「accelerating structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electric deionized water manufacturing apparatus having a simple apparatus structure, reduced in material cost, processing cost and assembling cost, accelerating the movement of adsorbed ionic impurities to facilitate the exclusion of the adsorbed ions and preventing the occurrence of nonuniform flow or the contact failure with an ion exchange membrane caused by expansion and contraction accompanying ion exchange reaction.例文帳に追加

装置構造が簡略であり材料費、加工費、組み立て費を軽減させ、吸着したイオン性不純物の移動を速めて吸着イオンの排除を容易にすると共に、イオン交換反応に伴う膨潤、収縮による片流れやイオン交換膜との接触不良が生じない電気式脱イオン水製造装置を提供すること。 - 特許庁

The catalyst for accelerating gasification reaction contains a composite oxide of transition metal and alkaline earth metal (e.g., dicalcium ferrite having a Brownmillerite type structure) added to the solid carbonaceous substance for use in order to accelerate reaction for generating gas containing carbon monoxide by bringing gas containing carbon dioxide and/or water vapor, into contact with solid carbonaceous substance.例文帳に追加

固体炭素質物質に二酸化炭素および／または水蒸気を含有するガスを接触させて一酸化炭素を含有するガスを生成させる反応を促進するために、前記固体炭素質物質に添加して用いられる、遷移金属とアルカリ土類金属の複合酸化物（例えばブラウンミラライト型構造を有するダイカルシウムフェライト）を含有するガス化反応促進用触媒。 - 特許庁

The hydrogen storage alloy compound material consists of a storage alloy formed on the surface of the substrate and can be manufactured by allowing the liquid particles of molten hydrogen storage alloy to collide with the surface of the substrate of heat-resistant material while accelerating them to high speed to deposit a thermally sprayed layer composed of splat laminated structure, and then applying fluoridation treatment to the thermally sprayed layer, if necessary.例文帳に追加

耐熱材料基板と、その表面に形成された水素吸蔵合金溶射層からなる水素吸蔵合金複合体であって、耐熱材料基板の表面に、溶融水素吸蔵合金の液状微粒子を高速度に加速して衝突させて、スプラットの積層構造からなる溶射層を形成させ、次いで所望に応じこの溶射層をフッ化処理することにより製造する。 - 特許庁

Using a gas material of hydride, fluoride or chloride of silicon atoms, an amorphous semiconductor film is formed by the plasma CVD, using intermittent discharge at a repetition frequency of 10 kHz or lower and a duty ratio of 50% or less, and an element for accelerating the crystallization of the amorphous semiconductor film is introduced into the surface of this film to obtain a semiconductor film having a crystal structure for utilizing this element.例文帳に追加

これは珪素原子の水素化物またはフッ化物または塩化物によるガスを原料として、繰り返し周波数１０ｋＨｚ以下、デューティー比５０％以下の間欠放電を用いたプラズマＣＶＤ法により非晶質半導体膜を形成し、その表面に該非晶質半導体膜の結晶化を助長する元素を導入し、当該元素を利用して結晶構造を有する半導体膜を得る。 - 特許庁

To provide a method for forming metal wirings of a semiconductor element capable of easily forming copper wirings in a fine structure because of facilitating a selective copper vapor deposition using a copper precursor by implementing a plasma process or a radical plasma process and leaving a chemical reinforcing material layer only at the bottom of damacine patterns after a chemical reinforcing material layer accelerating the copper vapor deposi tion, is formed.例文帳に追加

銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁