「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(166ページ目) - Weblio英語例文検索

HIGH-SENSITIVITY OPTICAL SCANNING USING MEMORY INTEGRATION例文帳に追加

メモリ集積化を用いる高感度光走査 - 特許庁

After erasing the returned transmission data from the transmission data memory to solve the memory deficiency problem of the transmission data memory, the MFP receives the transmission data from the PC and stores it in the transmission data memory.例文帳に追加

そして、返却した送信データを送信データメモリから消去して、送信データメモリのメモリ不足を解消して、ＰＣから送信データを受信し、送信データメモリに記憶する。 - 特許庁

To provide a flash memory which has a superior reading-out current characteristic even when the memory is micromachined and the memory is highly integrated and can cope with multi-valuing and a method for manufacturing the memory.例文帳に追加

本発明は、微細化・高集積化した場合であっても、読み出し電流特性に優れ、多値化にも対応しうるフラッシュメモリ、およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY USING FUSE/ANTI-FUSE例文帳に追加

ヒューズ／アンチヒューズを用いたワンタイムプログラマブルメモリ - 特許庁

METHOD FOR FORMING FLASH MEMORY CARD AND ITS STRUCTURE例文帳に追加

フラッシュメモリカードの形成方法とその構造 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

半導体メモリセルおよびその製造方法 - 特許庁

Also, the arbitration control part 14 transfers the data from the main bus B1 to the buffer memory 13 in the case of writing data in the shared memory 13, and makes the shared memory write the data of the buffer memory 13.例文帳に追加

また、調停制御部１４は、共有メモリ１３への書込時にはメインバスＢ１からバッファメモリ１３にデータを転送しバッファメモリ１３のデータを共有メモリに書き込ませる。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY CHIP, PROCESSING CARTRIDGE, AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

メモリチップ、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY BLOCKING COMPILER AND PROGRAM EXECUTING METHOD例文帳に追加

メモリブロック化コンパイラ及びプログラム実行方法 - 特許庁

The system LSI 211 has an MCU 205 which is a memory access control means having an integrated memory interface to which at least two systems of an integrated memory A 210 and an integrated memory B 212 can be connected.例文帳に追加

システムＬＳＩ２１１は、少なくとも２系統の統合メモリＡ２１０，Ｂ２１２を接続可能な統合メモリインタフェースを備えるメモリアクセス制御手段であるＭＣＵ２０５を有する。 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

強誘電体メモリおよびその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

DISK DEVICE, MEMORY CONTROL METHOD FOR DISK DEVICE例文帳に追加

ディスク装置、ディスク装置のメモリ制御方法 - 特許庁

ACCESS PORT USING SHAPE MEMORY ANCHOR例文帳に追加

形状記憶係留具を使用したアクセスポート - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND ITS RECORD CONTROL METHOD例文帳に追加

磁気メモリ装置及びその記録制御方法 - 特許庁

COMPUTER SYSTEM AND SHARED MEMORY CONTROLLING METHOD例文帳に追加

コンピュータシステムおよび共有メモリ制御方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁

The memory device 100 further includes a main memory device data deleting part 240 for deleting the file data on the main memory device after the transcription of the file data by the secondary memory device transcribing part 230.例文帳に追加

また、記憶装置１００は、二次記憶装置転記部２３０によるファイルデータの転記の後に主記憶装置上のファイルデータを消去する主記憶装置データ消去部２４０を備える。 - 特許庁

MEMORY DATA LOCATING METHOD AND DATA MULTIPLEXER例文帳に追加

メモリデ—タ配置方法及びデ—タ多重化装置 - 特許庁

CAPACITOR OF MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF FORMING THEREOF例文帳に追加

メモリ素子のキャパシタ及びその形成方法 - 特許庁

SHARED ERROR CORRECTION FOR DESIGNING MEMORY例文帳に追加

メモリ設計のための共有式誤り訂正 - 特許庁

TOGGLE MODE WRITING TYPE NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

トグルモード書込型不揮発性磁気メモリ装置 - 特許庁

READ-OUT DATA ROUTE FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリのための読出データ経路 - 特許庁

MEMORY CONTROL METHOD FOR DIGITAL PROTECTIVE CONTROLLER例文帳に追加

ディジタル保護制御装置のメモリ制御方法 - 特許庁

HIGH-CAPACITY MAGNETIC MEMORY USING CARBON NANO-TUBE例文帳に追加

カーボンナノチューブを用いた大容量磁性メモリ - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD THEREFOR例文帳に追加

相変化メモリ装置及びそのライティング方法 - 特許庁

NEW FLASH MEMORY ARRAY AND DECODING STRUCTURE例文帳に追加

新しいフラッシュメモリ配列とデ—コ—ディング構造 - 特許庁

CHARGE STORAGE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電荷蓄積型メモリ及びその製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁

To enable data to be written in or erased out from a monoelectronic memory device with a low voltage, by a method wherein the monoelectroic memory device can be kept in a bistable state where it can be kept stable both in a memory state and in a non-memory state.例文帳に追加

単電子メモリ素子において、メモリ状態と非メモリ状態とを双安定に存在できるようにして小さな電圧でメモリの書込及び消去を可能にする。 - 特許庁

This circuit is provided with a memory cell MC and a holding section 22.例文帳に追加

メモリセルMCと保持部２２とを備えている。 - 特許庁

To reduce a pitch between bits of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのビット間のピッチを低減すること。 - 特許庁

INTEGRATED MEMORY AND OPERATING METHOD THEREFOR例文帳に追加

集積メモリ及び集積メモリの動作方法 - 特許庁

CIRCUIT FOR PREVENTING MALFUNCTION OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の誤動作防止回路 - 特許庁

To provide a data management apparatus and a method used for a flash memory and capable of preventing the waste of a memory space and the deterioration of the performance of the flash memory caused by a difference between logical and physical operation units of the flash memory.例文帳に追加

論理的な演算単位と物理的な演算単位との不一致による空間浪費及び性能低下を防止できるフラッシュメモリのデータ管理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SELF-ALIGNMENT CROSS POINT MEMORY ARRAY例文帳に追加

自己整合クロスポイントメモリアレイの製造方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR WRITING DATA BITS TO MEMORY ARRAY例文帳に追加

メモリアレイにデータビットを書き込むための方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND INSPECTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体記憶装置、及びその検査方法 - 特許庁

RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY WITH PARITY BIT STRUCTURE例文帳に追加

パリティビット構造を具備するランダムアクセスメモリアレイ - 特許庁

IMPROVED COMPACT FLASH MEMORY CARD AND INTERFACE例文帳に追加

改良したコンパクトフラッシュメモリーカードとインターフェース - 特許庁