「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having a low resistance silicide layer deposited on a substrate while having a planar interface on atomic level.例文帳に追加

原子レベルで平坦な界面をもって基板上に堆積され、しかも低抵抗のシリサイド層を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The dielectric layer is obtained by first deposition of a thin TiO_2 protective layer by atomic layer growth using water as an oxidant and subsequent deposition of a second dielectric body by ALD using O_3 as an oxidant.例文帳に追加

誘電体層は、酸化剤として水を用いた原子層成長による、薄いＴｉＯ_２保護層の最初の堆積と、これに続くＯ_３を酸化剤として用いたＡＬＤによる第２誘電体の堆積とにより得られる。 - 特許庁

When the oxygen-rich layer (4) is formed, the semiconductor substrate (1) is irradiated with the radiation and atomic vacancies are formed among the crystal lattices of the semiconductor substrate (1), the recombination region (5) is formed to the oxygen-rich layer (4) by composite faults formed by bonding oxygen and the atomic vacancies.例文帳に追加

酸素富裕層(4)を形成した後に、半導体基板(1)に放射線を照射して、半導体基板(1)の結晶格子間に原子空孔を形成すると、酸素と原子空孔とが結合して成る複合欠陥により酸素富裕層(4)に再結合領域(5)が形成される。 - 特許庁

The transparent conductive film (pixel electrode 9) has indium tin oxide as a principal component and has a plurality of portions (a first conductive layer 9a, a second conductive layer 9b) having different tin concentration which is a ratio of tin atomic number against the total atomic number of indium atom and tin atom.例文帳に追加

本発明に係る透明導電膜（画素電極９）は、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位（第１の導電層９ａ、第２の導電層９ｂ）を有している。 - 特許庁

The write-once type optical recording medium is provided with a recording layer containing at least Bi, B and O on a substrate, and the atomic ratio of Bi to B in the recording layer is 3/7≤Bi/B≤8.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、Ｂｉ、Ｂ及びＯを含有する記録層を備え、記録層におけるＢｉとＢの原子比が３／７≦Ｂｉ／Ｂ≦８である追記型光記録媒体である。 - 特許庁

To provide a method for preparing a metal-containing layer having uniform, conformal thickness and smooth surfaces by ALD (atomic layer deposition) process using specific metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The N type layer 20 on the deep side is made of an element (for example, phosphorus (P)) smaller in mass (atomic weight) than an element (for example, arsenic (As)) forming the N type layer 22 on the shallow side.例文帳に追加

深い方のＮ型層２０は、浅い方のＮ型層２２を構成する元素（例えば、砒素（Ａｓ））よりも質量（原子量）が小さい元素（例えば、燐（Ｐ））により構成される。 - 特許庁

This galvannealed steel sheet is peculiarly provided with a flattened part on the metal coated surface and an oxide layer containing ≥20 atomic % Al oxide on the surface layer of the flattened part.例文帳に追加

めっき表面に平坦部を有し、その平坦部の表層にAl酸化物を20at%以上含有する酸化物層を有することを特徴とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

In the cathode mixture layer, the difference between the conductive agent amount (atomic number) in the vicinity of the metal foil and the conductive agent amount (atomic number) at its surface is 20.0% or lower; while the content of the conductive agent is 0.5% to 10%.例文帳に追加

正極合剤層は、その金属箔近傍における導電剤量（原子数）とその表面における導電剤量（原子数）との差が２０．０％以下であり、且つ導電剤の含有量が０．５〜１０％である。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition method by which a gas which does not contribute to deposition of a thin film is sufficiently trapped in an exhaust trap.例文帳に追加

薄膜の形成に寄与しなかったガスを排気トラップにおいて十分にトラップすることができる原子層堆積方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON-RICH NANOCRYSTAL STRUCTURE USING ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法 - 特許庁

The epitaxial growth technology is capable of controlling and forming the line width of the metal mark section 202 to an order of atomic layer.例文帳に追加

また、エピタキシャル成長技術を用いることによって、金属マーク部２０２の線幅を、原子層オーダで制御して形成することが可能である。 - 特許庁

To provide synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process.例文帳に追加

本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition device which can improve the uniformity in the film quality and film deposition rate of a film formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成される膜の膜質および成膜レートの均一性を向上させることができる原子層成長装置を提供する。 - 特許庁

Next, as shown in Fig. (c), a very thin oxide film 13 of an atomic layer level is applied on the surface of the member 12 and this oxide film 13 is used s the uppermost surface of the mother material 11.例文帳に追加

次に、（ｃ）に示すように、溶射部材１２表面に原子層レベルの極薄い酸化膜１３を被覆し、これを最表面とする。 - 特許庁

On the High-k film 412, an extremely thin silicon nitride film 413 of 10 Å or less is further formed by an ALD (atomic layer deposition) method or the like.例文帳に追加

このＨｉｇｈ−ｋ膜４１２上にＡＬＤ法などにより１０Å以下の極薄のシリコン窒化膜４１３を形成する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus that improves use efficiency of a liquid raw material to stably supply a raw material gas pulsatively.例文帳に追加

液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

To provide a hafnium precursor able to be used for heaping a hafnium metal oxide thin film by CVD or ALCVD (atomic layer chemical vapor deposition).例文帳に追加

ＣＶＤまたはＡＬＣＶＤによってハフニウム金属酸化物薄膜を堆積するために用いられ得るハフニウム前駆体を提供すること。 - 特許庁

Metallic component ratios (a), (b) and (c) in a component of the A layer are 0.1≤a≤0.35, 0.45≤b≤0.7, 0.1≤c≤0.35, a+b+c=1 in an atomic ratio.例文帳に追加

Ａ層の組成における金属成分比ａ，ｂ，ｃは原子比で、０．１≦ａ≦０．３５、０．４５≦ｂ≦０．７、０．１≦ｃ≦０．３５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。 - 特許庁

The outer peripheral surface of the roll substrate is clad with the Ni layer, then the Cr layer by plating and is then heat treated for ≥2 hours at ≥500°C, by which a Cr-Ni alloy region of 25 to 75 atomic % in Cr content is formed at the boundary between the Cr layer and the Ni layer at a thickness above 1 μm.例文帳に追加

ロール基体の外周面にNi層と次にCr層をめっきにより被覆した後、500 ℃以上の温度で２時間以上の熱処理を行って、Cr層とNi層との界面に、Cr含有量が25〜75原子％のCr−Ni合金領域を１μｍ以上の厚さで形成する。 - 特許庁

At the time of manufacturing a photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer containing n-type impurities and a semiconductor layer containing p-type impurities formed thereon, the semiconductor layer containing n-type impurities is made to contain a first n-type impurity having a relatively small atomic radius and a second n-type impurity having a relatively large atomic radius.例文帳に追加

ｎ型不純物半導体層と、その上に形成されたｐ型不純物半導体層とを備えた光電変換素子を作製するにあたって、ｎ型不純物半導体層に、相対的に小さな原子半径を有する第１のｎ型不純物と、相対的に大きな原子半径を有する第２のｎ型不純物とを含有させる。 - 特許庁

The black pigment particle has a non-magnetic core particle consisting of a light element with an atomic number of ≤22, an isoelectric point control layer that covers the core particle, and an oxide layer at least containing iron which covers the intermediate layer.例文帳に追加

本発明の黒色顔料粒子は、原子番号が２２以下の軽元素からなる非磁性コア粒子と、該コア粒子を被覆する等電点コントロール層と、該中間層を被覆する、少なくとも鉄を含有する酸化物層とを有する。 - 特許庁

The resonance tunnel diode has a structure sandwiching a quantum well layer between a pair of energy barrier layers, and the quantum well layer is composed of a semiconductor nano-structure (e.g. a single-layer carbon nanotube (CNT)) having an anisotropic atomic arrangement.例文帳に追加

本発明の共鳴トンネルダイオードは、量子井戸層を一対のエネルギ障壁層で挟んだ構造を持ち、量子井戸層は、異方的原子配列を持つ半導体ナノ構造体（例えば単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ））からなる。 - 特許庁

To provide a film deposition method where, at the time of depositing a metal-containing thin film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method, the film deposition rate can be increased.例文帳に追加

ＡＬＤ法によって金属を含む薄膜を形成する際に、成膜速度を上昇させることができる成膜方法を提供すること。 - 特許庁

Thereby, the method makes diversifisication of usable precursors compatible with forming the superior atomic layer of metal oxide at a low temperature.例文帳に追加

従って、本発明によれば、使用可能な前駆体の多様化と低温で優れた金属酸化物の原子層を形成させることの両立が図られる。 - 特許庁

To apply atomic layer deposition (ALD) methods to various film formations to improve throughput, and to miniaturize a device simultaneously.例文帳に追加

原子層成長（ＡＬＤ）法を種々の成膜に適用すること及びスループットを向上させることを可能にし、同時に装置の小型化を実現することである。 - 特許庁

Subsequently, a second metal film 15 principally comprising a second high melting point metal is deposited on the first metal film 14 by atomic layer deposition.例文帳に追加

次に、原子層堆積法により、第１の金属膜１４の上に第２の高融点金属を主成分とする第２の金属膜１５を堆積する。 - 特許庁

To provide a growth method of fine particles and a growth apparatus thereof which permits the growth of the fine particles with the accuracy of atomic layer order in the radial direction.例文帳に追加

動径方向に原子層オーダーの精度で微粒子の成長を行うことができる微粒子の成長方法および成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ALD(Atomic Layer Deposition) thin film vapor deposition apparatus provided with a cleaning apparatus by which dry cleaning is efficiently performed, and after the cleaning, thin film vapor deposition can easily be performed.例文帳に追加

効率良く乾式クリーニングし、クリーニング後、薄膜蒸着が容易に行えるクリーニング装置を備えたＡＬＤ薄膜蒸着装置を提供する。 - 特許庁

The deposition method can also be made to have a process step of depositing the atomic layer of first species at a temperature nearly optimum for deposition of the first species on the substrate.例文帳に追加

堆積方法はまた、基板上に、第１スピーシの堆積にほぼ最適な温度で、第１スピーシを原子層堆積する工程を有することができる。 - 特許庁

To form a film consisting of metal oxide and metal nitride more quickly, while retaining high-quality characteristics, generated by atomic layer growing method, as they are.例文帳に追加

原子層成長法による高品質な特性を保持したまま、より迅速に金属酸化物や金属窒化物からなる膜が形成できるようにする。 - 特許庁

The device for growing an atomic layer includes a lower electrode 102, an upper electrode 103, and an insulation seal part 104, wherein a sealable film formation chamber 101 is formed with them.例文帳に追加

下部電極１０２，上部電極１０３，および絶縁シール部１０４とを備え、これらで密閉可能な成膜室１０１を構成している。 - 特許庁

The surface nitrogen atomic weight is controlled by the ratio of the isocyanate group weight (mol) of a curing agent content of the adhesive layer (C) to the hydroxyl group weight (mol) of a principal agent.例文帳に追加

表面の窒素原子量は、接着剤層（Ｃ）中の硬化剤のイソシアネート基量（ｍｏｌ）と主剤の水酸基量（ｍｏｌ）の割合で制御する。 - 特許庁

The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved.例文帳に追加

SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。 - 特許庁

To provide a method and a structure for feeding a vaporized reactant to a vapor phase deposition reactor such as an atomic layer deposition (ALD) reactor from a liquid source.例文帳に追加

液体ソースから原子層堆積（ＡＬＤ）反応炉などの気相堆積反応炉に気化反応物を供給する方法および構造を提供すること。 - 特許庁

The nanocrystal having a required size is formed by repeating the atomic-layer evaporating-process cycles at a plurality of times while confirming the size of the nanocrystal.例文帳に追加

前記ナノクリスタルの大きさを確認しながら、前記原子層蒸着工程サイクルを複数回繰り返して要求する大きさの前記ナノクリスタルを形成する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus that is cleaned easily because thin films are not formed in a wide region other than a substrate as conventionally.例文帳に追加

従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide an article comprising a plastic or glass substrate and an air-permeable barrier produced by an atomic layer deposition.例文帳に追加

本発明は、プラスチックまたはガラス基板と原子層蒸着によって製造された大気透過バリアとを含んでなる物品を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition method for improving a film forming speed, while suppressing decrease in the reaction between a material gas and a reaction gas.例文帳に追加

原料ガスと反応ガスとの反応が低下するのを抑制しつつ、成膜速度を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

A self-selecting storage device is formed by depositing a zinc oxide (ZnO) over a phase-change material through the use of atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ）を使用して、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）を層変化材料の上に堆積させることで、自己選択型記憶デバイスが形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicon-rich nanocrystal structure that uses an atomic layer deposition process, and to provide a method of manufacturing nonvolatile semiconductor devices.例文帳に追加

原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法、及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法が開示される。 - 特許庁

A method is disclosed that uses a low temperature atomic layer deposition (ALD) process to manufacture an Sr_xTi_yO_3 based metal-insulator-metal (MIM) capacitor.例文帳に追加

低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。 - 特許庁

To provide a dielectric substance forming method using an atomic layer deposition method (ALD) and a method for forming the dielectric film from the dielectric substance on the semiconductor device.例文帳に追加

原子層蒸着法を利用して誘電物質を形成する方法及び半導体装置上に物質から誘電膜を形成する方法を開示する。 - 特許庁

On a silicon substrate 1, the high-density silicon oxide film 3 having a density of 2.25 g/cm^3 or higher is formed via a sub-oxide layer 2 formed of not more than several atomic layers.例文帳に追加

シリコン基板１上に数原子層以下のサブオキサイド層２を介して密度が2.25ｇ／ｃｍ^３以上の高密度シリコン酸化膜３を設ける。 - 特許庁

To provide a system approach that will effectively address and overcome the current limitations of ALD technology, leading to commercial viability for ALD (atomic layer deposition) systems.例文帳に追加

ＡＬＤ技術の現在の制限を効率的に解決および解消して、ＡＬＤシステムを商業上実現可能にするシステムアプローチを教示する。 - 特許庁