「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Relating to a material constituting a ferroelectrics layer of a ferroelectrics memory, a transiting metal oxide comprises a transition metal as a main component, wherein a difference between the energy level in d-state of a valence band of the transition metal in an atomic state constituting the transition metal oxide and the energy level in 2p state of oxygen constituting the transition metal oxide is 0.33 Ry or less.例文帳に追加

強誘電体メモリにおける強誘電体層を構成する材料であって、遷移金属酸化物において、前記遷移金属酸化物を構成する遷移金属の原子状態における価電子帯のd状態のエネルギーレベルと、前記遷移金属酸化物を構成する酸素の2p状態のエネルギーレベルの差が0.33Ry以内である遷移金属を主成分とする。 - 特許庁

The organic resin-coated steel sheet is constituted by providing an organic resin film, which contains a heterocyclic conjugated or hetero atom-containing conjugated type π conjugated polymer and a dopant for imparting conductivity to the π conjugated polymer, on the surface of a steel substrate through an interface layer comprising a silane coupling agent having at least one kind of an organic functional group selected from a cycloalkane and an atomic group having a π bond.例文帳に追加

シクロアルカン，π結合を有する原子団から選ばれた一種又は二種を有機官能基とするシランカップリング剤からなる界面層を介し、複素環式共役系又はヘテロ原子含有共役系のπ共役高分子及び該π共役高分子に導電性を付与するドーパントを含む有機樹脂皮膜が下地表面に設けられた有機樹脂被覆鋼板である。 - 特許庁

The fouling-protective additive comprises at least one inorganic and/or organic porous carrier and at least one fouling-protection working substance introduced into the porous carrier, wherein it is confirmed by a test on the outermost atomic layer of the product system by XPS that at least one part on the outermost surface of the product system is formed of the carrier material.例文帳に追加

少なくとも１の無機及び／又は有機多孔質担体と、前記多孔質担体中に導入されている少なくとも１の汚損防止作用物質とを含む汚損防止添加剤において、ＸＰＳによる生成物系の最外原子層の試験による確認で、生成物系の最外表面の少なくとも一部が担体材料により形成されていることを特徴とする、汚損防止添加剤。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face.例文帳に追加

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。 - 特許庁

The oxide superconductive thin film composed of a copper oxide super conductor, in which the atomic ratio of Y:Ba:Cu is 1:2:3, and having crystallinity c-axis-oriented in a direction vertical to the substrate is formed through the platinum(Pt) buffer layer having ≥40 Å, particularly ≥140 Åto <420 Å, particularly ≤400 Å thickness on the SiO2 substrate.例文帳に追加

ＳｉＯ_２基板上に、４０オングストローム以上、特に１４０オングストローム以上であって、４２０オングストローム未満、特に４００オングストローム以下の厚みの白金（Ｐｔ）バッファー層を介して、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕの原子比が実質上１：２：３である銅酸化物超電導体から成り、且つ基板と垂直方向にｃ軸配向した結晶性を有する酸化物超電導薄膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁