「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This inspection method for the atomic layer deposition film determines the result about formation of the atomic layer deposition film, by inspecting an atomic layer deposition film portion on a base by an X-ray photoelectron spectroscopy, when forming the atomic layer deposition film on the base.例文帳に追加

基体上への原子層堆積膜形成の際に、基体上の原子層堆積膜形成箇所をＸ線光電子分光法で検査することにより、原子層堆積膜形成の成否を判定する、原子層堆積膜の検査方法である。 - 特許庁

In particular, the atomic layer multilayer structure functions as a surface passivation layer, a transparent conducting layer and an antireflection layer.例文帳に追加

特に、原子層多層構造は表面パッシベーション層、透明導電層、さらには反射防止層として機能する。 - 特許庁

The content of P in the above oxide layer is 0.05 to 20 atomic %.例文帳に追加

上記酸化物層のPの含有量が、at%で0.05〜20%の範囲にある。 - 特許庁

PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ATOMIC LAYER DEPOSITION EQUIPMENT例文帳に追加

半導体装置の製造方法および原子層蒸着装置 - 特許庁

After the coating film is formed, the phase-change layer is formed by utilizing the atomic layer deposition method.例文帳に追加

コーティング膜を形成した後、相変化層は、原子層堆積法を利用して形成する。 - 特許庁

The present invention relates to a method of depositing a layer by an atomic layer growth method.例文帳に追加

本発明は、原子層成長法により層を堆積させる方法に関するものである。 - 特許庁

An atomic percentage of a residual oxygen content in the recording layer is 30% or less.例文帳に追加

記録層は残留酸素量が30原子％以下とされている。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR USING SOLUTION BASED PRECURSORS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION例文帳に追加

原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 - 特許庁

An atomic layer deposition method for depositing an oxide thin film is provided.例文帳に追加

酸化物薄膜を堆積する原子層堆積法が提供される。 - 特許庁

To provide a material coated with a metal single atomic layer where the surface of the substrate is coated with a metal single atomic layer, and manufacturing method therefor.例文帳に追加

基材表面が金属単原子層で被覆された金属単原子層被覆材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

ZIRCONIUM PRECURSOR USEFUL IN ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ZIRCONIUM-CONTAINING FILM例文帳に追加

ジルコニウム含有膜の原子層堆積に有用なジルコニウム前駆体 - 特許庁

The reflection layer is constituted of an alloy of Au and Cu and contains 50-99.9 atomic % Au and the heat radiating layer is also constituted of the alloy of Au and Cu and contains 0.1-99.9 atomic % Au.例文帳に追加

また、放熱層がＡｕとＣｕとの合金で構成されており、Ａｕ含有量を０．１〜９９．９原子％とする。 - 特許庁

ATOMIC LAYER DEPOSITION SYSTEM CAPABLE OF PREVENTING FORMATION OF POWDER IN EXHAUST ROUTE例文帳に追加

排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置 - 特許庁

To more easily perform the cleaning of an atomic layer growth device.例文帳に追加

原子層成長装置の洗浄がより容易に行えるようにする。 - 特許庁

To provide an improved gas delivery apparatus for atomic layer deposition.例文帳に追加

原子層堆積のための改良されたガス配送装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING BARRIER METAL FILM UTILIZING ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD例文帳に追加

原子層蒸着方法を利用した障壁金属膜の製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING TANTALUM OXIDE FILM UTILIZING PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD例文帳に追加

プラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR THIN FILM FORMATION BY ATOMIC LAYER GROWTH例文帳に追加

原子層成長による薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - 特許庁

FILM FORMING METHOD USING ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD AND ITS FILM FORMING DEVICE例文帳に追加

原子層成長法を用いた成膜方法及びその成膜装置 - 特許庁

METHOD FOR FORMING METAL LAYER UTILIZING ATOMIC LAYER VAPOR DEPOSITION, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

原子層蒸着法を利用した金属層形成方法およびこれを用いた半導体素子 - 特許庁

SELECTIVE GROWTH OF ZnO NANOSTRUCTURE USING PATTERNED ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) ZnO SEED LAYER例文帳に追加

パターニングされたＡＬＤＺｎＯシード層を用いたＺｎＯのナノ構造の選択的な成長 - 特許庁

ATOMIC LAYER VAPOR DEPOSITION DEVICE CAPABLE OF VAPOR- DEPOSITING THIN FILM ON PLURAL SUBSTRATE例文帳に追加

複数枚の基板に薄膜を蒸着可能な原子層蒸着装置 - 特許庁

When the surface is exposed to the NH_3, one atomic AlN layer is formed on the substrate 900.例文帳に追加

この時、基板９００上には、ＡｌＮが一原子層形成される。 - 特許庁

Further, the oxide layer 4 contains about 10 to about 30 atomic % C.例文帳に追加

また、酸化層４は、約１０〜約３０ａｔｍ％のＣを含有する。 - 特許庁

To provide an atomic-layer deposition method which forms a thin film having small internal stress while keeping such moisture-proof properties as to have been obtained by a conventional method, and to provide an atomic-layer deposition apparatus.例文帳に追加

原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING STRUCTURE OF SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ZINC OXIDE例文帳に追加

酸化亜鉛を選択的に原子層堆積させた構造物の製造方法 - 特許庁

The atomic layer multilayer structure covers the light receiving surface of the semiconductor structure coupling body.例文帳に追加

原子層多層構造は半導体構造結合体の被照面を覆う。 - 特許庁

Preferably the buffer layer and the superconductor are formed by a method by which each atomic layer can be laminated under the control of an atomic ratio.例文帳に追加

好ましくは、バッファー層及び超電導体の構造を、１原子層毎に、原子比率を制御して積層できる方法を用いて作成した超電導線材。 - 特許庁

The electrode 110 includes a metal layer 202 having a Ga content of equal to or more than 1 atomic number% and equal to or less than 25 atomic number%.例文帳に追加

電極１１０は、Ｇａ含有率が１原子数％以上２５原子数％以下の金属層２０２を有する。 - 特許庁

The first layer 51 consists of alloy including (a)-atomic% of cobalt and (100-a)-atomic% of iron while (a) is ≥20, ≤50.例文帳に追加

第１層５１は、コバルトをａ原子％、鉄を（１００−ａ）原子％含み、ａが２０以上、５０以下である合金よりなる。 - 特許庁

To provide an atomic layer (molecular layer) deposition apparatus which can surely separate reaction gases from one another.例文帳に追加

反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer growth method (ALD method) for improving chemical characteristics and electric characteristics of a deposited layer.例文帳に追加

堆積層の化学的特性及び電気的特性を改善するためのＡＬＤ方法を提供する。 - 特許庁

To provide atomic layer deposition equipment which generates plasma stably.例文帳に追加

安定してプラズマを発生させることができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MATERIAL BY ATOMIC LAYER DEPOSITION例文帳に追加

原子層堆積によって半導体材料を形成するためのシステム及び方法 - 特許庁

The atomic layer deposition method for depositing an oxide nanolaminate thin film is provided.例文帳に追加

酸化物ナノラミネート薄膜を堆積する原子層堆積法が提供される。 - 特許庁

To provide zirconium precursors useful in atomic layer deposition of zirconium-containing films.例文帳に追加

ジルコニウム含有膜の原子層堆積に有用なジルコニウム前駆体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film by using an atomic layer deposition(ALD).例文帳に追加

原子層蒸着（ＡＬＤ）を利用して薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In formation of the copper layer 20, the copper layer 20 is formed so that the percent of copper atom of the copper layer 20 is 0.5 atomic% or more and 5 atomic% or less to indium atom of the indium layer 22.例文帳に追加

このとき、銅層２０を形成する際においては、インジウム層２２のインジウム原子に対して、銅層２０の銅原子が０．５原子％以上、５原子％以下の割合になるように、この銅層２０を形成する。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM BY PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE例文帳に追加

低温でプラズマ励起原子膜の成膜によりシリコン酸化膜を成膜する方法 - 特許庁

The methods are characterized by the oxidization of an amorphous silicon layer using atomic oxygen.例文帳に追加

これらの方法は、原子酸素を用いてアモルファス・シリコン層の酸化を特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for depositing a metal on diffusion barrier layers by atomic layer deposition.例文帳に追加

拡散バリア層に原子層堆積によって金属を被着させる方法の提供。 - 特許庁

In the gas barrier film alternately having barrier layers which consist of much more inorganic substance at least, and organic layers much more at least on a plastic plate; at least one layer of the barrier layers is a gas barrier film formed by the atomic layer depositing method (the Atomic Layer Deposition: ALD method).例文帳に追加

プラスチック基板上に、少なくとも一層の無機物からなるバリア層と少なくとも一層の有機層とを交互に有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層の少なくとも一層が原子層デポジッション法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ法）によって形成されたことを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

In the protective film for atomic power facilities composed of three layers, the thickness ratio of the intermediate layer and the outer layers is preferably outer layer-intermediate layer-outer layer=2:1:2-1:4:1.例文帳に追加

この３層からなる原発養生用フィルムは、中層と外層との厚さ比が、外層：中層：外層＝２：１：２〜１：４：１が好ましい。 - 特許庁

The thin film has a protective layer containing oxygen in at least 60 atomic % in at least an upper layer part.例文帳に追加

そして、前記薄膜は、少なくとも上層部に酸素を６０原子％以上含有する保護層を有する。 - 特許庁

DEVICE FOR FORMING SURFACE-TREATED LAYER, METHOD FOR FORMING SURFACE-TREATED LAYER AND CONTROL ROD FOR ATOMIC FURNACE AT WHICH THE SURFACE-TREATED LAYER IS FORMED例文帳に追加

表面処理層の形成装置、表面処理層の形成方法及びその表面処理層が形成された原子炉用制御棒 - 特許庁