「STIS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When the high breakdown voltage MOS transistor and a fine low breakdown voltage MOS transistor are mixedly mounted on a same semiconductor substrate, two STIs (shallow trench isolations) are used, an active region, where high concentration impurities are doped in the channel region of a parasitic MOS transistor, is provided between the STIs and current flowing between the source and drain of the parasitic MOS transistor is interrupted.例文帳に追加

同一半導体基板上への高耐圧ＭＯＳトランジスタと微細な低耐圧ＭＯＳトランジスタの混載において、２つのＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ｔｒｅｎｃｈ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用い、その間に寄生ＭＯＳトランジスタのチャネル領域に高濃度不純物ドープされた活性領域を設け、寄生ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン間の電流を遮断した。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus in which STIs are used for element isolation regions, wherein dark current and occurrence of a white blemish are reduced and achieves storage charge amount increase.例文帳に追加

素子分離領域としてＳＴＩを用いた固体撮像装置であって、暗電流及び白キズの発生を低減すると共に、蓄積電荷数の増加を実現する固体撮像装置提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory 1, STIs are formed to the upper layer of a silicon substrate, and the upper layer of the silicon substrate is partitioned into a plurality of active areas AA that extend in the Y direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１において、シリコン基板の上層部分にＳＴＩを形成し、シリコン基板の上層部分をＹ方向に延びる複数本のアクティブエリアＡＡに区画する。 - 特許庁

Then, a block insulating film 19 is formed to be disposed on direct upper sections of both the semiconductor parts 13 and the STIs 12 and a control gate electrode WL and a selection gate electrode SG are formed on it.例文帳に追加

次に、半導体部分１３の直上域及びＳＴＩ１２の直上域の双方に配置されるように、ブロック絶縁膜１９を形成し、その上に制御ゲート電極ＷＬ及び選択ゲート電極ＳＧを形成する。 - 特許庁

A control circuit 2 allows a time count circuit 7 to start counting a prescribed delay time ST from a point of time when the control circuit 2 receives a zero cross point detection signal from a zero cross point detection circuit 6 and the control circuit 2 superimposes transmission data outputted from a signal source 1 on illumination light when counting the delay btime STis complete by the time count circuit 7.例文帳に追加

制御回路２では、ゼロクロス点検出回路６からゼロクロス点検出信号が入力された時点より計時回路７に所定の遅延時間ＳＴの計時を開始させ、計時回路７による遅延時間ＳＴの計時が完了したときに信号源１が出力する送信データを照明光に重畳する。 - 特許庁

Then, electrodes 8a and 8b are formed to run on the half-embedded insulation films 5 and the STIs 7, respectively, and an n-type region 3 constituting a photodiode is formed in a region contacting the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2 by injecting impurities into the image pickup region A by using the electrode 8a and the half-embedded insulation film 5 as a mask.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁