「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The atomic layer step has an average terrace width value of equal to or larger than 0.2 μm to less than 1 μm.例文帳に追加

原子層ステップのテラス幅の平均値は、０．２μｍ以上１μｍ未満である。 - 特許庁

To improve the etching resistance of a silicon nitride film formed by low-temperature atomic layer deposition.例文帳に追加

低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。 - 特許庁

The atomic ratio of titanium to silicon in the high refractive index layer is preferably Ti:Si=98:2-50:50.例文帳に追加

好ましくは、高屈折率層のチタンとケイ素の原子比をＴｉ：Ｓｉ＝98：2〜50：50とする。 - 特許庁

To provide a method for correctly controlling film formation conditions of ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加

ＡＬＤ（原子層堆積）の成膜条件を適正に制御する方法を提供する。 - 特許庁

To form a thin film having uniform film quality with a simple configuration by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

原子層堆積法により、簡易な構成で均一な膜質の薄膜を形成する。 - 特許庁

To enhance reliability of a capacitor including a capacitance film formed by an atomic layer depositing method.例文帳に追加

原子層堆積法により成膜された容量膜を含むキャパシタの信頼性を高める。 - 特許庁

These compositions are useful in the deposition of thin films, such as by atomic layer deposition.例文帳に追加

これらの組成物は、例えば、原子層堆積による薄膜の堆積において有用である。 - 特許庁

To further improve a film forming speed in forming a thin film using an atomic layer growing method.例文帳に追加

原子層成長法による薄膜の形成において、成膜速度をより向上させる。 - 特許庁

The hydrogen atomic adsorption surface (8) is disposed adjacent to the insulating layer (3).例文帳に追加

各水素原子吸着表面部（８）は、絶縁層（３）に隣接して配置されている。 - 特許庁

The catalyst layer 14 ionizes hydrogen gas into atomic hydrogen to store and release it.例文帳に追加

触媒層１４は水素ガスを原子状の水素に電離して吸蔵および放出する。 - 特許庁

Then, the catalyst layer 12 carries out solid-phase diffusion ionizing hydrogen gas into atomic hydrogen.例文帳に追加

そして、触媒層１２は水素ガスを原子状の水素に電離して固相拡散させる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ATOMIC LAYER WITH VAPOR DEPOSITION UTILIZING ORGANOMETALLIC COMPLEX HAVING LIGAND OF β- DIKETONE例文帳に追加

β−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を利用した原子層蒸着方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ADSORPTION SITE BLOCKING ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法、並びに吸着サイト・ブロッキング原子層堆積法 - 特許庁

And the crystalline phase change layer (100) smooth at the atomic level created by this method.例文帳に追加

および、この方法によって作られる原子レベルで滑らかな結晶性相変化層(100)。 - 特許庁

The method for producing the mask comprises: a first step where the atoms of a mask material are deposited to form an atomic layer deposited film A on a substrate S using an atomic layer deposition method; and a second step where the atomic layer deposited film A on the substrate S is selectively oxidized or nitrided.例文帳に追加

原子層堆積法を用い、基板Ｓ上にマスク材料の原子を堆積させて原子層堆積膜Ａを形成する第一工程と、基板Ｓ上の原子層堆積膜Ａを選択的に酸化または窒化する第二工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

A first layer is made of one and more materials having a small Z/A (atomic number/atomic weight) ratio selectively decreasing electron and proton radiation.例文帳に追加

第１層は、選択的に電子及び陽子放射線を減じる小なるZ/A（原子番号／原子量）比を有する１つ以上の材料からなる。 - 特許庁

A second layer is made of one and more materials having a large Z2/A (the square of an atomic number/atomic weight) ratio selectively decreasing braking radiation.例文帳に追加

第２層は、選択的に制動放射線を減じる大なるZ^2/A（原子番号の二乗／原子量）比を有する１つ以上の材料からなる。 - 特許庁

The gas barrier film comprises a transparent thin film layer containing 2 to 64 atomic % of an oxygen, 0.5 to 56 atomic % of a nitrogen, 0.5 to 55 atomic % of a silicon and 5 to 80 atomic % of an aluminum and formed on at least one surface of a plastic film.例文帳に追加

プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、酸素濃度２〜６４原子％、窒素濃度０．５〜５６原子％、珪素濃度０．５〜５５原子％、およびアルミニウム濃度５〜８０原子％からなる透明薄膜層が形成されたガスバリヤー性フィルムである。 - 特許庁

A metal atomic layer and an oxygen atomic layer are formed in this sequence through an ALD method and subjected to quick thermal annealing through an RTA (Rapid Thermal Annealing) method.例文帳に追加

ＡＬＤ法により、金属原子層、酸素原子層をこの順で形成した後、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）による急速熱アニールを行う。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING NITRIDE FILM FORMED BY LOW-TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR ETCH-STOP LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

低温原子層蒸着による窒化膜をエッチング阻止層として利用する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide an ALD (atomic layer growth) method and to provide a reactor for forming a high quality ALD layer in the state of an optimized process.例文帳に追加

ＡＬＤ法と、最適化されたプロセス状態で高品質ＡＬＤ層を形成するためのリアクタを提供する。 - 特許庁

The diffusion consolidates the metallic layer 16 through atomic transport to fill microvoids in the metallic layer 16.例文帳に追加

この拡散で、金属層１６の微細空孔を満たすように原子が移動することによって、金属層１６が強固になる。 - 特許庁

The substrate includes a layer 23, deposited by the deposition of an atomic layer, comes into contact with the second region 22 in the dielectric layer 1.例文帳に追加

基板は、さらに、誘電体層１の第２の領域２２に接触している、原子層堆積により堆積された層２３を含んでいる。 - 特許庁

Also a method of forming a barrier layer from purified pentakis(dimethylamido)tantalum, for example, a tantalum nitride barrier layer by atomic layer deposition is claimed.例文帳に追加

また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 - 特許庁

A core 3 is constituted of the laminated structure of a rare earth containing layer 301, containing Er and having a thickness of one atomic layer, for example, and a rare earth not containing layer 302, not containing rare earth element and having a thickness of 4 atomic layers, for example.例文帳に追加

コア３を、Ｅｒを含む例えば膜厚が１原子層の希土類含有層３０１と、希土類元素を含まない例えば膜厚が４原子層の希土類非含有層３０２との積層構造とする。 - 特許庁

To provide a superconducting element having a structure as the laminate of the superconducting layer and non-superconducting layer and with the thickness of the non-superconducting layer finely adjusted on an atomic layer level.例文帳に追加

超電導層と非超電導層を積層した構造を有し、非超電導層の厚さを原子層レベルで細かく調節できる超電導素子を提供する。 - 特許庁

In the peel surface of the resin film and the electroconductive layer, the ratios of the respective atomic numbers of copper, iron, aluminum and silver occupying the total atomic number are set to 0.1% or below.例文帳に追加

樹脂フィルムと電気伝導層との剥離面において、全原子数に占める銅、鉄、アルミニウム、銀それぞれの原子数割合を０．１％以下とする。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition (ALD) system capable of preventing the formation of powder in exhaust routes.例文帳に追加

排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置（ＡＬＤ）を提供する。 - 特許庁

An oxide film 13 is formed on the surface of a superconductor 12 using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

原子層堆積法を用いて超伝導体１２の表面に酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

To enhance the reliability of a capacitor including a capacitance film formed by an atomic layer depositing method.例文帳に追加

原子層堆積法により成膜された容量膜を含むキャパシタの信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a data memory medium having the surface of a phase change layer smooth at an atomic level.例文帳に追加

原子レベルで滑らかな相変化層表面を有するデータ記憶媒体を提供すること。 - 特許庁

The atomic layer plating is used for providing firm films on a plurality of disk type base materials.例文帳に追加

原子層めっきは複数のディスク型基材上に固い被膜を提供するために使用される。 - 特許庁

In the case that the first layer is TiN_X, atomic% of Ti is at least about 40.例文帳に追加

第１層がＴｉＮ_Xである場合は、Ｔｉの原子パーセントは少なくとも約４０パーセントである。 - 特許庁

An atomic percentage of the dopant is greater than or equal to 5% of the first AHM layer.例文帳に追加

少なくとも１つのドーパントの原子濃度は、第１のＡＨＭ層の５％以上である。 - 特許庁

The content of fluorine atoms in the fluorine-containing amorphous carbon layer 14 is 5 to 35 atomic%.例文帳に追加

フッ素含有非晶質炭素層１４のフッ素原子の含有率は、５atomic%以上、３５atomic%以下である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SOLID THIN FILM CONTAINING SILICON ACCORDING TO ATOMIC LAYER VAPOR DEPOSITION USING TRIS DIMETHYL AMINOSILANE例文帳に追加

トリスジメチルアミノシランを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法 - 特許庁

Br atoms are chemically bonded to the substrate surface of Si atoms to form an atomic layer.例文帳に追加

まず、Ｓｉ原子の基板表面にＢｒ原子を化学結合させて原子層を形成する。 - 特許庁

Here, each of the silicon, carbon, and oxygen is contained in the dielectric layer in an amount of some atomic concentration.例文帳に追加

ここで、前記誘電体層は、シリコン、炭素、及び酸素の各々をある原子濃度で含む。 - 特許庁

Thus, the AlGaN layer having the flat surface in the substantially atomic level can be formed.例文帳に追加

これにより、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE PHASE CHANGE LAYER OF SMOOTH SURFACE FOR ATOMIC RESOLUTION STORAGE例文帳に追加

アトミックレゾリューション・ストレージ用の滑らかな表面の結晶性相変化層を製造する方法 - 特許庁

In a second fixed magnetic layer 14c and a free magnetism layer 16 interior, the atomic% of an element Z is made small in a nearer region in a nonmagnetic substance layer 15.例文帳に追加

第２固定磁性層１４ｃ及びフリー磁性層１６内部において、元素Ｚの原子％を非磁性材料層１５に近い領域で小さくする。 - 特許庁

The second barrier layer 14, which is formed on the first barrier layer 13 by an atomic layer deposition method, is made of a second inorganic material having water vapor barrier properties.例文帳に追加

第２のバリア層１４は、第１のバリア層１３の上に原子層堆積法によって形成され、水蒸気バリア性を有する第２の無機材料からなる。 - 特許庁

By now growing this seed layer with atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD), a high quality layer can be grown.例文帳に追加

ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。 - 特許庁

To provide a substrate useful for a semiconductor process, having a layer deposited by an ALD (atomic layer deposition) on a dielectric layer formed with an organic material-containing material.例文帳に追加

有機物含有材料でつくられている誘電体層上にＡＬＤにより堆積された層を有する、半導体プロセスに有用な基板を提供する。 - 特許庁

Further, in the metal coating layer 16, an atomic density of at least part containing the surface of the metal coating layer 16 is enhanced.例文帳に追加

さらに、金属被覆層１６において、この金属被覆層１６の表面を含む少なくとも一部の原子密度を高める。 - 特許庁