「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(167ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND INSPECTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体メモリ装置およびその検査方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING SUB-WORD LINE DRIVER例文帳に追加

サブワードラインドライバーを含む半導体メモリ装置 - 特許庁

MULTIPORT MEMORY ARCHITECTURE, DEVICE, SYSTEM, AND METHOD例文帳に追加

マルチポートメモリアーキテクチャ、装置、システム、および方法 - 特許庁

DATA PROCESSOR INCLUDING CACHE MEMORY CONTROL SECTION例文帳に追加

キャッシュメモリ制御部を備えるデータ処理装置 - 特許庁

IMPLEMENTATION OF MEMORY ACCESS CONTROL USING OPTIMIZATION例文帳に追加

最適化を用いたメモリアクセス制御の実装 - 特許庁

BOOSTING VOLTAGE ADJUSTING CIRCUIT AND FLASH MEMORY例文帳に追加

昇圧電圧調整回路およびフラッシュメモリ - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH BLOCK ALIGNMENT FUNCTION例文帳に追加

ブロックアラインメント機能付き半導体記憶装置 - 特許庁

Finally, by executing the calculation 307 of an average memory power consumption by using the number 302 of the memory accesses and the memory current consumption 306, an average memory power consumption 308 is obtained.例文帳に追加

最後に上記メモリアクセス回数３０２とメモリ消費電流３０６を用いてメモリ平均消費電力計算３０７を実行することで、メモリ平均消費電力３０８を得る。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS WITH WRITE TRAINING FUNCTION例文帳に追加

ライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置 - 特許庁

The processing by the frame memory 110 etc., is not performed.例文帳に追加

フレームメモリ110等による処理は行わない。 - 特許庁

A writing circuit writes data in a memory cell.例文帳に追加

書き込み回路は、メモリセルにデータを書き込む。 - 特許庁

For ODT control in the memory module system, only one pin from a memory controller of memory devices is used to transmit a command signal indicating one activated memory device.例文帳に追加

メモリモジュールシステム内のＯＤＴ制御において、メモリ装置のうちメモリ制御器から一つのピンのみが、活性化された一つのメモリ装置を示す命令信号を伝送するために使われる。 - 特許庁

METHOD FOR DIFFERENTIALLY WRITING TO MEMORY DISK例文帳に追加

メモリディスクへ差動的に書込を行う方法 - 特許庁

DATA MEMORY COMPRESSION IN EVENT TYPE TEST SYSTEM例文帳に追加

イベント型テストシステムにおけるデータメモリ圧縮 - 特許庁

3D MEMORY DEVICE FOR LARGE STORAGE CAPACITY例文帳に追加

大記憶容量のための３−Ｄメモリ素子 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

相変化記憶素子およびその形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体メモリセルおよびその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND READOUT METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリとその読み出し方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体メモリ試験装置及び試験方法 - 特許庁

To provide a memory card socket shared among a plurality of kinds of memory cards and making a contact state a contact with a contact pad suitable for exhibiting performance of various memory cards when the memory cards are mounted.例文帳に追加

複数種類のメモリカードに共用でき、かつメモリカードの装着時におけるコンタクトとコンタクトパッドとの接触状態を各種のメモリカードの性能を発揮するのに適した状態とする。 - 特許庁

ETCHING METHOD, ETCHING APPARATUS, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 - 特許庁

To provide a memory controller and a flash memory system that stop processing for a flash memory when a source voltage supplied to the flash memory system drops below a predetermined voltage.例文帳に追加

フラッシュメモリシステムに供給される電源電圧が所定の電圧より低くなったときに、フラッシュメモリに対する処理を停止させるメモリコントローラおよびフラッシュメモリシステムを提供する。 - 特許庁

The memory circuit has a standby mode M2 for not receiving a memory access command provided from a transmitting/receiving section and an active mode M4 for receiving the memory access command and accepting the memory access.例文帳に追加

このメモリ回路は、送受信部から提供されるメモリアクセスコマンドを受け付けない待機モードＭ２と、メモリアクセスコマンドを受け付けてメモリアクセスを許容するアクティブモードＭ４とを有する。 - 特許庁

WRITING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY CARD, PROGRAM, AND METHOD例文帳に追加

書込装置、半導体メモリカード、プログラム、方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY AND METHOD OF DRIVING THE SAME例文帳に追加

強誘電体メモリ及びその駆動方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING BIT LINE OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加

半導体メモリ素子のビットライン形成方法 - 特許庁

VIRTUAL MEMORY DUMP SAMPLING SYSTEM AND ITS METHOD例文帳に追加

仮想メモリダンプ採取方式及びその方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND SENSE AMPLIFIER DRIVE METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置とセンスアンプ駆動方法 - 特許庁

FERROELECTRIC MEMORY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電体メモリおよびその製造方法 - 特許庁

To appropriately control an access to a memory module.例文帳に追加

メモリモジュールへのアクセスを適切に制御する。 - 特許庁

DIELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

誘電体メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁

MEMORY CELL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

メモリセル、その製造方法及び集積回路 - 特許庁

PHASE TRANSFORMATION MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化記憶素子及びその製造方法 - 特許庁

A memory array 1 has a memory cell having double gate structure, plural word lines to which a control gate of the memory cell is connected, and plural bit lines to which a drain of the memory cell is connected.例文帳に追加

メモリアレイ１は、２重ゲート構造を有するメモリセルと、メモリセルのコントロールゲートが接続された複数のワード線と、メモリセルのドレインが接続された複数のビット線とを持つ。 - 特許庁

SYSTEM BUS DIRECT CONNECTION TYPE MEMORY CONTROLLER AND CHIP例文帳に追加

システムバス直結型メモリーコントローラ及びチップ - 特許庁

Testing time can be reduced because simultaneous reading and writing on all the memory modules, memory devices and memory units can be carried out by bypassing the memory identification information.例文帳に追加

前記メモリ識別情報を無視することにより、全てのメモリモジュール、メモリ装置、乃至メモリユニットに対して同時に読み込んで書き込むことができるので、テスト時間が減少される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING MULTI-BANK STRUCTURE例文帳に追加

マルチバンク構造を有する半導体メモリ装置 - 特許庁

SUPERCONDUCTING CELL AND MEMORY ARRAY USING THE CELL例文帳に追加

超電導セル及び該セルを用いたメモリ・アレイ - 特許庁

PROCESSOR, MEMORY, COMPUTER SYSTEM AND AUTHENTICATION METHOD例文帳に追加

プロセッサ、メモリ、コンピュータシステムおよび認証方法 - 特許庁

To enable performing refreshing of a first memory during accessing a second memory in a system in which the first memory requiring refreshing and the second memory requiring no refreshing share one part of a bus.例文帳に追加

リフレッシュが必要な第１のメモリと、リフレッシュが不要な第２のメモリとがバスの一部を共有するシステムにおいて、第２のメモリアクセス中に第１のメモリのリフレッシュを実行可能にすること。 - 特許庁

ACCESS FOR MEMORY UNIT OF DATA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

データ処理装置のメモリ・ユニットに対するアクセス - 特許庁

REARRANGEMENT HARDWARE FOR MASS MEMORY COMMAND QUEUE例文帳に追加

大量記憶コマンドキュー用並び替えハードウエア - 特許庁