「Sense Resistor」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

First and second voltage/current conversion circuits 14, 16 are two voltage/current conversion circuits which generate a current in accordance with the potential difference between the first terminal T1 and the second terminal T2 of the sense resistor Rsense and have different detection ranges.例文帳に追加

第１、第２電圧電流変換回路１４、１６は、検出抵抗Ｒｓｅｎｓｅの第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２の電位差に応じた電流を生成する２つの電圧電流変換回路であって、異なる検出レンジを有する。 - 特許庁

A current in which the current by current sources CC1, CC2 are subtracted from a sense current IS is made to flow in a direct series connecting circuit of Zener diode ZD1 and resistor R1, and based on a size of a voltage VT2, it is determined whether the disconnection has occurred or not.例文帳に追加

センス電流ＩＳから、電流源ＣＣ１、ＣＣ２による電流を差し引いた電流を、ツェナーダイオードＺＤ１と抵抗Ｒ１の直列接続回路に流し、電圧ＶＴ２の大きさに基づいて、断線が発生しているか否かを判定する。 - 特許庁

The input circuit 2 which takes the on operation of a contact 1 as the secondary-side current of a photocoupler 3 is provided with a parallel circuit of a capacitor 4 and a resistor 5 for making the photocoupler 3 sense and maintain the on operation between the contact 1 and the primary side of the photocoupler 3.例文帳に追加

接点１のオン動作をフォトカプラ３の２次側電流として取り出す入力回路２において、接点１とフォトカプラ３の１次側との間に、フォトカプラ３がオン動作を感知し、かつ維持するためのコンデンサ４と抵抗５による並列回路を設けた。 - 特許庁

A gate drive signal output from a gate pulse generation circuit (21) is output to a sense gate terminal Gs and a main gate terminal Gm and an input end of an MPU (24) via each correction resistor of a gate resistance value correction circuit 1 (22) and a gate resistance value correction circuit 2 (23).例文帳に追加

ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。 - 特許庁

The memory device includes: a memory cell MC configured by connecting a variable cell resistor Rcell and an access transistor AT in series between a plate line PL and a bit line BL; a drive control unit (a reference voltage generation control circuit 14 is a principal part); and the sense amplifier 7.例文帳に追加

可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴをプレート線ＰＬとビット線ＢＬとの間に直列接続させているメモリセルＭＣと、駆動制御部（参照電圧発生制御回路１４が要部）と、センスアンプ７とを有する。 - 特許庁

Aside from a first emitter region 104 needed for a switching operation, there is formed a second emitter region 110 that is electrically connected to a current detection circuit and yet electrically connected to the first emitter region 104 through a sense resistor 123 in a high-withstand voltage semiconductor switching element.例文帳に追加

高耐圧半導体スイッチング素子において、スイッチング動作に必要な第１エミッタ領域１０４とは別に、電流検出回路に電気的に接続され且つセンス抵抗１２３を通じて第１エミッタ領域１０４と電気的に接続された第２エミッタ領域１１０が形成されている。 - 特許庁

In a smart battery circuit, a voltage generated when a charging or discharge current flows in a current detecting sense resistor 101 is inputted into a gate of a depletion transistor 102, a drain-gate current is converted in an I-F conversion circuit 103 into a square wave of a frequency corresponding to the current, and the frequency is read by a microcomputer 108.例文帳に追加

スマートバッテリ回路において、電流検出用センス抵抗１０１に充放電電流が流れる際に発生する電圧を、ディプレッショントランジスタ１０２のゲートに入力し、ドレインゲート間電流をＩ−Ｆ変換回路１０３によって電流に応じた周波数の方形波に変換し、その周波数をマイコン１０８で読み取る。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with a first IGBT 1 controlling a main current and a second IGBT 2 preventing the excess current of a first IGBT 1, a first diode 9 and a second diode 10 are inversely connected in series between a first emitter 5 and a second emitter 6 so as to be parallel to a sense resistor 8.例文帳に追加

主電流を制御する第１ＩＧＢＴ１と、第１ＩＧＢＴ１の過電流を防止する第２ＩＧＢＴ２とを備えた半導体装置においては、第１エミッタ５と第２エミッタ６との間に、第１ダイオード９と第２ダイオード１０とが、センス抵抗８と並列となるようにして、逆直列に接続されている。 - 特許庁

A variable current source IS modifies an output current value, according to the voltage of a node N1 produced on the field plate resistance film 20 (field plate resistors R1 and R2) formed along the insulator film 14 from a gate electrode 19 to a drain electrode 17, so as to correct a detection voltage V2 of a sense resistor Rs.例文帳に追加

可変電流源ＩＳが、ゲート電極１９からドレイン電極１７にかけて絶縁膜１４上に沿って形成されたフィールドプレート抵抗膜２０（フィールドプレート抵抗Ｒ１およびＲ２）に生じるノードＮ１の電圧に応じて出力電流値を変更してセンス抵抗Ｒｓの検出電圧Ｖ２を補正する。 - 特許庁