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INPとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 インジウムリン
「INP」を含む例文一覧
該当件数 : 575件
An n-InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3, and a first p-InP clad layer 4 are stuck on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加
ｎ型InP基板１の上に、ｎ−InPバッファ層２、InGaAsP活性層３、第１ｐ−InPクラッド層４が積層されている。 - 特許庁
Hereupon, the upper end of the n-type InP current blocking layer 10 has the structure covered with the p-type InP buried layer 9 and the p-type InP current blocking layer 11.例文帳に追加
ｎ型InP電流ブロック層１０の上端部が、ｐ型InP埋め込み層９およびｐ型InP電流ブロック層１１により覆われた構造とする。 - 特許庁
InP SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
ＩｎＰ単結晶基板 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING InP SINGLE CRYSTAL AND InP SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
ＩｎＰ単結晶の製造方法及びＩｎＰ単結晶 - 特許庁
By this structure, the n-type InP current blocking layer 10 can be prevented from contacting with n-type InP clad layers 7, 12.例文帳に追加
上記構造とすることにより、ｎ型InP電流ブロック層１０がｎ型InPクラッド層７、ｎ型InPクラッド層１２と接触することを防ぐことができる。 - 特許庁
To enable to form an InP-based semiconductor element which is inherently lattice matched to an InP substrate on a GaAs substrate.例文帳に追加
本来InP基板に格子整合性を有するInP系半導体素子をGaAs基板に形成することができるようにする。 - 特許庁
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Weblio例文辞書での「INP」に類似した例文 |
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inp
a paste-pot
pittas
ピーウィー
pewees
プーク
せき込み
「INP」を含む例文一覧
該当件数 : 575件
MANUFACTURING METHOD OF InP SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
ＩｎＰ単結晶の製造方法 - 特許庁
When A and B are defined as an integer and INP is defined as an impulse noise protection value, the number of times of repeating the DMT symbols is calculated as N=A*INP+B.例文帳に追加
AとBを整数とし、INPをインパルス雑音保護値とした場合、DMT記号が繰り返される回数がN=A*INP+Bとして計算する。 - 特許庁
Furthermore, when INP is defined as an impulse noise protection value, the number of times of repeating the DMT symbols is calculated as N=INP+1.例文帳に追加
また、INPをインパルス雑音保護値とした場合、DMT記号が繰り返される回数がN=INP+1として計算する。 - 特許庁
A crystalline body of InP having an atomic composition ratio In/InP of In and P of ≥0.490 to <0.500 is used as raw material.例文帳に追加
InとPの原子組成比In／InPが０．４９０以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料として用いるようにした。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING InP POLYCRYSTAL例文帳に追加
ＩｎＰ多結晶の製造方法 - 特許庁
The p-InP cover layer 108 is etched with the SiO2 film 109 as a mask (Fig.3 (b)).例文帳に追加
SiO_2膜109をマスクとして、p-InPカバー層108をエッチングする（図３（b））。 - 特許庁
To provide a method for epitaxially growing an InP thin film at low temperature.例文帳に追加
InP薄膜を低温度で結晶成長させる方を提供する。 - 特許庁
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