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BLMとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 黒膜; black lipid membrane;


「BLM」を含む例文一覧

該当件数 : 23



例文

The structure includes a ball limited metalization (BLM) layer and a solder ball of control collapse chip connection (C4) formed on the BLM layer.例文帳に追加

構造体は、ボール制限メタライゼーション(BLM)層と、BLM層の上に形成された制御崩壊チップ接続(C4)はんだボールとを含む。 - 特許庁

In that case, in step S220, balance coefficients w_bc, w_bm, w_by, w_bk, w_blc, and w_blm are given on an ink-by-ink basis, and the weight of a small residual quantity of ink is increased.例文帳に追加

その際に、ステップS220にてインク別にバランス係数w_bc,w_bm,w_by,w_bk,w_blc,w_blmを与え、残量の少ないインクについては重みを大きくする。 - 特許庁

Further, the fuse 8 is formed of the same material with the base metal BLM, but a disconnection part 8a of the fuse 8 is formed of only one metal layer 9a of the base metal BLM.例文帳に追加

さらに、ヒューズ8は、上記下地金属BLMと同一材料によって構成するが、ヒューズ8の切断箇所8aは、下地金属BLMの一金属層9aのみによって構成される。 - 特許庁

In a test operation, a potential difference between the bit-line pair BLm, NBLm is reduced by grounding the bit-line BLm conducting to an H-side memory holding node of a memory cell Mn_m.例文帳に追加

テスト動作時において、メモリセルMn_mのH側記憶保持ノードと導通するビット線BLmを所定時間接地することによって、ビット線対BLm,NBLm間の電位差を小さくする。 - 特許庁

A bit-line driving circuit 25a is arranged for each bit-line pair BLm, NBLm, and is configured to reduce one potential selected from those of the bit-line pair BLm, NBLm.例文帳に追加

ビット線駆動回路25aは、各ビット線対BLm,NBLmに配置されており、ビット線対BLm,NBLmのうち選択された一方の電位を低下させることが可能な構成を有している。 - 特許庁

Main bit lines BLM being common to each of a plurality of memory blocks MB are grounded through a second MOS field effect transistor Q2S.例文帳に追加

複数のメモリブロックMBの各々に共通のメインビット線BLMは、第2のMOS電界効果トランジスタQ_2Sを介して接地されている。 - 特許庁

例文

Moreover, the structure includes the final metal pad layer under the BLM layer and a cap layer under the final metal pad layer.例文帳に追加

さらに、構造体は、BLM層の下に最終金属パッド層を含み、最終金属パッド層の下にキャップ層を含む。 - 特許庁

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機械工学英和和英辞典での「BLM」の意味

BLM (Bureau of Land Management)


BLM (basic language machine)


学術用語英和対訳集での「BLM」の意味

遺伝子名称シソーラスでの「BLM」の意味

blm

fly遺伝子名blm
同義語(エイリアス)genome stabilizer 1; Mutagen-sensitive protein 309; mus309; Dmblm; gesta1; mutagen-sensitive 309; RecQ-like; DmKu70; Bloom syndrome protein homolog; DmBlm; mus 309; RecQ; DmBLM; bloom; RecQ helicase homolog; CG6920
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:Q9VGI8
EntrezGeneのIDEntrezGene:41366
その他のDBのIDFlyBase:FBgn0002906
human遺伝子名BLM
同義語(エイリアス)MGC126616; RECQL2; BS; DNA helicase, RecQ-like type 2; Bloom syndrome protein; RECQ2; Bloom syndrome; RecQ protein-like 3; MGC131620; RECQL3; MGC131618
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:P54132
EntrezGeneのIDEntrezGene:641
その他のDBのIDHGNC:1058
mouse遺伝子名Blm
同義語(エイリアス)mBLM; Bloom syndrome homolog (human); Bloom syndrome protein homolog
SWISS-PROTのIDSWISS-PROT:O88700
EntrezGeneのIDEntrezGene:12144
その他のDBのIDMGI:1328362
mouse遺伝子名BLM
同義語(エイリアス)mKIAA1861; Ccdc132; 8430415E05Rik; C87205; 1700034M03Rik; coiled-coil domain containing 132
SWISS-PROTのID---
EntrezGeneのIDEntrezGene:73288
その他のDBのIDMGI:1920538

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT
スイスバイオインフォマティクス研究所欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発運営されているタンパク質アミノ酸配列データベース
EntrezGene
NCBIによって運営されている遺伝子データベース染色体上の位置配列発現構造機能、ホモロジーデータなどが含まれている
FlyBase
米英大学のショウジョウバエ研究者などにより運営されるショウジョウバエ生態遺伝子情報に関するデータベース
HGNC
HUGO遺伝子命名法委員会により運営されるヒト遺伝子に関するデータベース
MGI
様々なプロジェクトによる研究マウス遺伝的生物学的なデータを提供するデータベース

Wiktionary英語版での「BLM」の意味

「BLM」を含む例文一覧

該当件数 : 23



例文

A current source (36) for read-out supplies a current in parallel to respective main bit lines BL0, BK1, BLm in read-out operation.例文帳に追加

読出し用電流源(36)は、読出し動作において、各々の主ビット線BL0、BL1、BLmに並列的に電流を供給する。 - 特許庁

Also, sub-bit lines BLS are connected to the main bit lines BLM through a first MOS field effect transistors Q1S.例文帳に追加

また、メインビット線BLMには、第1のMOS電界効果トランジスタQ_1Sを介してサブビット線BLSが接続している。 - 特許庁

And also, while referring to the length of a power supply line Blm from a voltage control part 11 to a magenta SLED array 610, a voltage drop generated in the power supply line BLm is calculated based on the power supply line length and the calculated load current value (light emitting factor).例文帳に追加

且つ、電圧制御部11からマゼンタSLEDアレー610までの電源ラインBLmの長さを参照し、電源ライン長と算出した負荷電流値(発光率)から電源ラインBLmに生じる電圧降下を算出する。 - 特許庁

The memory cells MC (m, n) and MC (m+1, n) have the magnetic tunnel junction elements MR1 and MR11 respectively connected with the word lines WLn at one end, and connected with the bit lines BLm and BLm+1 at the other end of the magnetic tunnel junction elements MR1 and MR11.例文帳に追加

メモリセルMC(m,n)およびMC(m+1,n)は、ワード線WLnにそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子MR1およびMR11を有し、磁気トンネル接合素子MR1およびMR11のそれぞれの他方端は、ビット線BLmおよびBLm+1に接続されている。 - 特許庁

Read sections (S/Am-1, S/Am, S/Am+1) simultaneously select a plurality of word lines (WL0 to WL15) in discrimination of the block (BLK), and read logical product of data of a plurality of second memory cells sharing respective bit lines (BLm-1, BLm, BLm+1) via the respective bit lines.例文帳に追加

読み出し部(S/Am−1、S/Am、S/Am+1)は、ブロック(BLK)の判別時に、複数のワード線(WL0〜WL15)を同時に選択し、各ビット線(BLm−1、BLmBLm+1)を共有する複数の第2のメモリセルのデータの論理積を各ビット線を介して読み出す。 - 特許庁

A first rotating backlash amount BLm generating between a rotating input member and a rotating output member in a state at which the clutch mechanism is engaged and a second rotating backlash amount BLp generating between the rotating input member and the rotating output member in a state at which the armature plate is attracted to the coil housing and the cam mechanism is fixed are set to be BLm>BLp.例文帳に追加

クラッチ機構が係合した状態で、回転入力部材と回転出力部材との間で発生する第1回転バックラッシュ量BLmと、コイルハウジングにアーマチュアプレートを吸着させるとともにカム機構を固定した状態で、回転入力部材と回転出力部材との間で発生する第2回転バックラッシュ量BLpとが、BLm> BLp となるように設定されている。 - 特許庁

Moreover, the memory cells MC (m, n+1) and MC (m+1, n+1) have the magnetic tunnel junction elements MR3 and MR31 respectively connected with the word lines WLn+1 at the one end, and connected respectively with the bit lines BLm and BLm+1 at the other end of the magnetic tunnel junction elements MR3 and MR31.例文帳に追加

また、メモリセルMC(m,n+1)およびMC(m+1,n+1)は、ワード線WLn+1にそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子MR3およびMR31を有し、磁気トンネル接合素子MR3およびMR31のそれぞれの他方端は、ビット線BLmおよびBLm+1に接続されている。 - 特許庁

例文

The respective tunnel magnetic resistance elements are respectively arranged near crossing positions between the word lines WL1 to WLn and the bit lines BL1 to BLm and operate as memory cells MC11 to MCmn.例文帳に追加

各トンネル磁気抵抗素子は、ワード線WL1〜WLnとビット線BL1〜BLmとの交差位置近傍にそれぞれ配置され、メモリセルMC11〜MCmnとして働く。 - 特許庁

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