「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In steel filaments for a rubber article reinforcement obtained by subjecting circumferential faces of filaments to a positive plating having 15-45 atomic % surface concentration of copper, at least one kind of Co and Ni is added to a surface layer area from the surface of the positive plating to 15 nm depth in the radial direction of the filaments inward.例文帳に追加

フィラメントの周面に<SB>、</SB> 表面の銅濃度が１５〜４５アトミック％のブラスめっきを施したゴム物品補強用スチールフィラメントにおいて、該ブラスめっきの表面からフィラメント半径方向内側に１５ｎｍの深さまでの表層領域に、Ｃｏ及びＮｉのいずれか少なくとも１種を含有させる。 - 特許庁

For an organic EL element 100 obtained by successively laminating a substrate-side electrode 4, an organic EL layer 6 and a counter electrode 8 on one side of an element substrate 2, an increase rate of an area measured through an atomic force microscope to a projected area in a direction perpendicular to an electrode surface of the substrate-side electrode is controlled to lower than 1.1%.例文帳に追加

素子基板２の片面に基板側電極４、有機ＥＬ層６、対向電極８を順次積層してなる有機ＥＬ素子１００において、基板側電極の電極面に垂直方向の投影面積に対する原子間力顕微鏡で測定した面積の増加率を１．１％未満にする。 - 特許庁

The retardation compensation element includes a layer 62 having a plurality of holes 62b formed by obliquely irradiating an inorganic film 62a with at least one of an ion beam, atomic beam, molecular beam and plasma beam, the holes having a longitudinal direction obliquely intersecting the surface 62s of the inorganic film 62a and along the irradiation direction D of the beam.例文帳に追加

無機膜６２ａに対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、無機膜６２ａの表面６２ｓに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Ｄに沿った長手を有する複数の空孔６２ｂが形成された層６２を含む。 - 特許庁

The dielectric multilayer film mirror reflecting a specific wavelength region is made by joining at least two sheets of dielectric multilayer film structures 10 each of which is prepared by film-depositing a pair of dielectric multilayer films 2 having a both surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

特定波長域を反射させる誘電体多層膜ミラーであって、基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２が原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜された誘電体多層膜構造体10を２枚以上接合して成ることを特徴とする。 - 特許庁

In this radiation shielding system having at least one component 10 susceptible to disruption upon exposure to the ionizing radiation, and in a method for producing the radiation shielding system, the susceptible component is protected by such a rigid housing 12 that a high atomic number metal layer 14 is deposited on its surface by using a thermal spray technique.例文帳に追加

電離放射線にさらされると破壊しやすい少なくとも１つの部品１０を有する放射線遮蔽システム、および放射線遮蔽システムを作る方法であって、破壊しやすい部品は、高原子番号金属層１４が熱溶射手法を用いて表面上に堆積された剛性のハウジング１２によって防護されている。 - 特許庁

A manufacturing method of a light-emitting device sequentially include: a conductive member preparation step of preparing a conductive member 1 having a reflection film 1b; a light-emitting device disposition step of disposing a light-emitting device 3 on the reflection film; and a protective film formation step of forming a protective film 5 on the reflection film by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

発光装置の製造方法は、反射膜１ｂを備える導電部材１を準備する導電部材準備工程と、反射膜上に発光素子３を配置する発光素子配置工程と、原子層堆積法により反射膜上に保護膜５を形成する保護膜形成工程と、を順に有する。 - 特許庁

The magnetic head slider provided with a protective film on an ABS (air bearing surface) which is a side facing a rotationally driven disk recording medium is constituted in such a manner that the protective film has an Al_2O_3 film formed by an ALD (atomic layer deposition) method.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッドスライダは、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向する側であるＡＢＳ（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）に保護膜を有する磁気ヘッドスライダであって、前記保護膜がＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成されたＡｌ_２Ｏ_３膜を有してなるように構成される。 - 特許庁

The X-ray optical device is provided, which has the dramatic improvement of reflectance and an energy band by forming a reflection film of HfO_2, Al_2O_3, or the like on a sidewall of a curved hole structure manufactured in silicon and nickel being material of a fine structure by a micromachining technology with the accuracy of a sub-nm level by using an atomic layer volume method.例文帳に追加

微細構造体の材質であるシリコンやニッケルにマイクロマシン技術で製作した曲面穴構造の側壁に原子層体積法を用いて、サブｎｍレベルの正確さで、HfO_2およびAl_2O_3等の反射膜を成膜することにより反射率及びエネルギー帯域が飛躍的に向上したＸ線光学装置を提供する - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁

The coating layer 2 is a silicon-containing film including a plasma polymer of an organosilicon compound formed on the inner surface of the container 1 by a plasma CVD from a starting raw material containing the organosilicon compound, and has a thickness of 50-700 Å and an atomic ratio of silicon to oxygen of 1/1.5-1/2.3.例文帳に追加

被覆層２は、有機珪素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより容器１の内表面上に形成された有機珪素化合物のプラズマ重合体を含む珪素含有被膜であり、５０〜７００オングストロームの厚さを備え珪素と酸素との原子比が１／１．５〜１／２．３である。 - 特許庁

To provide the subject method comprising such a process as to subject a reaction chamber with a substrate set inside to the feed of both adsorption gas and reactant gas and their purges alternately to effect atomic layer growth by reaction between the adsorption gas and reactant gas to form a thin film on one side of the substrate; wherein impurities left in the thin film are diminished during film formation.例文帳に追加

基板が設置された反応室に対して、吸着ガス及び反応ガスの供給、及びパージを交互に行い、吸着ガスと反応ガスとの反応によって原子層成長を行わせることにより、基板の一面上に形成された薄膜において、成膜の際に、膜中に残存する不純物を低減する。 - 特許庁

The sheet for printing comprises a substantially noncrystalline aromatic polyester resin as a main component, and a layer containing a resin having a solubility parameter calculated from total sum of atom or atomic group gravitational constant of 9.2 to 9.8 as a main component and laminated on at least one surface of the sheet.例文帳に追加

実質的に非結晶性の芳香族ポリエステル系樹脂を主成分とするシートを有し、該シートの少なくとも一方の面に、原子あるいは原子団の引力定数の総和から計算される溶解性パラメーターが９．２〜９．８である樹脂を主成分とする層が積層されている印刷用シートである。 - 特許庁

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁

The method for forming the atomic layer of metal oxide comprises generating the free radicals of active oxygen from oxygen, water, and the like, by using plasma, introducing them into a plasma-generating reaction vessel 10, and oxidizing the organometallic complex having the ligand of β-diketone, which has been chemically adsorbed on the substrate 12, by utilizing the free radicals as an oxidant.例文帳に追加

プラズマを用いて酸素や水等から活性酸素ラジカルを生成させ、これをプラズマ発生反応器１０に導入して酸化剤として使用し、基板１２上に化学吸着されたβ−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を酸化させて金属酸化物原子層を形成させる。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing an optical multilayer membrane by an atomic layer deposition method by which an optical multilayer film of high quality having desired optical properties which can not be designed in the conventional optical multilayer membrane can be deposited on a substrate with a large area using a membrane deposition system more inexpensive than the conventional membrane deposition system for an optical multilayer membrane.例文帳に追加

従来の光学多層膜の成膜装置に比べて安価な成膜装置で従来の光学多層膜では設計できない所望の光学特性を有する高品質の光学多層膜を大面積の基板に成膜できる原子層堆積法による光学多層膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The quartz substrate with the zinc oxide thin film is characterized by containing Zn, Si and oxygen on the quartz substrate, forming an intermediate layer comprised of an amorphous thin film of which the Zn/Si atomic ratio is 0.22-3.7 and preferably the thickness is about 10-80nm, and then forming the crystalline zinc oxide thin film preferentially oriented to the c axis direction thereon.例文帳に追加

石英基板上に、ＺｎとＳｉと酸素を含み、Ｚｎ／Ｓｉ原子比が０．２２〜３．７ の非晶質薄膜からなる、好ましくは厚みが約１０〜８０ ｎｍ の中間層を形成した後、その上に、ｃ軸方向に優先配向した結晶質のＺｎＯ薄膜を形成した、ＺｎＯ薄膜付き石英基板とする。 - 特許庁

In an electrode for a battery having a current collector and an active material layer formed on the surface of the current collector and including an active material and a binding agent, the binding agent has a functional group including atomic oxygen capable of being coordinated with a lithium-ion in a molecular structure.例文帳に追加

集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質および結着剤を含む活物質層と、を有する電池用電極であって、前記結着剤が、分子構造中にリチウムイオンに配位しうる酸素原子を含む官能基を有することを特徴とする、電池用電極によって上記課題は解決される。 - 特許庁

The seed layer 116 includes seed crystal grains as a substrate of crystal grains of the substrate layer 118 and an added material added between the seed crystal grains and constituted of elements having an atomic radius smaller than that of elements constituting seed crystal grains.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体１００であって、基板１１０と、軟磁性層１１４と、シード層１１６と、下地層１１８と、磁気記録層である主記録層１２４とを備え、シード層１１６は、下地層１１８の結晶粒子の下地となるシード結晶粒子と、シード結晶粒子の間に添加される、シード結晶粒子を構成する元素よりも小さな原子半径を有する元素で構成される添加物質とを含む。 - 特許庁

The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加

基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Ａｇに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたＡｇからなる反射層、を有するものであり、該反射体のＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定により、Ａｇに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが２〜２３ｎｍであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁

Improved methods are disclosed for catalyst-assisted atomic layer deposition to form a silicon dioxide layer having favorable properties on a semiconductor substrate by using a first reactant component composed of a silicon compound which has at least two silicon atoms, or using a tertiary aliphatic amine as a catalyst component, or using both in combination with related purging method, and by sequencing them.例文帳に追加

少なくとも２個のシリコン原子を有するシリコン化合物から成る第１の反応物成分を用いることによって、又は、触媒成分として第三脂肪族アミンを用いることによって、又は、関連するパージ法と組合せて両方を用いること、及びそれらを順序づけることによって、半導体基板上に良好な性質を有する二酸化シリコン層を形成するための触媒補助型原子層堆積法の改良法を開示する。 - 特許庁

A negative electrode for the secondary battery is manufactured by forming an active material layer containing an inorganic composite containing: silicon oxide acting as a negative active material; and metal M not absorbing and releasing lithium on a current collector, and the content of zero valent metal atom out of metal atoms constituting the metal M is 80 atomic percent or more.例文帳に追加

負極活物質としてのケイ素酸化物と、リチウムを吸蔵・放出しない金属Ｍと、を含有する無機複合物を含む活物質層が集電体上に形成されてなり、前記金属Ｍを構成する金属原子のうち、０価の金属原子が８０原子％以上であることを特徴とする二次電池用負極を用いる。 - 特許庁

A intensive wet blasting operation is applied to a coating film of a CVD coated cutting tool equipped with a TiC_XN_Y layer containing a cemented carbide as base material and having a low tensile stress level of 50-390 Mpa and Al_2O_3 having a high surface smoothness with a mean Ra 0.12 μm or below as measured by the atomic force microscope (AFM) technique.例文帳に追加

超硬合金を母在とし、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具の被膜に、非常に激しい湿潤吹き付け処理を施す。 - 特許庁

In the hydrogen generation material generating hydrogen by contact with water and generating water by contact with hydrogen, a hydrogen storage metal storing-releasing hydrogen by oxidation-reduction is used as a matrix, and at least one of substances selected from metals and metal oxides is added to the surface of the hydrogen storage metal by an ALD (Atomic Layer Deposition) process or an LPD (Liquid Phase Deposition) process.例文帳に追加

水の接触により水素を発生し、水素の接触により水を発生する水素発生材において、酸化還元によって水素を吸蔵・放出できる水素吸蔵金属を母材とし、前記水素吸蔵金属の表面に、金属又は金属酸化物の少なくとも一方の物質がＡＬＤ法又はＬＰＤ法を用いて添加されている。 - 特許庁

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁

The method for depositing thin films of metal oxides on a substrate in a reaction vessel of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes a step of supplying raw metal compounds into the reaction vessel, a step of supplying gaseous oxygen into the reaction vessel, and a step of generating oxygen plasma in the reaction vessel during the predetermined time.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

In the atomic layer growth including introduction of hafnium compound raw material, introduction of yttrium compound raw material and introduction of an oxidizing agent as one cycle, introduction times of the hafnium compound raw material and the yttrium compound raw material are controlled and a displacement rate of a sample surface OH group due to the raw materials is controlled, thereby accurately controlling the quantity of yttrium to be added into the hafnia.例文帳に追加

ハフニウム化合物原料の導入、イットリウム化合物原料の導入、酸化剤の導入を１サイクルとした原子層成長法において、ハフニウム化合物原料とイットリウム化合物原料の導入時間を制御し、試料表面OH基の各原料による置換率を制御することで、ハフニア中へのイットリウムの添加量を正確に制御する。 - 特許庁

The method for forming a metal oxide film on the substrate in the reactor of atomic layer depositing equipment, using the plasma includes a step of feeding metal material compound into the reactor, a step of feeding oxygen gas into the reactor, and a step of producing oxygen plasma during a prescribed time inside the reactor.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

A fine pattern formation method for semiconductor elements facilitates the pattern formation stage by implementing at least part of photoresist trimming by atomic layer vapor deposition together with spacer oxide film vapor deposition, thereby enabling the precision of trimming to be enhanced and photoresist footing, which may occur during the trimming, to be reduced.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る半導体パターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施することにより、段階が容易となり、トリミングの精密度を高めることができ、トリミング中に発生し得るフォトレジストフーチング（ｆｏｏｔｉｎｇ）を減らすことができる。 - 特許庁

Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it.例文帳に追加

タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度Ｃ、すなわち６００℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。 - 特許庁

A thermal positive type planographic original printing plate includes one or more recording layers on a surface-hydrophilic support body upper side, either one and the same layer or different layers of the recording layers comprising: a star polymer in which at least 3 polymer chains bind to a core atomic group and radially branch; and an infrared absorbing agent.例文帳に追加

表面親水性の支持体上側に、１層以上の記録層を有するサーマルポジ型平版印刷版原版であって、前記記録層のいずれか同じ層あるいは別の層に、核をなす原子群に３つ以上のポリマー鎖が結合して放射状に分岐している星型ポリマーと赤外線吸収剤とを含有するサーマルポジ型平版印刷版原版。 - 特許庁

In a first polishing device 1, that supplies polishing liquid 31 for polishing a metal layer 26 being formed on the surface to be polished of a substrate 21 to be polished, for example, an atomic absorption photometer, an electrometer, or an ammeter is provided as a detector 19 that measures the amount of constituents of metals contained in the polishing liquid or polishing waste liquid.例文帳に追加

研摩液３１を供給して被研磨基板２１の被研磨面に形成した金属層２６を研摩する第１の研摩装置１において、研磨液もしくは研摩廃液中に含まれる金属成分量を測定する検出器１９として、例えば原子吸収分析装置、電位計、もしくは電流計を備えたものである。 - 特許庁

The method for forming a metal oxide film on the substrate in a reactor of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes: a step of supplying a metallic source compound into the reactor; a step of supplying oxygen gas into the reactor; and a step of generating oxygen plasma during a predetermined time in the reactor.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

The photoconduction layer which constitutes a radiographic imaging panel which records radiological image information as an electrostatic latent image is formed of a Bi_xMO_y polycrystalline material, wherein M is at least one selected from Ge, Si, and Ti, 12.05≤x≤13.1, and y is a stoichiometrical atomic number of oxygen determined by M and x.例文帳に追加

放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、Ｂｉ_xＭＯ_y（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）からなる多結晶体であって、Ｂｉ_xＭＯ_yのｘを１２．０５≦ｘ≦１３．１、ｙをＭおよびｘにより決まる化学量論的な酸素原子数とする。 - 特許庁

This surface covered cemented carbide cutting tool is constituted by depositing the diamond type carbon coat having hydrogen contents:10 to 15 atomic %, hardness:25 to 35GPa, surface roughness (R):less than 30nm and average layer thickness:06 to 1.5μm in a magnetic field by plasma CVD on a surface of a cemented carbide base body constituted of tungsten carbide group cemented carbide.例文帳に追加

表面被覆超硬合金製切削工具が、炭化タングステン基超硬合金で構成された超硬基体の表面に、プラズマＣＶＤにて、水素含有量：１０〜１５原子％、硬さ：２５〜３５ＧＰａ、表面粗さ（Ｒ）：３０ｎｍ以下、平均層厚：０．６〜１．５μｍ、を有するダイヤモンド状炭素被膜を磁場中成膜してなる。 - 特許庁

The apparatus for forming the thin film by atomic layer epitaxy (ALE) uses a source supply means which has corrected the varying supply flow rate of the source gas to each substrate surface according to a distance from a source gas resource of a supply pipe so as to be more uniform, when having a plurality of substrates placed therein and supplying the source gas to the plurality of the substrates.例文帳に追加

複数の基板を配置し、原料ガスが複数の基板に供給される際に、各基板表面への原料ガスの供給流量が供給パイプの原料ガス供給源からの距離に応じて変化することを、より均一化するように補正した原料供給手段を用いる、原子層成長（ＡＬＥ）による薄膜成膜装置。 - 特許庁

To provide a thin film transistor in which an oxide semiconductor achieved with zinc tin oxide (ZnSnO) has a large electronegativity difference with oxygen, the concentration of a carrier is adjusted by forming an active layer by adding a substance whose atomic radius is similar to that of Zn or Sn, and stable reliability and electrical characteristic are achieved by improving the reliability of the oxide semiconductor.例文帳に追加

亜鉛錫酸化物（ＺｎＳｎＯ）で実現される酸化物半導体に酸素との電気陰性度の差が大きく、原子半径がＺｎ又はＳｎと類似する物質を添加して活性層を形成することで、キャリアの濃度を調節し、酸化物半導体の信頼性を向上させることで、安定した信頼性及び電気的特性を実現する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Further, the method of manufacturing the dielectric multilayer film mirror is characterized in that the dielectric multilayer film structures 10 are manufactured by film-depositing the pair of dielectric multilayer films 2 having both the surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to the atomic layer deposition (ALD) method and the dielectric multilayer film mirror is made by joining at least two obtained sheets of dielectric multilayer film structures.例文帳に追加

また、このミラーの製造方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）法により基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２を同時に成膜して誘電体多層膜構造体10を製造し、得られた２枚以上の誘電体多層膜構造体を接合して誘電体多層膜ミラーを製造することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes (a) a step of providing the template formed with CNT or CNT sequence, (b) a step of forming the inorganic nanotubes on the external side of the CNT by performing vapor deposition of inorganic materials on the template by an atomic layer deposition (ALD) method and (c) a step of obtaining the inorganic nanotubes or an inorganic nanotube sequence by the interrelated inorganic nanotubes by removing the CNT.例文帳に追加

イ）ＣＮＴまたはＣＮＴ配列が形成されたテンプレートを設ける段階と、ロ）原子層蒸着（ＡＬＤ）法により前記テンプレート上に無機物の蒸着を行い、前記ＣＮＴの外側面に無機物ナノチューブを形成する段階と、ハ）前記ＣＮＴを除去して相互関連した無機物ナノチューブによる無機物ナノチューブまたは無機物ナノチューブ配列を得る段階とを含む。 - 特許庁

This stainless steel material coated with the titanium dioxide film is coated with the surface oxidized film between a stainless steel base body and a titanium dioxide particulate layer and this film contains the oxide of Cr, Si, Al and Fe and has an atomic concentration ratio (Cr+Si+Al)/Fe of ≥0.4 and a thickness of 1 to 100 mm.例文帳に追加

ステンレス鋼基体と二酸化チタン微粒子層との間に形成された表面酸化皮膜が、Ｃｒ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｆｅの酸化物を含み、原子濃度比（Ｃｒ＋Ｓｉ＋Ａｌ）／Ｆｅが０．４以上であり、かつ、１〜１００nmの厚さを有する酸化チタン被覆ステンレス鋼材料は、ステンレス鋼基体に、下記式：７５０≦Ｔ１≦５×Ｔ２＋１２５０、−７０≦Ｔ２≦−３０、〔但し、Ｔ１は焼鈍温度（℃）を表し、Ｔ２は雰囲気の露点（℃）を表す。 - 特許庁

The method for depositing a film including a noble metal on the substrate in a reaction chamber comprises treatment with a hydrogen halide or gaseous halide of a metal halide or an organometallic compound and depositing a film including a noble metal reaction product and the noble metal derived from an oxygen-containing reaction product by using an atomic layer deposition process which is a vapor deposition process.例文帳に追加

反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む： 該基板を水素ハライド又は金属ハライドの気体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること；及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。 - 特許庁

An information reproducing device having a light radiation means for reproduction, a light radiation means for label display and a window for label display and reproducing a data region formed by changing atomic arrangement of a recording layer and/or rugged surface by light irradiation, has a function to associate a light radiation pattern on the label region of an information recording medium with data output of the information recording medium.例文帳に追加

再生用光照射手段とラベル表示用光照射手段、ラベル表示用窓を有する、光照射により記録層の原子配列が変化及び／又は凹凸によりして形成されたデータ領域の再生を行う情報再生装置であって、情報記録媒体のラベル領域への光照射パターンを情報記録媒体のデータ出力に連動させる機能を有する。 - 特許庁

To solve a problem that when an apparatus for forming an HfO_2 (hafnium oxide) film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method supplies TEMAH and O_3 alternately to a reaction chamber to form the HfO_2 film, the TEMAH receives heat in the reaction chamber to be decomposed and then an Hf film is formed in a TEMAH supply nozzle and peels to become particles.例文帳に追加

ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＨｆＯ_2（ハフニウムオキサイド）膜を形成する装置にてＴＥＭＡＨとＯ_3を交互に反応室へ供給することにより、ＨｆＯ_2膜が形成される場合にＴＥＭＡＨが反応室内の熱を受け加熱分解し、ＴＥＭＡＨ供給ノズル内でＨｆ膜が形成され、前記Ｈｆ膜が剥がれパーティクルという課題を解決する。 - 特許庁

To provide a sample pre-processing technique for locally cutting out the place desired to be analyzed of a device to form a needle-like projection, and a technique capable of subjecting even a sample having a multilayered structure, which contains an element layer of a small evaporation electric field in the circumstances described hereinbelow, to sequential stable ion evaporation to enable SAP analysis of an atomic level.例文帳に追加

本発明が解決しようとする課題は、デバイスの分析したいところを局所的に切出して針状突起にする試料予備加工の技術を提示すると共に、後述する事情の中で小さな蒸発電界の元素層を含む多層構造の試料であっても順次の安定したイオン蒸発を可能とし、原子レベルのＳＡＰ分析を可能とする技術を提供することにある。 - 特許庁