「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

SUBSTANCE FORMING METHOD USING ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE CAPACITOR FORMING METHOD USING THE ABOVE METHOD例文帳に追加

原子層蒸着法を利用した物質形成方法及びこれを利用した半導体装置のキャパシタ形成方法 - 特許庁

As the Al-Si-Fe-based reaction layer, e.g., the one comprising 2 to 4 atomic% Cu is a suitable object.例文帳に追加

前記Ａｌ−Ｓｉ−Ｆｅ系反応層は、例えばＣｕ：２〜４原子％を含有するものが好適な対象となる。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING THIN FILM OF METAL OXIDE BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING ALCOHOL OR ATOMIC LAYER DEPOSITION例文帳に追加

アルコールを用いた化学気相蒸着法または原子層蒸着法による金属酸化物薄膜の製造方法 - 特許庁

IN-SITU HYBRID DEPOSITION OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM USING ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD)例文帳に追加

原子層堆積（ＡＬＤ）法及び化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いた高誘電率膜のその場ハイブリッド堆積 - 特許庁

To provide a method of depositing a conductive noble metal thin film on a substrate generally by atomic layer deposition.例文帳に追加

一般に原子層堆積によって基板上に導電性貴金属薄膜を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal complex of a tridentate β-ketoiminate which can be used as a precursor of chemical vapor deposition or atomic layer vapor deposition.例文帳に追加

化学蒸着又は原子層蒸着の前駆体として使用される三座β-ケトイミネートの金属錯体の提供。 - 特許庁

To improve film formation speed by forming a thin film by means of atomic layer deposition using a shower head nozzle.例文帳に追加

シャワーヘッドノズルを用いた原子層成長方法による薄膜の形成で、成膜速度を向上できるようにする。 - 特許庁

The surface of steel is coated with a rust layer of Al-substituted goethite of ≥0.1 atomic % Al content.例文帳に追加

鋼材表面がＡｌ含有量で０．１原子％以上のＡｌ置換ゲーサイトのさび層で覆われている鋼材。 - 特許庁

To provide a method of forming a film containing a metal by atomic layer deposition using a precursor represented by the following formula.例文帳に追加

次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the gaseous hydrogen is adsorbed in the catalyst layer 44 and the atomic hydrogen H(a) is generated by a catalyst effect.例文帳に追加

他方で、触媒層４４では、水素ガスが吸着し、触媒作用によって原子状水素Ｈ（ａ）が生成される。 - 特許庁

To provide a process for depositing yttrium oxide and lanthanum oxide thin films by an ALE (atomic layer epitaxial growth) process.例文帳に追加

ＡＬＥプロセスによって酸化イットリウム薄膜および酸化ランタン薄膜を堆積させるための方法を提供すること。 - 特許庁

Then, by a process, based on atomic layer deposition, a ZnO base multilayer structure that includes luminescent region on the substrate is formed.例文帳に追加

次に、原子層堆積ベースのプロセスにより、発光領域を含むＺｎＯベースの多層構造を基板上に形成する。 - 特許庁

The overcoat may be a sacrificial layer of YSZ infiltrated with cations having an atomic radius larger than Y^3+.例文帳に追加

このオーバーコートはＹ^3+より大きい原子半径を有する陽イオンが侵入しているＹＳＺの犠牲層であってもよい。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the film 20 on a semiconductor region 19 by an atomic layer deposition method, forming an alumina film 21 on the film 20 by the atomic layer deposition method, annealing the film 21, and film forming a conductive layer 22 on the film 21 in a reduction atmosphere.例文帳に追加

半導体領域１９の上に高誘電率絶縁膜２０をアトミックレイヤーデポジション法により成膜し、高誘電率絶縁膜２０の上にアルミナ膜２１をアトミックレイヤーデポジション法により成膜し、アルミナ膜２１をアニールし、アルミナ膜２１の上に導電層２２を還元雰囲気下で成膜する。 - 特許庁

A magnetic recording medium 8 has a tantalum oxide layer 10, a seed layer 3, a base layer 4, a magnetic layer 5 and a non-magnetic protectively layer 6 which are successively laminated on a sapphire board 9, and the atomic composition ratio of the tantalum oxide layer 10 is specified to be 0<x<0.7 in Ta1-XOX.例文帳に追加

磁気記録媒体８によれば、サファイア基板９上に酸化タンタル層１０、シード層３、下地層４、磁性層５および非磁性保護層６とを順次積層し、さらに酸化タンタル層１０は原子組成比率がTa_1-X Ｏ_X にて０＜Ｘ＜０．７の範囲に規定している。 - 特許庁

When atomic concentrations of constituent elements are measured in a depth direction by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the nickel plating layer has an atomic concentration of carbon atoms in a range of 1.0 to 10.0% at a depth where an atomic concentration of the Ni element is 80%.例文帳に追加

ニッケルめっき層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって構成元素の原子濃度を深さ方向に測定したときに、Ｎｉ元素の原子濃度が８０％となる深さにおいて、炭素原子の原子濃度が、１．０％以上、かつ、１０．０％以下の範囲である。 - 特許庁

The method of surface treatment includes: preparing a substrate; and forming a ceramic layer on a surface of the substrate by atomic layer deposition (ALD), wherein the ceramic layer has a thickness of 1 to 1,000 nm.例文帳に追加

基板を用意することと、原子層析出（ＡＬＤ）によって基板の表面にセラミック層を形成することとからなり、セラミック層は１〜１０００ｎｍの厚さを有する表面処理方法。 - 特許庁

The surface silica layer 4 and the adhesion silica layer 3 are preferably formed in a plasma CVD method, and the surface silica layer 4 preferably contains 20-40 atomic % of carbon.例文帳に追加

このとき、表面シリカ層４および密着シリカ層３をプラズマＣＶＤ法で形成することが好ましく、さらに、表面シリカ層４の炭素含有量が２０〜４０原子％であることが好ましい。 - 特許庁

The separator for a battery is provided with the heat-resistant layer by atomic layer deposition so that the heat-resistant layer is formed not only on the face of the substrate but also on the surfaces surrounding the pores in the substrate.例文帳に追加

上記電池用セパレータにおいては、耐熱層が原子層堆積法によって形成されるため、基材の表面だけでなく、基材内部の空孔の表面にも耐熱層が形成される。 - 特許庁

To provide a process of atomic layer deposition (ALD) to form a silicon dioxide thin film at low temperature under various conditions.例文帳に追加

種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

The upper layer 35b is composed of a material containing at least one kind of the elements, each of which has a larger atomic weight than that of Si.例文帳に追加

上層３５ｂは、Ｓｉよりも単体の原子量が大きい元素を少なくとも一種類含む材料からなる。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for a surface coating layer by the iron and steel having a flat surface at an atomic level.例文帳に追加

原子レベルで平坦な表面を有する鉄鋼又は鉄鋼による表面被覆層の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method using an atomic layer deposi tion method by which a thin film can be deposited at a high vapor deposition rate.例文帳に追加

高い蒸着速度で形成することができる原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus which can form a thin film having higher density by using a plasma ALD method.例文帳に追加

プラズマＡＬＤ法を用いた場合により高密度の薄膜を形成することができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

To improve film formation speed by means of atomic layer deposition using plasma while the occurrence of damage is inhibited.例文帳に追加

ダメージの発生が抑制された状態で、プラズマを用いた原子層成長による成膜速度の向上が図れるようにする。 - 特許庁

This atomic-layer deposition apparatus has a gas supply pipe 8 which is formed into a double pipe structure consisting of an inner pipe 81 and an outer pipe 82 which are concentric.例文帳に追加

ガス供給管８を、同心状の内側管８１および外側管８２からなる二重管構造に形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming Si_3N_4 and SiO_2 thin films through atomic layer vapor deposition using TDMAS as a reaction material.例文帳に追加

反応物質としてＴＤＭＡＳを用いた原子層蒸着によるＳｉ_3Ｎ_4およびＳｉＯ_2薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus that is cleaned and maintained easily because thin films are not formed in a wide range other than a substrate.例文帳に追加

基板以外に薄膜が広範囲に形成されずクリーニングおよびメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供する。 - 特許庁

The atomic spacing of the primer layer or at least one of the primer layers and that of the electrode matches to within about 15%.例文帳に追加

該プライマー層または前記プライマー複数層の少なくとも一層と該電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする。 - 特許庁

To provide a process for producing a thin film of metal oxide by CVD using alcohol or atomic layer deposition.例文帳に追加

アルコールを用いた化学気相蒸着法または原子層蒸着法による金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The measuring cell 8 is fixed on the sample stage of an atomic force microscope 20, and a probe is allowed to fall on the surface of the Al layer 4 of the sample 7 to measure the surface shape of the Al layer.例文帳に追加

この測定セル８を、原子間顕微鏡２０の試料ステージに固定し、試料７のＡｌ層４の表面に探針を降ろし表面形状測定を行う。 - 特許庁

The structure and the method for manufacturing a magnetic reading head include a process of forming a fill layer for a magnetic reading head gap by using an atomic layer deposition(ALD) method.例文帳に追加

磁気読取りヘッドを製造する構造および方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して磁気読取りヘッドギャップのためのフィルレイヤーを形成することを含む。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer group comprising the group III nitride with the Ga content of 50 atomic % or higher to all the group III elements is formed on the light emitting layer.例文帳に追加

次いで、前記発光層上に全III族元素に対するＧａ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

Since the metal particles carried on the surface of the diamond layer is utilized, the diamond layer and diamond particles in which the fine pores are formed on an atomic level or a level close to the same can be obtained.例文帳に追加

ダイヤモンド層表面に担持した金属粒子を利用するため、原子レベル又はそれに近いレベルで微細孔が形成されたダイヤモンド層やダイヤモンド粒子が得られる。 - 特許庁

A plurality of cycles of a first atomic layer deposition (ALD) process is sequentially conducted to deposit a layer of a first material on the substrate in the deposition chamber.例文帳に追加

第１の原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスの複数のサイクルを連続して実行し、前記堆積チャンバ内の前記基板上に、第１の物質の膜を堆積する。 - 特許庁

To provide a neutral-beam-utilizing atomic layer vapor deposition apparatus wherein a workpiece is irradiated with a neutral beam formed by neutralizing a radical flux, i.e., an ion beam, generated by converting a second gas into a plasma, and to provide an atomic layer vapor deposition method utilizing the apparatus.例文帳に追加

第２の反応ガスをプラズマ化して発生されたラジカルのフラックス、すなわち、イオンビームを中性ビーム化して被処理基板に照射するようにした中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を提供する。 - 特許庁

In the austenitic stainless steel, the content of Cu is 0.5 to 3.0 mass%, and concentration of Cu in an outermost surface layer measured by Auger electron spectral analysis is ≤0.5 atomic%, preferably, ≤0.1 atomic%.例文帳に追加

Ｃｕ含有量が０.５〜３.０質量％であり、オージェ電子分光分析により測定される極表層のＣｕ濃度が０.５原子％以下好ましくは０.１原子％以下であるオーステナイト系ステンレス鋼材。 - 特許庁

Then, hydrogen and nitrogen gases are supplied to the hydrogen supply chamber 121 and the ammonia reaction chamber 124, respectively, to produce atomic hydrogen and atomic nitrogen in a catalyst layer 123, which are reacted to synthesize ammonia.例文帳に追加

その後に水素供給室１２１に水素ガスを、アンモニア反応室１２４に窒素ガスを供給し、触媒層１２３において、原子状水素と原子状窒素とを生成し、両者を反応させてアンモニアを合成する。 - 特許庁

This optical recording medium has a recording layer 3b constituted of a plurality of elements, and the recording layer 3b contains Sb and contains Mn in the ratio of 20 to 40 atomic% when the amount of all constituent elements of the recording layer 3b is l00 atomic%.例文帳に追加

複数の元素によって構成される記録層３ｂを有する光記録媒体１であって、記録層３ｂは、Ｓｂを含有すると共に、記録層３ｂを構成するすべての元素の量を１００原子％としたときに２０原子％を超えて４０原子％以下の比率でＭｎを含有している。 - 特許庁

The ceramic porous plate has fine pore parts having 5 nm to 200 μm average pore diameter and ≥0.5 mm thickness and a thin film having film thickness controlled in a molecular layer or atomic layer level is formed on at least a part of the inside wall of the fine pore parts by an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

平均細孔径が５ｎｍ〜２００μｍの細孔部を有し厚さが０．５ｍｍ以上のセラミック多孔質板であって、該細孔部内壁の少なくとも一部にＡＬＤ法によって分子層または原子層レベルで膜厚制御された薄膜が形成されていることを特徴とするセラミック多孔質板を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus capable of efficiently depositing a film without necessitating frequent maintenance of a film deposition chamber, in vacuum film deposition by an ALD (atomic layer deposition) method.例文帳に追加

ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition device that improves uniformity of a film thickness distribution while suppressing a decrease in film-forming rate.例文帳に追加

成膜速度の低下を抑制しつつ、膜厚分布の均一性を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

When the buffer layer 102 is provided on a silicon substrate 101, particularly, an element having atomic radius larger than that of silicon is used as the impurity.例文帳に追加

特に、シリコン基板１０１上の低温緩衝層に添加する不純物は、珪素より原子半径を大とする不純物とする。 - 特許庁

To provide a method capable of inspecting accurately and easily an atomic layer deposition film, in particular, having a very thin film thickness.例文帳に追加

特に膜厚がきわめて薄い原子層堆積膜について、正確にしかも容易に検査を行うことができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming compound thin films through atomic layer deposition using high-k dielectric Group VB species.例文帳に追加

本発明は、高ｋ誘電体の第ＶＢ族核種を使用して原子層堆積により化合物薄膜を形成する方法に関する。 - 特許庁