「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor includes a first ferroelectric layer in which a ferroelectric is sandwiched between a pair of electrodes and the ferroelectric has a surface roughness (RMS), measured by an atomic force microscope, of not lower than 10 nm; and a second ferroelectric layer which is formed on the first ferroelectric layer and has a surface roughness (RMS), measured by the atomic force microscope, of not higher than 5 nm.例文帳に追加

一対の電極間に強誘電体を挟持させてなり、該強誘電体が、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が１０ｎｍ以上である第１強誘電体層と、該第１強誘電体層上に形成され、原子間力顕微鏡で測定した表面粗さ（ＲＭＳ）が５ｎｍ以下である第２強誘電体層とを有する強誘電体キャパシタである。 - 特許庁

Since each atomic layer is simultaneously deposited on both substrate surfaces by the above method and film stresses balance on both surfaces even if each layer has a film stress, the substrate hardly causes warpage even when the large area ultrathin substrate is applied.例文帳に追加

この製造方法では基板両面に原子層毎同時に堆積され、各層に膜応力があったとしても両面で膜応力がバランスするため、大面積超薄基板を適用しても基板の反りが起こり難い。 - 特許庁

In the electrical double layer capacitor obtained by the production method of electrical double layer capacitor electrode active material, the atomic ratio (H/C) of hydrogen to carbon is in the range of 0.35-0.42, and the specific surface area is in the range of 5-65 m^2/g.例文帳に追加

また、上記の電気二重層キャパシタ電極活物質の製造方法によって得られ、炭素に対する水素の原子比（Ｈ／Ｃ）が０．３５〜０．４２の範囲内に、さらに比表面積が５〜６５ｍ^２/ｇの範囲内とする。 - 特許庁

To remove a contamination layer (15), at least partially, from the optical surface (14a) of an EUV reflection optical element (14) by bringing a cleaning gas, preferably containing atomic hydrogen, into contact with the contamination layer (15).例文帳に追加

本発明は、原子状水素を含むことが好ましい洗浄ガスを汚染層（１５）に接触させることによって、ＥＵＶ反射光学要素（１４）の光学面（１４ａ）から汚染層（１５）を少なくとも部分的に除去すること。 - 特許庁

By substituting the Cu atom site in the Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer for Ni having an atomic radius smaller than that of Cu, the strain of the Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer is relaxed, thus the impact resistance of the solder joint can be improved.例文帳に追加

Ｃｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層中のＣｕ原子サイトを、Ｃｕより原子半径の小さいＮｉで置換することにより、Ｃｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層の歪を緩和し、ハンダ接合部の耐衝撃性を向上させることができる。 - 特許庁

Continuously, the light absorbing layer is formed to have the prescribed film thickness by repeating the adhesion of the raw material at the atomic layer level through a mask opening by sputtering (step S4) and the exposure thereof to the oxidizing or nitriding atmosphere (step S5).例文帳に追加

続いて、その光吸収層はその原料物質のスパッタリングによるマスク開口を通した原子層レベルの付着と（ステップＳ４）とその酸化性／窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ５）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

An Ni ultrathin film 12 of ≤10 nm in thickness and ≥1 atomic layer is formed by vacuum deposition method in contact with a semiconductor layer 11 forming a light emitting diode structure, and an Ag electrode 13 is formed thereupon.例文帳に追加

発光ダイオード構造を形成する半導体層１１に接して、厚さが１０ｎｍ以下で１原子層以上のＮｉ超薄膜１２を真空蒸着法などにより形成し、その上にＡｇ電極１３を形成する。 - 特許庁

The method utilizes atomic layer deposition technology, by which nitric acid metal base precursor (for example, nitric acid hafnium or nitric acid zirconium) can be incorporated, without introducing hydroxylating agent or oxidizing agent (for example, water), while the interface layer is formed.例文帳に追加

これらの方法は、界面層の形成の間、硝酸金属ベースプリカーサ（例えば、硝酸ハフニウムまたは硝酸ジルコニウム）を水酸化剤または酸化剤（例えば、水）を導入することなく組み込む原子層堆積技術を利用する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer group, comprising the group III nitride with the Ga content of 50 atomic % or higher to all group III elements, having a carrier density of 1×10^16/cm^2or more is formed on the group III nitride base layer.例文帳に追加

次いで、前記III族窒化物下地層の上方において、全III族元素に対するＧａ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物からなるキャリア密度１×１０^16／ｃｍ^2以上のｐ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

An uneven film whose average surface roughness measured by an atomic force microscope is 2 nm or less is inserted as an intermediate layer between a low anchoring layer and ITO, thereby influence of panel-dependent ITO-film surface shapes on the low anchoring layer can be avoided, and switching characteristics are stabilized.例文帳に追加

低アンカリング層とＩＴＯ間に中間層として、原子間力顕微鏡で計測した平均表面粗さが２ｎｍ以下の凹凸膜を挿入することにより、パネルごとに異なるＩＴＯ膜の表面形状に低アンカリング層が影響を受けるとなく、スイッチング特性が安定した。 - 特許庁

This magnetic recording medium has a nomnagnetic substrate, a nonmagnetic metallic underlaid layer, which is formed on one main surface side of the nonmagnetic substrate and contains 20 atomic % or more Ru, and a magnetic layer which is formed on the nomnagnetic metallic underlaid layer and has a metallic magnetic thin film.例文帳に追加

非磁性基板と、上記非磁性基板の一主面側に形成されるとともにＲｕを２０ａｔ％以上含有する非磁性金属下地層と、上記非磁性金属下地層上に形成されるとともに金属磁性薄膜を有する磁性層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To reduce process-step counts and to simplify the apparatus by enabling precise removal at an atomic or molecular level, without generating affected layer by realizing a process using an optical catalyzer.例文帳に追加

光触媒による加工を実現して、原子分子レベルの精密な除去加工を可能とし、加工変質層を生じることなく、加工工程数を低減し、装置も単純化する。 - 特許庁

In this alloy sheet, the outermost surface layer part of about 3 Å in a passive film deposited on the surface of an Fe-Ni alloy sheet has a compositional ratio satisfying ≤0.6 by the atomic ratio of Fe/(Fe+Ni).例文帳に追加

Fe−Ni合金板の表面に形成されている不動態皮膜中の３Å程度である最表層部がFe／ (Fe＋Ni) の原子比で0.6 以下の組成比を有する合金板。 - 特許庁

A second ferroelectric film 13 is formed on the first ferroelectric film 12 by an atomic layer deposition method so as to bury the recessed parts 15 on the surface of the first ferroelectric film 12.例文帳に追加

第１強誘電体膜１２の表面の凹部１５を埋め込むように、第１強誘電体膜１２の上に、原子層堆積法により第２強誘電体膜１３を形成する。 - 特許庁

This film 13 is a layer constituted by laminating atomic layers, which respectively comprise 15 to 23 pieces or thereabouts of atoms, and is formed using O2 gas or an O2 gas plasma, an atmospheric plasma or a CVD(Chemical Vapor Deposition) method or the like.例文帳に追加

この酸化膜１３は、１５〜２３個程度の原子の積層によって構成された層であり、Ｏ_2 ガス、またはＯ_3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にて形成する。 - 特許庁

To suppress occurrence of deposits deposited inside an apparatus, relating to an atomic layer deposition apparatus for forming an alumina film which is based on the premise of low temperature treatment around 300°C.例文帳に追加

高々３００℃程度の低温処理を前提とされたアルミナ膜を形成する原子層成長装置において、装置内部に堆積する堆積物の発生が抑制できるようにする。 - 特許庁

The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.例文帳に追加

第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁

Furthermore, as for the composition in atomic ratio of the recording layer 4 is represented by general formula in (Ib)a(IIIb)b(Sb)x(Te)1-a-b-x, a, b and x satisfy an inequality: 0.72≤x+2a+7b/6≤0.82.例文帳に追加

さらに、記録層４の原子比率での組成を(Ｉｂ)_a(IIIｂ)_b(Ｓｂ)_x(Ｔｅ)_1-a-b-x で表す一般式において、ａ，ｂ，ｘが０．７２≦ｘ＋２ａ＋７ｂ／６≦０．８２である。 - 特許庁

To provide an atomic-layer deposition apparatus which reliably purges precursors remaining in a reaction space, and stably and uniformly supplies a gas of the respective precursors onto a substrate.例文帳に追加

原子層堆積装置による反応空間内に残存する前躯体のパージが確実に行われ、各前躯体のガスが安定的に且つ均等に基板に対して供給されるようにする。 - 特許庁

The atomic layer deposition apparatus disposes a substrate S in a second internal space 15 within a cylindrical reactor vessel 14 provided in a first internal space 22 within a deposition vessel 12.例文帳に追加

原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus and a film forming method capable of utilizing an ALD (Atomic Layer Deposition) process at high productivity without using a high speed switch valve, and capable of cleaning in a chamber.例文帳に追加

高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができ、チャンバー内クリーニングが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

For example, a deposition method is disclosed about a chemical vapor deposition or an atomic layer deposition in a metal-containing film such as a metallic silicide film and a metallic oxynitride silicon film.例文帳に追加

例えば金属ケイ酸塩又は金属酸窒化ケイ素の膜のような金属含有膜の化学気相成長又は原子層成長による堆積法が本書に開示されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film which can enhance the quality and productivity not depending upon a reaction furnace capacity, in a method for growing the thin film controlling an atomic layer (hereinafter referred to as the ALD).例文帳に追加

原子層制御薄膜成長法（以下ＡＬＤ）に於いて、反応炉容量に依らず品質及び生産性を向上することができる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an atomic layer of metal oxide by making a substrate absorb chemically an organometallic complex having a ligand of β-diketone, and oxidizing it with free radicals of active oxygen.例文帳に追加

β−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を基板に化学吸着させ、これを活性酸素ラジカルで酸化させて金属酸化物原子層を形成させる方法を提供する。 - 特許庁

A projection aligner 10 is provided with an atomic force microscope(AFM) for measuring a latent image formed on a wafer W with a surface-reaction type resist subjected to silylation as a photosensitive layer.例文帳に追加

露光装置１０に、表面反応型のシリル化レジストを感光層としたウエハＷに形成される潜像を計測するため、原子間力顕微鏡ＡＦＭを備える構成とした。 - 特許庁

In the color organic EL display 100 in which the color filter layer 13, the gas barrier layer 20 and the organic EL structure 30 are laminated in the order on a substrate 11, an underlying part of the gas barrier layer 20 is one subjected to degasification treatment, and is formed by the atomic layer growth method at a temperature equal to or lower than the decomposition initiating temperature of the color filter layer 13.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなるカラー有機ＥＬディスプレイ１００において、ガスバリア層２０の下地部分は、脱ガス処理を施されたものであり、ガスバリア層２０は、カラーフィルタ層１３の分解開始温度以下の温度にて原子層成長法を行うことにより形成されたものである。 - 特許庁

To provide a phase change memory which maintains stable rewriting conditions by preventing atomic diffusion from a layer adjacent to a recording material layer to a recording material, due to the heat generated during rewrite operation, when both the recording material and a selector element are formed of a thin film.例文帳に追加

記録材料と選択素子の両方を薄膜で形成する場合、書換え動作等の熱により、記録材料層と隣接する層からの記録材料への原子拡散を防止し、安定な書換え条件を保つ相変化メモリを提供する。 - 特許庁

A stress relaxing layer 12 is formed between the substrate 11 and the multilayer film 15 of the multilayer film mirror, the stress relaxing layer 12 comprising a material into which another element that can be diffused by substitutional diffusion and that has a different atomic radius is included.例文帳に追加

そして、このような多層膜ミラーの基板１１と多層膜１５との間に、元素の一部に置換型拡散可能で且つ原子半径が異なる他元素を含有させた材料で構成された応力緩和層１２が設けられた構成とする。 - 特許庁

This multilayered structure 1 is furnished with an alkali metal layer 3 of at least one atomic layer constituted by substituting a metal atom on a surface by an alkali metal atom on the surface of a metallic oxide substrate 2 or constituted by bearing the alkali metal atom on the surface.例文帳に追加

多層構造体１は、金属酸化物基板２の表面に、該表面の金属原子をアルカリ金属原子が置換して成るか、または該表面にアルカリ金属原子が担持されて成る、少なくとも１原子層のアルカリ金属層３を備えている。 - 特許庁

The separation preventive layer 19 is formed of SiO_2 with an atomic density of ≥6.1×10^22 atoms/cm^3, and the thickness thereof is sufficiently small, for example, ≤1/2, preferably ≤1/10 of the thickness of the dielectric layer 20.例文帳に追加

剥離防止層１９は、例えば原子密度が６．１×１０^22ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3 以上であるＳｉＯ_2 からなり、その厚みは誘電体層２０の厚みの２分の１以下、好ましくは１０分の１以下と十分に薄く形成される。 - 特許庁

In this rolling element coated with a solid lubrication film formed of a molybdenum disulfide sputter film, the solid lubrication film 3 is divided into two layers: a boundary layer 3A corresponding to the interface with a roller 2 and an upper layer 3B, the boundary layer 3A contains 5 to 30% oxygen, and the upper layer 3B contains 3% or less oxygen by atomic concentration.例文帳に追加

二硫化モリブデンスパッタ膜からなる固体潤滑膜を被覆した転動要素において、固体潤滑膜３はローラ２との界面に相当する境界層３Ａと上層３Ｂの２層に分かれており、該境界層３Ａには酸素が５〜３０％含まれており、該上層３Ｂには酸素が原子濃度で３％以下含まれている構成となっている。 - 特許庁

In a method for manufacturing the electrophotographic photoreceptor obtained by sequentially stacking at least an intermediate layer, a charge generating layer and a charge transport layer on a conductive support, the intermediate layer contains a thermoplastic resin and a microscopic ten-point average roughness obtained by shape observation through an atomic force microscope is ≤3.2 μm.例文帳に追加

導電性支持体上に、少なくとも中間層、電荷発生層、電荷輸送層が順次積層されて成る電子写真用感光体の製造方法において、前記中間層が熱可塑性樹脂を含有し、且つ、原子間力顕微鏡による形態観察をして得られた微視的な十点平均粗さが３．２ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In the magnetic tape produced by forming a magnetic layer 2 on a nonmagnetic flexible substrate 1 and by forming a back coat layer 3 on the opposite surface of the substrate 1 to the magnetic layer forming surface, a carbon film is formed on the back coating layer 3 and the proportion of H/(C+H) in the carbon film is controlled to 30 to 50 atomic %.例文帳に追加

非磁性のフレキシブルな基板１上に磁性層２を形成し、その基板１の磁性層形成面と反対の面にバックコート層３を形成した磁気テープにおいて、バックコート層３の表面にカーボン膜が形成され、そのカーボン膜中のＨ／（Ｃ＋Ｈ）の割合が３０原子％〜５０原子％の範囲に規制されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming the liquid crystal alignment layer includes a stage for controlling the alignment direction of the alignment layer by irradiating the alignment layer applied on a substrate with light and containing a polymer having an atomic group capable of cross-linking reaction by light in its side chain with light and a stage for enhancing the liquid crystal alignment regulating power by heating the alignment layer irradiated with light.例文帳に追加

基板に塗布され且つ光により架橋反応の可能な原子団を側鎖に有する重合体を含有する配向膜に、光を照射して配向膜の配向方向を制御する工程および光を照射された上記配向膜を加熱して液晶配向規制力を高める工程を含む、液晶配向膜の形成方法。 - 特許庁

In this optical recording medium equipped with the information layer including the recording membrane, the recording membrane is made of a phase-change material containing mainly 79-95 atomic percentage of Sb and 5-21 atomic percentage of Ge and does not containing group 16 elements.例文帳に追加

記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって、形成されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

A compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge and S and whose Cu/Ge ratio (atomic ratio) is less than 2.00, or a compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge, Sn and S and whose Cu/(Sn+Ge) ratio (atomic ratio) is less than 2.00, is used as a light-absorbing layer of the photoelectric element.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／Ｇｅ比（原子比）が２．００未満である化合物半導体若しくはＣｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／（Ｓｎ＋Ｇｅ）比（原子比）が２．００未満である化合物半導体を光電素子の光吸収層とする。 - 特許庁

The hard carbon film is provided at least the surface layer of which contains 3-25 atomic% nitrogen and 4-22 atomic% of at least one kind of metal element selected from a group consisting of a group IIb element, a group IIIa element, a group IVa element, a group Va element, a group VIa element, a group VIIa element and a group VIII element.例文帳に追加

少なくとも表面層が、窒素を３〜２５原子％と、ＩＩｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素、ＶＩＩａ族元素及びＶＩＩＩ族元素から成る群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を４〜２２原子％含有する硬質炭素膜。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method comprises depositing a dielectric layer containing silicon, oxygen, and carbon on the substrate by CVD method, in which the dielectric layer contains carbon of at least 1% by atomic weight and a dielectric constant less than about 3, and depositing a layer containing silicon and carbon thereon.例文帳に追加

本方法は、珪素、酸素、及び炭素を含む誘電層を、化学気相成長法によって基板の上に堆積すること、ここで誘電層は原子量で少なくとも１％の炭素含有量及び約３よりも小さい誘電率を有すること、珪素炭素含有層を誘電層の上に堆積することを備えている。 - 特許庁

Not less than 90% of atomic percentage of the recording layer 3 of the optical recording medium, provided with at least a recording layer 3 on a substrate 1 to record, reproduce and erase an information utilizing the phase change of the recording layer 3, is constituted of a compound shown by a formula; Dy_αSb_βTe_γ.例文帳に追加

基板１上に少なくとも記録層３を設けるとともに前記記録層３の相変化を利用して情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体であって、前記記録層３の原子比率９０％以上が、下記式で表される化合物からなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

The second recording layer (3) consists of Ge and contains 0.5 to 10 atomic percent at.% of at least one element selected from Al, Ag, In, Mn, Ni, Zn and Zr.例文帳に追加

第二記録層（３）はＧｅから成り、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素を０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁

To make it possible to form a high accurate resistance element through film formation by a plasma atomic layer deposition method (plasma ALD method) without reducing any insulating performance of an insulating film as a grounding in the plasma ALD method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ原子層堆積法（プラズマＡＬＤ法）の下地の絶縁膜の絶縁性能を低下させず、プラズマＡＬＤ法での膜形成により高精度の抵抗素子の形成を可能にする。 - 特許庁

To provide a metal oxide thin film deposition method capable of generating various kinds of metal oxide thin films, in particular, compound metal oxide thin films consisting of metals of different kinds by using the ALD (Atomic Layer Deposition)method without affecting the film deposition speed.例文帳に追加

成膜速度に影響を及ぼすことなく、多種の金属酸化物薄膜、特に異なる種類の金属からなる複合金属酸化物薄膜をＡＬＤ法を利用して生成する。 - 特許庁