「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent, in a light emitting device, serious deterioration of light emitting characteristics by a metal electrode due to atomic diffusion from a light emitting layer material to the metal electrode or atomic diffusion from the metal electrode to a light emitting layer.例文帳に追加

発光デバイスにおいて、金属電極は発光層材料からの原子拡散や、金属電極から発光層への原子拡散によって発光特性が大きく低下することを防止する。 - 特許庁

The surface layer is formed while being reduced in difference in the atomic % of oxygen in a top most surface and in a central section of the surface layer and the atomic % in oxygen atom, fluorine atom and carbon atoms with C-O bond and C=0 bond controlled on the top most layer of the surface layer.例文帳に追加

最表面と表面層中心部における酸素の原子％の差が小さく、表面層の最表面における酸素原子とフッ素原子とC-O結合及びC＝O結合を持つ炭素原子の原子％が制御された表面層を形成する。 - 特許庁

The plasma treatment layer 45 can be formed in such a way that the surface of the fixation layer 44, the film-formation initial layer of the antiferromagnetic layer 46 or several atomic layers of both are exposed to an argon ion plasma.例文帳に追加

プラズマ処理層４５は固定層４４の表面、反強磁性層４６の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。 - 特許庁

The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.例文帳に追加

半導体構造の作成方法は、表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板の表面上に、シリコン，窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース１４を形成する段階；および１層以上の単結晶酸化物２６をインタフェース上に形成する段階；によって構成される。 - 特許庁

The readout layer 4 is an amorphous film formed by alternately stacking atomic layers 4a of Gd as a rare earth element and atomic layers 4b of FeCo as transition metal elements.例文帳に追加

読み出し層４を、希土類元素のＧｄ原子層４ａと、遷移金属元素のＦｅＣｏ原子層４ｂとを交互に積層して構成した非晶質膜とする。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition device capable of generating plasma with stability.例文帳に追加

安定してプラズマを発生させることができる原子層堆積装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An element having a larger atomic radius than phosphorus has is used as the impurity added to the low-temperature buffer layer 102.例文帳に追加

低温緩衝層１０２に添加する不純物をリンより原子半径を大とする元素とする。 - 特許庁

To prevent a partial degradation in the film properties in a wafer face of a film formed by an atomic layer epitaxy process.例文帳に追加

原子層成長法で成膜した膜のウェハ面内での膜特性の部分的な低下を防ぐ。 - 特許庁

To supply a plurality of raw material gases at a desired supply ratio for atomic layer growth.例文帳に追加

原子層成長において、所望とする供給比で複数の原料ガスが供給できるようにする。 - 特許庁

To increase a method of depositing high dielectric constant material on a substrate by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

原子層堆積法を用いて基板上に高誘電率材料を堆積する方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITING ATOMIC LAYER, METHOD OF PRODUCING GATE STRUCTURE USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR例文帳に追加

原子層の積層方法、これを用いたゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法 - 特許庁

To provide a single atomic deposition layer apparatus in which the structure of a reaction vessel and a test piece holder has been improved.例文帳に追加

反応容器及び試片ホルダーの構造が改善された単原子蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition (ALD) process for forming a silicon dioxide thin film at low temperature.例文帳に追加

低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。 - 特許庁

Silicon nitride film (ALD-SiN film 3) is formed on the substrate 1 by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

基板１上に、原子層蒸着法によって窒化シリコン膜（ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３）を成膜する。 - 特許庁

The reaction control layer 202 is preferably constituted from a metal element having a larger atomic number than Ni.例文帳に追加

反応制御層２０２は、Ｎｉより原子番号が大きい金属元素から構成されるのが好ましい。 - 特許庁

In the method, TaN with various nitrogen content is deposited by a plasma enhanced atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラズマ強化原子堆積法によって様々な窒素含有率のＴａＮを堆積する方法である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-CONTAINING SOLID THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION BY USING HEXACHLORODISILANE AND AMMONIA例文帳に追加

ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法 - 特許庁

The method of forming the crystalline phase change layer (100) leaving the surface smooth at the atomic level on the surface.例文帳に追加

表面に原子レベルで滑らかな表面を残す結晶性相変化層(100)を形成する方法。 - 特許庁

This recording layer is constituted of TiwGexSbyTez which satisfies formulas 0.5≤w≤4.0, 3.4≤x≤14.5, 2.1≤y/z≤4.0, w+x+y+z=100 (atomic ratio).例文帳に追加

０．５≦ｗ≦４．０３．４≦ｘ≦１４．５２．１≦ｙ／ｚ≦４．０ｗ ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００（原子比） - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus and process that minimize mixing of the chemicals and reactive gases.例文帳に追加

化学剤及び反応性気体の混合を最小にする原子層堆積装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for depositing a film on a substrate by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) method in which an organic layer on the substrate is not damaged.例文帳に追加

ＰＥＡＬＤにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。 - 特許庁

To form a doped layer which has a profile width in the order of atomic layer thickness by suppressing the surface segregation of a dopant.例文帳に追加

本発明は、ドーパントの表面偏析を抑制して、原子層オーダでのプロファイル幅を持つドーピング層を形成することを目的としている。 - 特許庁

A nitride semiconductor layer is that an atomic fraction of P or As occupied in the nitride semiconductor layer is 30% or less.例文帳に追加

但し、このＰまたはＡｓを含む窒化物半導体のＮの原子分率は、そのＰまたはＡｓの原子分率よりも大きいものとする。 - 特許庁

The Al oxide layer is directly connected to a transparent pixel electrode 3, [O]/[Al] being a ratio of O atomic number and Al atomic number in the Al oxide layer is 0.30 or less, and the thickness of the thinnest part of the Al oxide layer is 10 nm or less.例文帳に追加

Ａｌ酸化物層は透明画素電極３と直接接続しており、Ａｌ酸化物層中のＯ原子数とＡｌ原子数との比である［Ｏ］／［Ａｌ］が、０．３０以下であり、Ａｌ酸化物層の最も薄い部分の厚みが１０ｎｍ以下である。 - 特許庁

The second layer 52 is formed with alloy including b-atomic% of cobalt and (100-b)-atomic% of iron while (b) is ≥70, ≤90, and also an oxidation process is applied on the face of the second layer 52 at the side opposite to the first layer 51.例文帳に追加

第２層５２は、コバルトをｂ原子％、鉄を（１００−ｂ）原子％含み、ｂが７０以上、９０以下である合金によって形成され、且つ第２層５２における第１層５１とは反対側の面には酸化処理が施されている。 - 特許庁

The gas barrier film 1 composed of a single atomic layer laminate by the atomic layer deposition method is manufactured on a base film 2 while continuously moving the long base film 2 by using, for example, an apparatus 10 shown in Fig. 1.例文帳に追加

例えば図１の装置１０を用い、長尺の基材フィルム２を連続して移動させながら、その基材フィルム２上に原子層堆積法による単原子層積層体からなるガスバリア膜１を作製する。 - 特許庁

It is preferable that the atomic ratio of O to B in the recording layer is 2.2≤O/B≤13 and that the content ratio of O in the whole elements constituting the recording layer ranges 50% to 67% by the atomic ratio.例文帳に追加

記録層におけるＯとＢの原子比が２．２≦Ｏ／Ｂ≦１３である態様、記録層を構成する元素全量のうち、Ｏが占める割合が、原子比で５０％から６７％の範囲である態様などが好ましい。 - 特許庁

To provide a dry etching method removing a solid material composed of plural constituting elements by one atomic layer or by one molecular layer and capable of controlling the order of the atomic layers or the order of the molecular layers, and to provide a device therefor.例文帳に追加

複数の構成元素からなる固体材料を１原子層又は１分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

By utilizing the neutral-beam-utilizing atomic layer vapor deposition apparatus and the atomic layer vapor deposition method utilizing the apparatus, it is possible to practice the steps without damages due to charging.例文帳に追加

本発明による中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を利用することによって、チャージングによる損傷なしに工程を実行することができる。 - 特許庁

A third layer is made of one and more materials having a small Z/A (atomic number/ atomic weight) ratio generated from the second layer and decreasing the electron and proton passing through the first and second layers and the photoelectron.例文帳に追加

第３層は、第１及び第２層を通過する電子及び陽子とともに、光電子を減じる比率が前記第２層から発した小なるZ/A（原子番号／原子量）を有する１つ以上の材料からなる。 - 特許庁

By using an atomic force microscope provided with a probe 22 of the same composition as the protective layer 13, a force curve in a lubricating layer 14 is measured.例文帳に追加

保護層１３と同一組成の探針２２を備えた原子間力顕微鏡を用いて、潤滑層１４におけるフォースカーブを測定する。 - 特許庁

The second barrier layer 142, which is formed on the second surface 112 by the atomic layer deposition method, is made of an inorganic material having water vapor barrier properties.例文帳に追加

第２のバリア層１４２は、第２の面１１２に原子層堆積法によって形成され、水蒸気バリア性を有する無機材料からなる。 - 特許庁

At least on an upper surface of the GaN layer 13 at a bottom part of the trench T1 which comes into contact with the gate insulating film 15, an atomic layer step is formed.例文帳に追加

少なくともゲート絶縁膜１５と接触するトレンチＴ１底部のＧａＮ層１３上面には、原子層ステップが形成されている。 - 特許庁

First, a reaction control layer 202, which includes a metal element having a larger atomic number than Ni and does not include Ni, is formed on a silicon layer 100.例文帳に追加

まず、シリコン層１００上に、Ｎｉより原子番号が大きい金属元素を含み、Ｎｉを含まない反応制御層２０２を形成する。 - 特許庁

The outermost layer is composed of one kind or more selected from aluminum nitride and aluminum carbonitride, and includes chlorine by 0 to 0.5 atomic % or less in the outermost layer.例文帳に追加

最外層は、窒化アルミニウム、炭窒化アルミニウムから選ばれる1種以上からなり、最外層中に塩素を0超0.5原子％以下含有する。 - 特許庁

To provide a method of forming a strip-like single-layer graphite thin film having an edge structure set in good order in an atomic scale.例文帳に追加

原子スケールで整った端構造を持つ短冊状の単層グラファイト薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The atomic ratio of fluorine to magnesium (F/Mg) in magnesium fluoride constituting the surface layer is specified to 1.50 to 1.95.例文帳に追加

表面層を形成するフッ化マグネシウムのマグネシウムに対するフッ素の原子比（Ｆ／Ｍｇ）を１.５０〜１.９５とする。 - 特許庁

PASSIVATION METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY AND REPRODUCIBILITY OF ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

原子層堆積法および化学気相成長法の均一性および再現性を向上するパッシベーション方法 - 特許庁

The amorphous Al_2O_3 film can be deposited using a chemical vapor deposition, atomic layer deposition or sputtering process.例文帳に追加

上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、化学気相堆積法、原子層堆積法又はスパッタ法を用いて、堆積される。 - 特許庁

The solar cell includes a semiconductor structure coupling body and the atomic layer multilayer structure formed of at least one oxide.例文帳に追加

半導体構造結合体および少なくとも１つの酸化物で形成される原子層多層構造を含む。 - 特許庁

CAPACITOR COMPRISING ALUMINA/ALUMINUM NITRIDE COMPOSITE DIELECTRIC FILM FORMED BY ATOMIC LAYER VAPOR-DEPOSITION METHOD, AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

原子層蒸着方法で形成したアルミナ／アルミニウムナイトライド複合誘電体膜を持つキャパシタとその製造方法 - 特許庁

The superlattice layer 100 has a superlattice structure constructed by alternately laminating barrier layers 101 composed of AlN2 atomic layers and well layers 106 composed of GaN4 atomic layers upon another by five cycles.例文帳に追加

超格子層１００は、ＡｌＮ２原子層からなる障壁層１０１、及びＧａＮ４原子層からなる井戸層１０６が交互に積層された５周期の超格子構造を有する。 - 特許庁

The result about the formation of the atomic layer deposition film is determined between an deposition process and an oxidation process, or after the oxidation process, when having the deposition process depositing a film raw material on the base to form a precursor film and the oxidation process for steam-oxidation-treating the precursor to form the atomic layer deposition film, in the formation of the atomic layer deposition film.例文帳に追加

原子層堆積膜形成が、膜原料を基体上に堆積させて前駆体膜を形成する堆積工程と、前駆体膜を水蒸気酸化処理して原子層堆積膜とする酸化工程とを有している場合、原子層堆積膜形成の成否の判定を、堆積工程と酸化工程との間、または酸化工程の後に行うようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming a tantalum oxide film, utilizing a plasma atomic layer deposition method, by which film quality and electrical characteristics can be improved by forming a tantalum oxide film utilizing the plasma atomic layer.例文帳に追加

プラズマ原子層蒸着法を利用してタンタル酸化膜を形成することによって、膜質の改善と電気的特性の向上を図ることのできる、プラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

After the forming step, the electronic device is exposed to plasma (118) so that the atomic concentration of carbon in a part of the dielectric layer rises, and the atomic concentration of oxygen in a part of the dielectric layer lowers.例文帳に追加

前記形成ステップの後、本方法は、前記誘電体層の一部における炭素の原子濃度が上昇し、前記誘電体層の一部における酸素の原子濃度が低下するように、前記電子デバイスをプラズマに暴露する（１１８）。 - 特許庁