「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The normal temperature magnetic ferroelectric superlattice is constituted by layering at least two kinds of ferroelectric oxide thin films on a substrate, wherein the oxide thin film of each layer is composed of an odd number of atomic layers.例文帳に追加

基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 - 特許庁

The catalyst for cleaning exhaust including a catalyst layer that contains a complex oxide composed of lanthanoid at an atomic ratio of at least 40%, is characterized in that the complex oxide has an oxygen storage rate of 0.55 to 0.75 wt.%.例文帳に追加

排ガス浄化用触媒に、ランタノイドを４０％以上の原子割合で含み、酸素吸蔵率が、０．５５〜０．７５重量％である複合酸化物を含む触媒層を含有させる。 - 特許庁

Metal alkylamide (TEMAZ) and silicon alkylamide (TEMASiH) are used as a metal precursor and a silicon precursor, respectively, and the precursors are supplied to a reaction vessel 103 at the same time to perform ALD (atomic layer deposition).例文帳に追加

金属アルキルアミド（ＴＥＭＡＺ）を金属前駆体とし、シリコンアルキルアミド（ＴＥＭＡＳｉＨ）をシリコン前駆体として、前駆体を同時に反応容器１０３に供給してＡＬＤ（原子層堆積）を行う。 - 特許庁

To provide a method for forming a film comprising a metal which has a uniform and conformal thickness and a smooth surface on the surface of a substrate by an ALD (Atomic Layer Deposition) process using specified metal precursors.例文帳に追加

特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for forming an insulating film by atomic layer deposition in which residual carbon can be removed sufficiently and an oxygen rich film is not formed excessively.例文帳に追加

原子層蒸着による絶縁膜の形成において、充分な残留炭素の除去が可能でかつ過剰に酸素リッチな膜質が狭持されることのない成膜が可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a unique combination of solution stabilization and delivery technologies with a special ALD operation mode for using low volatility solid ALD (atomic layer deposition) precursors dissolved in solvents.例文帳に追加

溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced.例文帳に追加

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film forming method using an atomic layer evaporation method, which is applied to the formation of a gate insulating film that has a high permittivity, is thermally stable, hard to be crystallized, and superior in film characteristics.例文帳に追加

比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a thin film transistor including an oxide, as an active material layer, comprising elements In, Ga and Zn in the ranges of atomic ratios of the following regions 1, 2 or 3, and has an electron field-effect mobility of 25 cm^2/Vs or greater.例文帳に追加

元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The galvannealed steel sheet ahs a flattened part on the surface, and an oxide layer composed of <20 atomic % Al concentration and the balance substantially Zn and having ≥10 nm thickness exists on the surface of flattened part, and the producing method is provided.例文帳に追加

平坦部を表面に有し、その平坦部表面のAl濃度が20at%未満で、残部が主としてZnからなる酸化物層が10nm以上の厚さで存在する合金化溶融亜鉛めっき鋼板及びその製法。 - 特許庁

This invention is related to an object having a surface oxide layer with the thickness of ≤20 nm containing chromium and cobalt oxide and having the atomic ratio of Cr/Co of >3.例文帳に追加

本発明は、クロムおよびコバルトの酸化物を含んでいる、厚さが２０ｎｍ以下の表面酸化物層であって、Ｃｒ／Ｃｏの原子比が３より大きい表面酸化物層を有する物品に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a low-resistance electrode is relatively easily formed on an N atomic plane of a gallium nitride-based compound semiconductor layer, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

窒化ガリウム系の化合物半導体層のＮ原子面上に比較的簡単に低抵抗な電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

This film material has an atomic mass less than that of the lower layer of electrodes and the electron colliding with the above film results in discharging less X-ray than the electron collides with the above electrode.例文帳に追加

この被膜材料は、下層の電極よりも少ない原子質量を有し、前記被膜に衝突する電子は、前記電極に衝突する電子よりも、Ｘ線を放出する量が少ない。 - 特許庁

The method for forming the semiconductor structure includes reacting a silicon precursor and an atomic oxygen precursor at a processing temperature of about 150°C or less to form a silicon oxide layer over a substrate.例文帳に追加

半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。 - 特許庁

The atomic layer deposition chamber 22 includes a gas distributing device 40 having a central cap part 60 with a conical passage 78 between a gas flow-in part 64 and a gas flow-out part 66.例文帳に追加

原子層堆積チャンバ２２は、ガス流入部６４とガス流出部６６との間に円錐状流路７８を有している中央キャップ部６０を備えたガス分配装置４０を備えている。 - 特許庁

A solar cell includes an n-layer containing In, Ga, Zn and O, and an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有するｎ層を備え、このｎ層中のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である太陽電池である。 - 特許庁

According to the invention, the gate lamination layer is deposited by the atomic layer depositing method type processing, and whole electronegativity of the gate electrode is adjusted by introducing at least one pulse of an additional precursor into the selected deposition cycle of the gate electrode.例文帳に追加

本発明によると、ゲート積層は原子層堆積法のタイプの処理によって堆積され、ゲート電極の全体的電気陰性度は、ゲート電極の選択した堆積サイクルに少なくとも１回の追加前駆体のパルスを導入することによって調整される。 - 特許庁

The display element 11 holds an organic layer 14 including at least an organic light-emitting layer 14c between a negative electrode 15 and a positive electrode 13, at least either of which contains hafnium (Hf: atomic number 72).例文帳に追加

陰極１５と陽極１３との間に、少なくとも有機発光層１４ｃを含む有機層１４を挟持してなる表示素子１１において、陰極１５および陽極１３のうちの少なくとも一方は、ハフニウム（Ｈｆ：原子番号７２）を含有することを特徴とする。 - 特許庁

In the implantation inhibition layer forming process, the implantation inhibition layer is formed of a material which comprises an element whose atomic weight is larger than a silica atom as a structure element and whose melting point is higher than a temperature of the silicon carbide substrate when the ions are implanted.例文帳に追加

さらに、注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつイオンが注入されるときの炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる注入阻止層を形成する。 - 特許庁

The recording layer irradiated with a laser beam for recording, contains an Mn oxide, has an atomic ratio of Mn to all metal elements constituting oxides contained in the recording layer at 80 atom% or less, and contains no metal Mn.例文帳に追加

レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、Ｍｎ酸化物を含み、前記記録層に含まれる酸化物を構成する全金属元素中に占めるＭｎの原子比が８０原子％以下であると共に、金属Ｍｎを含まないことに要旨を有する。 - 特許庁

The atomic content of a ferromagnetic element at an ion implantation part is increased by implanting ions of the ferromagnetic element to the precursor layer of a second magnetic recording layer 26 of a magnetic recording medium having a first magnetic recording layer 24 constituted of crystal grain boundary consisting of ferromagnetic crystal particles and oxide, and the second magnetic recording layer 26 which does not contain oxide, using ion implantation method.例文帳に追加

強磁性結晶粒子と酸化物からなる結晶粒界で構成された第一磁気記録層２４と酸化物を含まない第二磁気記録層２６を有する磁気記録媒体の第二磁気記録層２６の前駆層に、イオン注入法を用い、強磁性元素のイオンを注入することで、イオン注入部位の強磁性元素の原子含有率を増加させる。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

An initial layer or initial nucleuses are grown into an atomic layer at a first temperature, at which the initial layer or the initial nucleuses are hardly crystallized, prior to the growth of the perovskite oxide ferroelectric thin film, then the initial layer or the initial nucleuses are heated up to a second temperature higher than the first temperature so as to be crystallized, and then the objective perovskite oxide ferroelectric thin film is grown.例文帳に追加

目的のペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜の成長に先立って初期層もしくは初期核が結晶化しない第１の温度で初期層もしくは初期核を原子層成長させ、引き続いて第１の温度より高い第２の温度に昇温して初期層もしくは初期核を結晶化した後、目的のペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜を成長する。 - 特許庁

The backcoat layer has an average surface roughness ranging from 15 to 25 nm, as measured by an atomic force microscope, and a density of protrusions equal to or greater than 50 nm in height ranges from 1 to 50 pieces/mm^2 on the backcoat layer surface, as measured by a three-dimensional surface roughness meter with a contact needle.例文帳に追加

原子間力顕微鏡で測定したバックコート層表面の平均表面粗さは１５〜２５ｎｍの範囲であり、かつ触針式三次元表面粗さ計により測定したバックコート層表面の高さ５０ｎｍ以上の突起密度は１〜５０個／ｍｍ^2の範囲である。 - 特許庁

An SOI substrate is manufactured by performing first thermal treatment for forming an atomic vacancy and second thermal treatment for implanting oxygen ions with which an oxygen ion implanted layer is formed, and for changing the oxygen ion implanted layer into a buried oxide film on a single crystal silicon substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板に対し、少なくとも、基板内に原子空孔を発生させる第１の熱処理と、酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入と、前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる第２の熱処理を行なうことによりＳＯＩ基板を製造する。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加

第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 - 特許庁

To provide a cutting tool insert coated by the chemical vapor deposition method and equipped with a TiC_xN_y layer having a low tensile stress of 10 to 300 MPa and an αAl_2O_3 layer having a high surface smoothness of 0.1 μm or less when measured in the inter-atomic force microscopic process.例文帳に追加

本発明は、１０〜３００ＭＰａの低引張応力を備えたＴｉＣ_ｘＮ_ｙ層と、原子間力顕微鏡技法によって測定したときに０．１μｍ以下の高表面平滑度を備えたαＡｌ_２Ｏ_３層と、を有する化学蒸着法で被覆した切削工具インサートに関する。 - 特許庁

An electric charge generating layer incorporates the electric charge generating material shown by formula 1, and the electric charge feeding layer is obtained by coating the non-halide solvent with the electric charge feeding material shown by formula 2 and coating liquid incorporating phenolic antioxidant and thioether antioxidant possessing atomic sulfide.例文帳に追加

電荷発生層に下記式（Ｉ）で示される電荷発生材料を含有し、電荷輸送層を、非ハロゲン系溶媒に下記式（ＩＩ）で示される電荷輸送材料、硫黄原子を有するフェノール系酸化防止剤及びチオエーテル系酸化防止剤を含有する塗工液にて成膜されたものとする。 - 特許庁

In MIS transistors 100A and 100B, a gate electrode 10 is formed like the laminated configuration of a plurality of kinds of metallic layers 11, 12, and 13 whose work functions are different, and the first metallic layer 11 brought into contact with the gate insulating film 2 is formed with not more than film thickness of 5 Debye length by an atomic layer CVD.例文帳に追加

ＭＩＳ型トランジスタ１００Ａ、１００Ｂにおいて、ゲート電極１０を、仕事関数が異なる複数種の金属層１１、１２、１３の積層構造とし、かつゲート絶縁膜２に接する第１の金属層１１を、原子層ＣＶＤにより、膜厚５デバイ長以下に形成する。 - 特許庁

In the laminated foil having the intermediate layer comprising a group IVa metal or an alloy containing the group IVa metal as a primary constituent, the metal foil of which the solid solubility with the group IVa metal is 3 atomic % or less is arranged on at least one surface of the intermediate layer.例文帳に追加

IVa族金属若しくはIVa族金属を主成分とする合金でなる中間層を有する積層箔において、前記中間層の少なくとも一方の面側には、前記IVa族金属との固溶度が互いに3原子％以下である金属箔が配置されている積層箔。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic probe has a film formation process for forming a film of a magnetic material 7 on the surface of the probe base material 1 having the tip part 1a by the atomic layer deposition method.例文帳に追加

また、本発明による磁性探針の製造方法は、先端部１a有する探針基材１の表面に、原子層堆積法により磁性材料７を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The first recording layer (2) consists of Sn or Bi and contains 0.1 to 5 atomic percent at.% of at least one element selected from Te, Ti, V, Y, Mn, Ni, Pd and Zr.例文帳に追加

第一記録層（２）はＳｎ又はＢｉから成り、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁

To easily remove a deposit deposited in a device without increasing temperature, in a device for growing an atomic layer for forming, for instance, an alumina film, assuming a low-temperature process around 300°C at most.例文帳に追加

高々３００℃程度の低温処理を前提とされた例えばアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物を、高温にすることなく容易に除去できるようにする。 - 特許庁

To provide an apparatus and process capable of executing the process in the cycle time of a high speed by avoiding the undesirable condensation of gaseous precursors in atomic layer deposition which is a method for depositing an extremely thin film on a surface.例文帳に追加

非常に薄い膜を表面にめっきする方法である原子層めっきにおいて前駆物質ガスの望ましくない凝縮を回避し、プロセスが高速のサイクル時間で実施できる装置とプロセスを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the conductive probe has a film formation process for forming a film of a conductive material 3 on a surface of a probe base material 1 having a tip part 1a by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

本発明に係る導電性探針の製造方法は、先端部１a有する探針基材１の表面に、原子層堆積法により導電性材料３を成膜する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method using an atomic layer deposition method in order to grow an extremely homogeneous thin-film whose surface density is favorable, which has an extremely high purity and whose surface properties are controlled with high precision.例文帳に追加

良好な表面密度、極めて高い純度を有し、表面特性を高精度で制御された非常に均一な薄膜を成長するために、原子層堆積法を用いた方法を提供することである。 - 特許庁

3) The phase transition type optical information recording medium in which a recording layer consists of GeGaSbTe and the composition ratios α, β, γ, and δ, (atomic %) of the respective elements are 0.1≤α≤7, 1≤β≤9, 61≤γ≤75 and 22≤δ≤30.例文帳に追加

３）記録層がＧｅＧａＳｂＴｅからなり、各元素の組成比α、β、γ、δ（原子％）が、０．１≦α≦７、１≦β≦９、６１≦γ≦７５、２２≦δ≦３０である相変化型光情報記録媒体。 - 特許庁

To provide a thin film-forming device that hardly has reaction products formed at an exhaust portion unlike a conventional thin film-forming device when a film is formed by ALD (atomic layer deposition), and is easy to maintain.例文帳に追加

ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a barium compound precursor which is a monomer or a dimer, and is thermally stable, easily volatile, much fitted to BST (barium strontium titanate) produced by ALD (atomic layer deposition) or CVD (chemical vapor deposition) and is not fluorinated.例文帳に追加

単量体又は二量体であり、熱的に安定な、易揮発性であり、且つＡＬＤ又はＣＶＤにより製造されるＢＳＴに非常に適したフッ素化されていないバリウム前駆体を提供する。 - 特許庁

According to an analysis by high-frequency glow discharge atomic emission spectrometry, the maximum value of Si concentration in a surface layer extended 20 nm from the surface of the copper or copper alloy tube is 0.3-30 atom%.例文帳に追加

高周波グロー放電発光分光分析法により分析したときの前記銅又は銅合金管の表面から２０ｎｍまでの表層部におけるＳｉ濃度の最大値が０．３乃至３０原子％である。 - 特許庁

In the joined structure obtained by joining dissimilar metallic materials 1 and 2, base metal crystals containing ≥90 atomic % base metal atoms 4 exist in a reaction product layer 3 formed on a joining boundary.例文帳に追加

異種金属材料１、２を接合させた接合構造体において、接合界面に生成した反応生成物層中３に、母材原子４が９０原子％以上含まれる母材結晶を存在させる。 - 特許庁

To provide a method for preparing bis(pentamethylcyclopentadienyl)strontium on a large scale which is a suitable raw material for forming a membrane comprising strontium oxide by a chemical vapor deposition method or by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

酸化ストロンチウムを含有する膜を化学気相成長法や原子層堆積法により形成するための好適な原料であるビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを量産することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which has a smaller thickness than heretofore and no threading dislocation and is provided with a stress relieving silicon germanium buffer layer having a flat surface in atomic level, and is superior in mass productivity.例文帳に追加

従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する、量産性の優れた半導体装置を製造する方法を提供する - 特許庁

Before a semiconductor substrate is fed to a water rinsing process for water rinsing after a thin film layer is removed, the concentration of the amine whose carbon atomic number is 8 or more contained in an ultrapure water is detected by an amine detection part 61.例文帳に追加

薄膜層除去後の半導体基板を水洗リンスする水洗リンス工程への供前に、超純水に含まれる炭素原子数８以上のアミンの濃度がアミン検出部６１で検出される。 - 特許庁