「Planarization」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress occurrence of surface defects such as dishing, erosion, scratch and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide thermosetting resin solutions excellent in planarization properties, suitable in prevention of occurrence of a failure of display due to the surface irregularity of a color filter of a liquid crystal display and in the prevention of occurrence of defects in coating; color filters using the thermosetting resin solution compositions which do not cause a failure of display due to their surface irregularity and reduce defects in coating; and liquid crystal displays.例文帳に追加

平坦化特性に優れ、液晶表示装置のカラーフィルターの表面凹凸に基づく表示不良発生の防止、および、塗布欠陥の発生防止に好適な熱硬化性樹脂溶液組成物と、その熱硬化性樹脂溶液組成物を使用した、表面凹凸に基づく表示不良が発生せず、塗布欠陥の少ないカラーフィルターと液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A display device is manufactured through three photolithography steps in total: one photolithography step for forming a gate electrode and forming an island-shaped semiconductor layer; one photolithography step for forming a planarization insulation layer and then forming a contact hole; and one photolithography step for forming a source electrode and a drain electrode and forming a pixel electrode.例文帳に追加

ゲート電極を形成する工程と、島状半導体層を形成するための工程を、１回のフォトリソグラフィ工程で行い、平坦化絶縁層を形成した後、コンタクトホールを形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と画素電極を形成する工程を１回のフォトリソグラフィ工程で行い、合計３回のフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 - 特許庁

To provide a cleaning agent used for a cleaning process after a planarization polishing process in a semiconductor device manufacturing process, by which dopant existing on the surface of a semiconductor device, especially on the surface of the semiconductor device on which a copper wiring is applied is removed effectively, without causing corrosion and oxidization of the copper wiring, or deterioration of the surface texture of the device planarized.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する不純物を、銅配線の腐蝕や酸化、或いは、平坦化されたデバイスの表面性状の悪化を引き起こすことなく、有効に除去することができる洗浄剤を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad and an apparatus and method for polishing capable of speedily eliminating global steps by selectively polishing protrusion of concavity and convexity on the surface of semiconductor wafer in planarization of semiconductor wafer with CPM and obtaining a high quality semiconductor wafer with less concavity such as dishing or thinning and scratch mark or residual dust in the polishing of metal wiring or STI.例文帳に追加

ＣＭＰによる半導体基板の平坦化において、半導体基板表面の凹凸の凸部を選択的に研磨することでグローバル段差が速く解消でき、また、金属配線やＳＴＩにおける研磨においてもディッシングやシンニングなどの凹み量が少なく、かつスクラッチ傷や残存ダストが少ない高品位な半導体基板を得ることが可能な研磨パッドおよび研磨装置および研磨方法を提供するものである。 - 特許庁