「Tungsten hexafluoride」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD AND APPARATUS FOR TREATING EXHAUST GAS CONTAINING TUNGSTEN HEXAFLUORIDE例文帳に追加

六フッ化タングステンを含む排ガス処理方法及び排ガス処理装置 - 特許庁

To detoxify a harmful exhaust gas containing tungsten hexafluoride.例文帳に追加

六フッカタングステンを含む有害排ガスを無害化処理する - 特許庁

Thereafter, tungsten hexafluoride gas and monosilane gas are introduced again in the vacuum chamber.例文帳に追加

この後、六フッ化タングステンガスおよび前記モノシランガスを真空チャンバ内に再び導入する。 - 特許庁

Introduction of tungsten hexafluoride gas and monosilane gas is then stopped for a predetermined time.例文帳に追加

次に、六フッ化タングステンガスおよびモノシランガスの導入をある時間にわたって停止する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING TUNGSTEN HEXAFLUORIDE USING FLUIDIZATION REACTOR例文帳に追加

流動化反応器を用いる六フッ化タングステンの製造方法およびその装置 - 特許庁

To provide a method for purifying high-purity tungsten hexafluoride at a low cost enabling the easy production of tungsten hexafluoride having a purity higher than the purity attainable by conventional method.例文帳に追加

容易かつ低コストで、従来より高純度の六フッ化タングステンの製造が可能な高純度六フッ化タングステンの精製方法を提供すること。 - 特許庁

Tungsten hexafluoride gas and monosilane gas are first introduced in a vacuum chamber where the substrate is housed for a predetermined time.例文帳に追加

まず、基板が収容された真空チャンバ内に、六フッ化タングステンガスおよびモノシランガスをある時間にわたって導入する。 - 特許庁

After the W(CO)6 precursor is thermally decomposed, an additional layer of tungsten can be optionally formed thereon from the thermal decomposition of tungsten hexafluoride (WF6).例文帳に追加

Ｗ（ＣＯ）_6の先駆物質が熱分解された後、タングステンヘキサフルオライド（ＷＦ_6）の熱分解からタングステンの追加の層をその上に任意に形成することができる。 - 特許庁

Thereafter, the plasma is extinguished and tungsten hexafluoride gas is introduced in addition to the ammonia gas to grow a nitirde tungsten thin film 24 on the surface of the substrate.例文帳に追加

この後プラズマを消滅させ、アンモニアガスに加えて六フッ化タングステンガスを導入し基板表面に窒化タングステン薄膜２４を成長する。 - 特許庁

Tungsten hexafluoride containing molybdenum hexafluoride as an impurity is brought into contact with a layer filled with metal or alloy containing at least one metal selected from molybdenum, tungsten, copper, nickel, iron, cobalt, zinc, titanium, aluminum, calcium and magnesium at 0-100°C.例文帳に追加

不純物として六フッ化モリブデンを含有する六フッ化タングステンを、モリブデン、タングステン、銅、ニッケル、鉄、コバルト、亜鉛、チタン、アルミニウム、カルシウム、及びマグネシウムのうち、少なくとも一つを含む金属または合金を充填した層に０〜１００℃の温度で接触させることを特徴とする高純度六フッ化タングステンの精製方法。 - 特許庁

The nucleation layer can be deposited by using a first process gas which contains tungsten hexafluoride, silane, molecular hydrogen and argon and has a flow ratio of molecular hydrogen to argon of about 1.5:1 and also a partial pressure of tungsten hexafluoride of 0.5 Torr or below and allowing the first process gas to flow into the substrate processing chamber.例文帳に追加

核生成層は、六フッ化タングステン、シラン、分子水素およびアルゴンを含みアルゴンに対する分子水素の流量比が約１．５：１であり、また六フッ化タングステンの分圧が０．５トルに等しいかまったはそれ以下である第１の処理ガスを、前記基板処理チャンバ中へ流すことによって堆積される。 - 特許庁

For the heating element 3, a coating film of tungsten of which the impurity metal content is ≤0.01 weight% is formed on a surface of a base member made of tungsten, by an electron beam vapor deposition method taking tungsten powder of which the impurity metal content is ≤0.01 weight%, as an evaporation source or a chemical vapor deposition method using reduction with hydrogen of tungsten hexafluoride.例文帳に追加

発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。 - 特許庁

The lower base film 104 is formed by a heat CVD method, tungsten hexafluoride is used for the source gas of tungsten and ammonia for the source gas of nitrogen, the supply quantity of the source gas of nitride when the film is formed is increased and the lower base film 104 is formed.例文帳に追加

下部下地膜１０４は、熱ＣＶＤ法により形成し、タングステンのソースガスに６弗化タングステン，窒素のソースガスにアンモニアを用い、膜を形成するときの窒素のソースガスの供給量を多くして下部下地膜１０４を形成する。 - 特許庁

The bulk deposit layer can be deposited in such a way that it covers the above nucleation layer by allowing a second process gas containing tungsten hexafluoride and reductant to flow into the substrate processing chamber.例文帳に追加

バルク堆積層はその後、六フッ化タングステンおよび還元剤を含む第２の処理ガスを基板処理チャンバ内へ流すことによって、核生成層を覆って堆積される。 - 特許庁

To provide a reaction system for production of tungsten hexafluoride, which has a remarkably reduced reactor volume, can more easily control a reaction heat and significantly improves reaction efficiency by allowing tungsten having a specific gravity of 19.25 g/cm^3 to be distributed uniformly in the whole of reactor inside, thus maximizing the contact area between tungsten and reactant gas.例文帳に追加

比重１９．２５ｇ／ｃｍ^３のタングステンを反応器の内部全体にわたって均一に分布させて反応ガスとの接触面積を極大化させるにより、反応器の体積を著しく減少させたうえ、反応熱の制御をより容易にすることができ、反応効率を著しく改善させた六フッ化タングステンの製造反応システムの提供。 - 特許庁

The method for production of tungsten hexafluoride (WF_6) using the fluidization reactor includes: introducing tungsten powder into a closed reactor; spraying a pressurized inert gas onto the tungsten powder to fluidize it; and continuously supplying the tungsten powder and a pressurized gaseous fluorinating agent to the fluidized bed of tungsten powder to perform a contact reaction in such a fluidized state.例文帳に追加

タングステンとフッ素化剤とを接触反応させて六フッ化タングステン（ＷＦ_６）を製造する方法において、密閉した反応器内にタングステン粉末を投入し、ここに加圧された不活性ガスを噴射してタングステン粉末を流動化させ、ここに加圧されたガス状フッ素化剤とタングステン粉末を連続的に供給して流動化状態で接触反応させる、流動化反応器を用いる六フッ化タングステンの製造方法を提供する。 - 特許庁