference in the refractive index between the irradiated part and the non- irradiated part to form a pattern having different refractive indices.例文帳に追加

この組成物にパターンマスクを介して放射線を照射することにより、放射線照射部の上記（Ｃ）成分および（Ａ）成分が分解し、放射線照射部と放射線未照射部との間に屈折率の差を生じ、屈折率が異なるパターンが形成される。 - 特許庁

To provide a foreign matter inspection device capable of reducing the overlooking of a foreign matter while reducing the erroneous detection due to the scattered or diffracted light from a pattern in the inspection of the foreign matter on a substrate on which the pattern such as a reticle or a mask is formed, and a foreign matter inspection method using it.例文帳に追加

レティクルやマスクなどパターンが形成された基板上の異物検査において、パターンからの散乱や回折光による誤検出を低減しながら、かつ、異物の見逃しも低減することができる異物検査装置および異物検査方法を提供する。 - 特許庁

After a chemical amplification resist is applied on a semiconductor substrate 10 to form a resist film 11, the resist film 11 is irradiated with ArF excimer laser light 13 through a mask 12 for pattern exposure, and the pattern exposed resist film 11 is heated (PEB: post exposure baking).例文帳に追加

半導体基板１０の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対して、マスク１２を介してＡｒＦエキシマレーザ１３を照射して、パターン露光を行ない、その後、パターン露光されたレジスト膜１１に対して加熱（ＰＥＢ）を行なう。 - 特許庁

Thereafter, the photosensitive resist 6 on the wiring pattern 2 and in the through hole 5 exposed simultaneously through irradiation of UV- rays at the time of curing the negative photosensitive resist 11 is developed and removed and a protective plating layer is formed on the wiring pattern 2 and the through hole 5 using the photosensitive resist 11 as a mask.例文帳に追加

続いてネガ型の感光性レジスト１１硬化の際に同時に紫外線照射で露光された配線パターン２上およびスルーホール５の感光性レジスト６を現像除去した後、感光性レジスト１１をマスクに配線パターン２上およびスルーホール５に保護めっき層を形成する。 - 特許庁

To provide an exposure device in which a mask is not required to be replaced according to the number of pixels, the number of picture elements and/or the size of a region for forming an exposure pattern when exposing a plurality of exposed members having different number of pixels, different number of picture elements and/or different size of a region for forming an exposure pattern.例文帳に追加

画素数、絵素数及び／又は露光パターン形成用領域の大きさが異なる複数の露光対象部材を露光する場合においても、画素数、絵素数及び／又は露光パターン形成用領域の大きさに対応させてマスクを取り換える必要がない露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a phase shifting mask capable of reducing errors in transfer of patterns due to aberration caused by a difference in transmittance by reducing the difference between the light transmittance of the inside of a larger pattern and that of the outside of the larger pattern.例文帳に追加

他よりも大きなパターンの内側の光の透過率とのその他よりも大きなパターンの外側の光の透過率との差を小さくすることにより、透過率の差によって生じる収差に起因したパターンの転写誤差を小さくすることができる位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

In the method of etching the sapphire substrate, a photoresist pattern is formed on the sapphire substrate and irradiated with ultraviolet rays of ≤400 nm in wavelength, and then dry etching is carried out using the resist pattern as a mask to form many circular truncated conic and circular conic projections on the sapphire substrate.例文帳に追加

本発明は、サファイア基板上にフォトレジストパターンを形成し、波長が400nm以下の紫外線光を照射した後、前記レジストパターンをマスクとしてドライエッチングすることにより前記サファイア基板上に円錐台状や円錐状の凸部を多数形成するサファイア基板のエッチング方法である。 - 特許庁

In the lithography which utilizes an electron emission by a ferroelectric substance switching performed in the ferroelectric substance emitter like this, more uniform electron emission is guaranteed regardless of an interval of the mask pattern, and even in a pattern formed in isolation with a donut-like shape.例文帳に追加

このような強誘電体エミッタで行なわれる、強誘電体のスイッチングによるエレクトロンエミッションを利用したリソグラフィーにあっては、マスクパターンの間隔によらず、さらにドーナツ状に孤立して形成されたパターンでも、より均一なエレクトロンエミッションが保証されるようになる。 - 特許庁

To provide a photomask blank capable of forming a pattern high in sensitivity and superior in resolution, and to provide a photomask which is prepared by using the photomask blank and is superior in film strength of a light shielding film and resistance to a solvent in mask cleaning even when having a fine pattern such as narrow lines.例文帳に追加

本発明は、高感度で、解像度に優れたパターンを形成しうるフォトマスクブランクス、及び前記本発明のフォトマスクブランクスを用いてなり、細線等の微細パターンを有するものであっても、遮光膜の膜強度とマスク洗浄の溶剤に対する溶剤耐性に優れたフォトマスクを提供する - 特許庁

A part for determining the arrangement of character opening calculates a frequency when optional two character patterns are combined in the same small area throughout the circuit pattern, and determines the arrangement of character opening on a mask so that openings of character pattern having a high combination frequency may be mutually close to each other.例文帳に追加

キャラクタ開口配置決定部は、回路パターン全体を通して、任意の２つのキャラクタパターンが同一の小領域内にある組み合わせ頻度を計算し、組み合わせ頻度の高いキャラクタパターンの開口どうしが近接するようにマスク上でのキャラクタ開口の配置を決定する。 - 特許庁

To prevent distortion of a development pattern due to overexposure at the adjacent part of adjoining exposure regions caused by repeated exposure of a resist film, when an etching mask for forming a repeated pattern of protrusions and recesses is formed by exposing and developing the resist film on the surface of the substrate of a semiconductor base material.例文帳に追加

半導体基材の基板の表面に繰り返し凹凸パターンを形成するためのエッチングマスクをレジスト膜の露光現像により形成する際、レジスト膜に対する繰り返し露光による隣接する露光領域の隣接する部分での過剰露光による現像パターンの歪みを防止する。 - 特許庁

An SiO2 film 12 and an SiN film 14 are formed over an Si substrate 10 in this order, and the SiN film 14 is worked into a pad SiN film 14a by etching with a fist resist pattern 16, formed thereon as a mask, and then the first resist pattern 16 is cured through UV curing.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ_2 膜１２及びＳｉＮ膜１４を形成し、このＳｉＮ膜１４をその上に形成した第１のレジストパターン１６をマスクとするエッチングによりパッドＳｉＮ膜１４ａに加工した後、ＵＶキュアにより第１のレジストパターン１６を硬化させる。 - 特許庁

Further, the light-shielding layer 3 is patterned to form a light-shielding pattern 3a, and the shifter layer 2 is subjected to dry etching with chlorine, using ICP(inductively coupled plasma) type dry etching apparatus, to form a phase shift pattern 2a for obtaining shift mask 100 of the invention.例文帳に追加

さらに、遮光層３をパターニング処理して遮光パターン３ａを形成し、さらに、シフター層２をＩＣＰ（誘電結合プラズマ）タイプのドライエッチング装置を用いて塩素によるドライエッチングにてエッチングし、位相シフトパターン２ａを形成し、本発明の位相シフトマスク１００を得る。 - 特許庁

A mask shown in (a) is formed with a pattern (black marked portion) not transmitting light in a portion (hereinafter referred to as boundary portion) corresponding to the boundary between the unit microlenses, and has a gray degree distribution corresponding to a shape pattern of an objective microlens array in the other portion.例文帳に追加

（ａ）に示されたマスクは、単位マイクロレンズ同士の境界に当たる部分（境界部分と称する）には、光を透過させないパターン（黒塗り部分）が形成され、その他の部分は、目的とするマイクロレンズアレイの形状パターンに対応するグレー度分布を有するマスクである。 - 特許庁

Further, after etching and removing the conductive layer by using the resist pattern as a mask, by forming an antenna pattern comprising the assembly of conductors, an electromagnetic absorber 30 for absorbing or reflecting a specific-frequency electromagnetic wave is so formed as to create a film 100 having an electromagnetic wave shielding property.例文帳に追加

さらに、レジストパターンをマスクにして導電層をエッチングにより除去し、導電体の集合体からなるアンテナパターンを形成し、特定周波数を吸収または反射する電磁波吸収体３０を形成し、電磁波シールド性を有するフィルム１００を作製する。 - 特許庁

Furthermore, an electrode pattern can be formed in a short process, without forming a mask required for protecting silver in etching, by leaving, as it is, only silver on the gold or platinum layer, in the silver thin film formed on the whole surface on the glass substrate where a gold or platinum pattern is formed.例文帳に追加

さらに、金や白金のパターンを形成したガラス基板上の全面に形成された銀薄膜のうちの、金や白金層の上のみに銀を残し、エッチングの際に銀を保護するために必要となるマスクを形成することなく短い工程で電極パターンを形成できる。 - 特許庁

In the process S103, a semiconductor region is etched using a first mask having the array of patterns including first-nth pattern parts and first-nth periodic structures for a diffraction grating corresponding to the first-nth pattern parts respectively are formed in the respective element sections of the semiconductor region.例文帳に追加

工程Ｓ１０３では、第１〜第ｎのパターン部を含むパターンの配列を有する第１のマスクを用いて半導体領域をエッチングして、第１〜第ｎのパターン部にそれぞれ対応する回折格子用の第１〜第ｎの周期構造を半導体領域の各素子区画に形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for performing a resist pattern inspection without deteriorating the performance of the inspection apparatus in which, when inspecting a resist pattern of a mask substrate using a short-wavelength and high output light source, outgas is generated to cause the deterioration of the performance of an optical system of the inspection apparatus.例文帳に追加

マスク基板のレジストパターンを短波長、高出力光源を使用する検査装置を用いて検査するとアウトガスが発生し、検査装置の光学系の性能を劣化させる要因となるため、検査装置の性能を劣化させることなくレジストパターン検査を行う装置を提供する。 - 特許庁

When producing a mask 7 for correction exposure, first of all, a source pattern region 21 on a wafer 8 and a peripheral rear scattering region 22 thereof are divided into sub-fields 20, sufficiently smaller than the distribution radius of smaller of Gaussian distributions, and the area rate of a non-pattern part in each of sub-fields 20 is calculated.例文帳に追加

補正露光用マスク７の作製時には、まず、ウェハ８上の原パターン領域２１及びその周辺の後方散乱領域２２を、ガウス分布の小さい方の分布半径よりも十分小さいサブフィールド２０に区分し、各サブフィールド２０での非パターン部の面積率を算出する。 - 特許庁

To provide a method for exposure and a phase shift mask in which the resolution of an image formed on a resist according to a two-dimensional random pattern can be improved and the dimensional accuracy of the two-dimensional random pattern projected onto the resist can be improved.例文帳に追加

本発明は、二次元ランダムパターンに対してレジストに結ばれる像の解像度の向上をさせることができ、併せてレジストに露光される二次元ランダムパターンの寸法精度を向上させることができる露光方法および位相シフトマスクを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for surface treatment capable of enhancing the selection ratio or the ratio of the etching rate of an antireflection film, such as BARC or the like of an organic material, which serves as a means for forming a highly precise pattern by surface treatment of a semiconductor or the like to that of a resist which servers as a mask for forming the pattern.例文帳に追加

半導体などの表面処理において高精度にパターン形成を行うための手段となる反射防止膜であるＢＡＲＣなどの有機材とパターンを形成するマスクであるレジストとのエッチング速度の比、すなわち選択比を高くした表面処理装置を提供する。 - 特許庁

Information of a transfer error is obtained by transfer a pattern in a first region (RPA1) on a mask (RT), on a wafer on which a prescribed region is a target region, and depending on the relationship between the transferred region and the target region on the wafer transferred by the pattern.例文帳に追加

基板上の所定の領域を目標領域として、マスク（Ｒ_Ｔ）上の第１領域（ＲＰＡ１）内のパターンを基板上に転写し、該パターンが転写された基板上での転写領域と目標領域との関係に基づいて、転写誤差の情報を求める。 - 特許庁

The photomask 4 formed by coating the whole of a mask surface with a pattern formed thereon with a glass film is used, the photomask 4 is closely contacted to a semiconductor wafer 1 having a resist film 3 formed on a surface thereof, and the pattern of the photomask 4 is transferred to a surface of the resist film 3 of the semiconductor wafer 1 by exposing it to light.例文帳に追加

パターンを形成したマスク面全体に、ガラス膜を被膜させたフォトマスク４を使用し、このフォトマスク４と、表面にレジスト膜３を設けた半導体ウエハ１とを密着させ、前記フォトマスク４のパターンを前記半導体ウエハ１のレジスト膜３上に露光する。 - 特許庁

The performance of the printing using the screen mask can enhance the wrap-around property of paste even on the same condition as the conventional printing condition, without changing a paste material or the printing condition, and can bring about the high-precision pattern 5 faithful to the design pattern 4.例文帳に追加

斯かるスクリーンマスクを使用した印刷を行うことにより、ペースト材料や印刷条件を変更することなく、従来の印刷条件と同じ条件でもペーストの回り込み性を向上させ、設計上のパターン４に忠実な高精度なパターン５を得ることが出来る。 - 特許庁

The chromium wiring is formed by carrying an object having the resist pattern on a chromium layer formed on a substrate in a chromium wet-etching section 23 and wet-etching the chromium layer with a mixed acid containing secondary ammonium cerium nitrate and perchloric acid by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

基板上に成膜されたクロム層上にレジストパターンが形成された対象物をクロムウェットエッチング部２３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモンと過塩素酸を含有する混酸を用い、レジストパターンをマスクとしてクロム層をウェットエッチングすることにより、クロム配線を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a transfer mask includes steps of forming: an opening in a first substrate; a pattern forming part by bonding the first substrate in which the opening has been formed and a second substrate; and a charged particle beam through-hole in the pattern forming part.例文帳に追加

第１の基板に開口部を形成する工程と、開口部が形成された第１の基板と第２の基板とを接合してパターン形成部を形成する工程と、パターン形成部に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁

The aligner has the projection optical system which projects a pattern formed on a mask on a workpiece and has a ≥0.7 numerical aperture on the side of the workpiece and a shading plate which shades an area outside an area where the pattern is projected on the workpiece during the projection.例文帳に追加

マスクに形成されたパターンを被処理体に投影する該被処理体側の開口数が０．７以上である投影光学系と、前期投影時に前記被処理体上の前記パターンが投影される領域の外部の領域を遮蔽する遮蔽板とを有する露光装置を提供する。 - 特許庁

When the resist is actually exposed and developed and lithography with its resist pattern as an etching mask is performed, the quantity of light or design image data is corrected on the basis of the obtained correction data, so that a desired finished line width can be achieved even for the resist pattern having a small taper angle.例文帳に追加

実際にレジストを露光、現像して、そのレジストパターンをエッチングマスクとしたリソグラフィを行う際に、先に求めた補正データに基いて光量を補正又は設計画像データを修正することで、小さなテーパー角を有するレジストパターンであっても、所望の仕上り線幅を実現することができる。 - 特許庁

A light intensity distribution of a projection image of a mask pattern is simulated, the area of a projection image satisfying specified light intensity on a substrate is calculated according to the light intensity distribution obtained by the simulation, and pattern formation conditions are adjusted according to the area of the projection image.例文帳に追加

マスクパターンの投影像の光強度分布をシミュレーションし、該シミュレーションによって得られた光強度分布に基づいて基板上で所定の光強度を満足する投影像の面積を算出し、該投影像の面積に基づいてパターン形成条件を調整するように構成する。 - 特許庁

The shadow mask 12 is interposed between the slope of the multi-stage prism 11 and the image receiver 23 and interrupts a part of the reflected light from the detection plane 11a by a variably controlled pattern.例文帳に追加

シャドウマスク１２は、多段プリズム１１の傾斜面と受像装置２３との間に介装されて、上記検出面１１ａからの反射光の一部を可変制御されるパターンで遮断する。 - 特許庁

To solve a problem the intensity of near field light being generated from an opening lowers when the size of the opening is decreased in order to form a dot pattern of microsize using a near field light mask.例文帳に追加

近接場光マスクを用いて微細なサイズのドットパターンを形成するために開口部のサイズを小さくすると、開口から発生する近接場光の強度が減少するという課題を解決する。 - 特許庁

The maximum length L of beams 1 and 3 is specified based on the amount of deformation in allowable beams and width W in the beams 1 and 3, and a mask pattern is composed by beams having length that does not exceed the maximum value.例文帳に追加

梁１、３の長さＬの上限値を、許容できる梁の変形量および梁１、３の幅Ｗに基づいて定め、上限値を越えない長さの梁によってマスクパターンを構成する。 - 特許庁

Initial stage of a process for exposing a specified mask pattern such that a plurality of integrated circuit chip regions 12 are formed on a semiconductor wafer WF while being spaced apart by a scribe line region 13 is shown.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦ上に複数の集積回路チップ領域１２がスクライブライン領域１３を隔てて形成されるよう所定のマスクパターンを露光するプロセスの初期段階を示している。 - 特許庁

Next, a shared mask pattern provided with recessed/projected parts for upper face and for lower face for regulating the magnetic pole shape, symmetrically with respect to a center line parallel to the direction of track width, is exposed to the photoresist.例文帳に追加

次に、磁極形状を規定する上面用凹凸部と下面用凹凸部をトラック幅方向に平行な中心ラインに対して対称に有する共有マスクパターンを、フォトレジストに露光する。 - 特許庁

Unevenness of a surface and a gradient of a local curved surface are computed (ST104) from the height distribution data and an imaging position shift of a mask pattern is calculated from the unevenness and gradient, and parameters of an optical system of the exposure device (ST105).例文帳に追加

高さ分布データから表面の凹凸と局所的な曲面の勾配を演算し(ST104)、凹凸と勾配と露光装置の光学系のパラメータからマスクパターンの結像位置ずれを算出する(ST105)。 - 特許庁

After the photo-curable resin is cured by irradiating with a light, by separating the mold, the mask having the taper-shaped side face to which the pattern of the mold is reflected is formed on the member to be etched.例文帳に追加

光硬化性樹脂に光を照射して硬化させた後、モールドを引き離すことにより、被エッチング部材上にモールドのパターンが反映されたテーパー形状の側面を有するマスクを形成する。 - 特許庁

To provide a projection aligner which prevents blurs from occurring on a lens, by organic gas components being produced by applying light to an organic film which is used for formation of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパタンの形成に使われる有機膜に光を照射することによって生じる有機気体成分により、投影レンズに曇りが生じることを防止した投影露光装置を提供する。 - 特許庁

This mask is provided with a bridge 63 having a width narrower than the resolution of transfer exposure between two non-exposure patterns 61, 61' without opened holes, which are provided adjacent to each other separated by an exposure pattern 62 with open holes.例文帳に追加

本マスクは、孔の開いた露光パターン６２を隔てて隣り合う２つの孔の開いていない非露光パターン６１、６１′間に、転写露光の解像度より細い幅のブリッジ６３が設けられている。 - 特許庁