「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for enhancing hydrogenation of the oxide-encapsulated material includes forming an injection layer having a low reflectivity of monatomic hydrogen on the oxide-encapsulated material, and hydrogenating the material with an atomic hydrogen source such as a hydrogen plasma.例文帳に追加

単原子水素の反射率が低い注入層を酸化物カプセル化材料上に形成した後、水素プラズマ等の原子水素源で水素化する。 - 特許庁

The carbon raw material for an electric double layer capacitor has an atomic ratio H/C of hydrogen and carbon of ≥0.2, and true specific gravity of ≥1.50 g/ml.例文帳に追加

水素と炭素の原子比Ｈ／Ｃが０．２以上であり、かつ真比重が１．５０ｇ／ｍｌ以上である電気二重層キャパシタ用炭素原料。 - 特許庁

To provide a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition.例文帳に追加

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the glass coat layer 16, the atomic ratio of alkaline metal element content to silicon element content is gradually increased from the surface to the inside.例文帳に追加

ガラスコート層１６は、その表面近傍から内部に向かって、ケイ素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の原子比が暫増している。 - 特許庁

To provide an arrangement for supplying a gas for atomic layer vapor deposition, wherein a single heater can heat both a container which holds a powder material and a carrier gas.例文帳に追加

一つのヒーターで、粉末原料を収容する容器とキャリアガスとを、共に加熱できる原子層蒸着用ガス供給装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a self-organizing monomolecular film having reduced columnar molecular voids and pits caused by the falling of a gold surface atomic layer.例文帳に追加

列状分子空げきや金表面原子層の脱落に伴うピットなどの欠陥の少ない自己組織化単分子膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film of such a high quality as is conventionally unable to achieve by successively performing both atomic layer deposition and chemical vapor deposition in a single reactor.例文帳に追加

原子層成長と気相化学成長を連続して同一の反応装置に実行することにより、従来できなかった高品質膜を形成する。 - 特許庁

The X-ray emission phosphor containing one kind of element in the range from lanthanum (La) having the atomic number 57 to europium (Eu) having the atomic number 63, and at least one kind of element selected from oxygen (O), sulfur (S), selenium (Se) and tellurium (Te) is used for the scintillator layer.例文帳に追加

原子番号５７のランタン(Ｌａ)から原子番号６３のユウロピウム(Ｅｕ)までの少なくとも一種と、酸素(Ｏ)、硫黄(Ｓ)、セレン(Ｓｅ)およびテルル(Ｔｅ)の少なくとも一種とを含むＸ線発光蛍光体をシンチレータ層に用いる。 - 特許庁

In this case, a high adhesion strength of the MoN layer 45 to the photosensitive resin 4 can be obtained by setting the N2 content in the MoN film 45 from 5 atomic % to 30 atomic %, and the degradation of the etching rate can be suppressed.例文帳に追加

その場合、ＭoＮ膜４５におけるＮ_2の含有量を５原子％以上で且つ３０原子％以下にすることによって、感光性樹脂４４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得ることができ、且つ、エッチングレートの低下を抑制できる。 - 特許庁

A free magnetic layer 6 and second fixed magnetic layers 4c and 8c are formed of CoMnGeSi alloy layers whose composition formulae are expressed by Co_2xMn_x(Ge_1-zSi_z)_y (both of x and y are atomic%, and 3x+y=100 atomic%).例文帳に追加

フリー磁性層６及び第２固定磁性層４ｃ，８ｃが、組成式がＣｏ_２ｘＭｎ_ｘ（Ｇｅ_１—ｚＳｉ_ｚ）_ｙ（ｘ、ｙはいずれも原子％であり、３ｘ＋ｙ＝１００原子％）で表されるＣｏＭｎＧｅＳｉ合金層で形成されている。 - 特許庁

In that case, high adhesion of the MoN layer 45 to the photosensitive resin 44 can be obtained and also an etching rate is prevented from decreasing by maintaining N_2 concentration in the MoN film 45 to ≥5 atomic % and ≤30 atomic %.例文帳に追加

その場合、ＭoＮ膜４５におけるＮ_2の含有量を５原子％以上で且つ３０原子％以下にすることによって、感光性樹脂４４に対するＭoＮ層４５の高い密着力を得ることができ、且つ、エッチングレートの低下を抑制できる。 - 特許庁

To provide a thin film formation method using atomic-layer vacuum deposition which is applied to the formation of a gate insulating layer, having a high dielectric constant, less likely to be crystallized due to its being thermally stable, and proper film properties.例文帳に追加

比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A solar cell includes a thin film n-layer containing Zn, Sn and O, and atomic ratio of Zn and Sn in the n-layer is from 20:80 or more to 80:20 or less.例文帳に追加

本発明は、Ｚｎ、Ｓｎ及びＯを含有する薄膜状のｎ層を備え、このｎ層におけるＺｎとＳｎとの原子数比が２０：８０以上８０：２０以下である太陽電池である。 - 特許庁

To provide a method of continuously depositing the atomic layers of respective single-layer films of a one single-layer film thickness by respectively bringing a plurality of precursors into contact with the surface of a substrate at different temperatures.例文帳に追加

基板上に、異なる温度において、複数の前駆体をそれぞれ接触させることにより、１単層膜厚のそれぞれの単層膜を連続的に原子層堆積する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the supply amount of a raw material precursor to deposit a thin film while highly accurately realizing film thickness control at an atom layer level by an atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層堆積法（ＡＬＤ法）により原子層レベルでの膜厚制御を高精度に実現しながら薄膜を堆積するために、原料プレカーサの供給量を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element comprises a substrate, a light emitting layer provided on the substrate, a clad layer provided on the light emitting layer, and a buried layer provided on the substrate in contact with the opposite side faces of the light emitting layer or the clad layer wherein the buried layer contains phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20%.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層またはクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有し、前記埋め込み層がリン原子またはヒ素原子を２０％以下の原子分率で含むＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子とする。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet; an iron-zinc alloy plating layer is provided to at least one side of a steel sheet; the surface of the above plating layer has a flat zone; an oxide layer of ≥10 nm thickness is formed on the flat zone; and the ratio (atomic %) between Zn and Al in the surface layer of the above flat zone is made to 2.0-8.0.例文帳に追加

鉄−亜鉛合金めっき層を少なくとも鋼板の片面に有し、かつ前記めっき層の表面に平坦部を有し、その平坦部に厚さ10nm以上の酸化物層が形成され、かつ前記平坦部表層におけるZn/Al比(at%)が2.0以上、8.0以下である合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

The surface layer 19C comprises an amorphous film containing silicon and carbon, wherein the atomic ratio of carbon atoms in the total atomic number of silicon and carbon is 90-100 atm% at least in a region 19Ca with a constant thickness from the surface of a photosensitive layer 19.例文帳に追加

表面層１９Ｃは、珪素および炭素を含むアモルファス膜からなり、少なくとも感光層１９の表面から一定厚みの領域１９Ｃａまでにおいて、珪素と炭素との合計原子数における炭素原子の占める原子割合が９０ａｔｍ％以上１００ａｔｍ％未満とされている。 - 特許庁

And a method of manufacturing the magnetic random access memory is characterized that the tunnel oxide film is formed by atomic layer laminating method, and the other material films, especially the anti-oxidation film, are formed by a non-atomic layer laminating method.例文帳に追加

磁気トンネル接合層が下部磁性膜、酸化防止膜、トンネル酸化膜および上部磁性膜で構成されたことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ、ならびに前記トンネル酸化膜は原子層積層法で形成し、他の物質膜、特に前記酸化防止膜は非原子層積層法で形成することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁

A first protective layer (54) overlies a first region (40) of the surface (52) of the substrate (50), wherein the first protective layer (54) has a composition with a first-protective-layer aluminum content at least 3 atomic percent greater than the substrate (50) aluminum content.例文帳に追加

第１の保護層（５４）が、基板（５０）の表面（５２）の第１の領域（４０）を覆い、第１の保護層（５４）は、基板（５０）アルミニウム含有量よりも少なくとも３原子パーセント多い第１保護層アルミニウム含有量を含む組成を有する。 - 特許庁

The film 1 comprises the surface silica layer 4 having water repellant and stainproof characteristics and arranged on the outermost surface, and an adhesion silica layer 3 containing carbon of less than 20 atomic %, which is arranged between the surface silica layer 4 and a base 2.例文帳に追加

撥水性と防汚性がある表面シリカ層４を最表面に有し、その表面シリカ層４と基材２との間に炭素含有量が２０原子％未満の密着シリカ層３を有するフィルム１によって、上記課題を解決する。 - 特許庁

Due to local heat generation in the laser spot at this time, the atomic bond between the semiconductor layer 11 and the substrate 10 is broken at their interface, and a pyrolysis layer 11a is formed between the substrate 10 and the semiconductor layer 11.例文帳に追加

このときのレーザスポットの局所的な発熱により、半導体層１１はその基板１０との界面において両者の原子同士の結合が切断されて、基板１０と半導体層１１層との間に熱分解層１１ａが形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the gas barrier film is first to unwind the polymer film, and then, form an inorganic matter layer in an atmosphere of gas plasma containing a carbon element with 0.1 to 10% carbon atomic number to the oxygen atomic number charged during forming the inorganic matter layer, when the inorganic matter layer is formed on the surface of the film by vaporizing a metal.例文帳に追加

かかるガスバリア性フィルムの製造方法は、高分子フィルムを巻き出したのち、次いで、金属を蒸気化して該フィルム表面上に無機物層を形成する際に、該無機物層を、該無機物層形成時に投入される酸素原子数に対する炭素原子数の０．１〜１０％である炭素元素含有ガスプラズマ雰囲気中で形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

The plated material for the terminal or the connector has the Au plating layer formed on the surface of a base material composed of the stainless steel thin plate, wherein the arithmetic surface roughness (Ra) of the plating layer measured by an atomic force microscope is 3.0 nm or less.例文帳に追加

ステンレス鋼薄板からなる基材の表面に、原子間力顕微鏡により測定した算術表面粗さ（Ra）が３．０ｎｍ以下であるＡｕめっき層を形成してなる端子又はコネクタ用めっき材である。 - 特許庁

The adhesive with not less than 2.0 atom% and not more than 4.0 atom% nitrogen atomic weight of the surface of the adhesive layer (B) is used to bond the polyester film (A) and the metallic sheet (B) together through an adhesive layer (C).例文帳に追加

ポリエステルフィルム（Ａ）と金属板（Ｂ）とを接着剤層（Ｃ）を介して貼り合わせる際、接着剤層（Ｂ）の表面の窒素原子量が２．０ａｔｏｍ％以上、４．０ａｔｏｍ％以下の接着剤を用いる。 - 特許庁

A transparent conductive oxide layer 19 is set as an anode, and a probe 21 of an atomic force microscope is placed with a predetermined interval from a surface of the transparent conductive oxide layer 19, which is set as a cathode.例文帳に追加

透明導電性酸化物層１９を陽極とし、透明導電性酸化物層１９の表面から所定の間隔を隔てて原子間力顕微鏡の探針２１を設置しこれを陰極とする。 - 特許庁

To provide an atomic layer growth apparatus capable of reducing damage of a to-be-formed film caused by plasma, improving a deposition rate, and suppressing generation of particles.例文帳に追加

形成される膜のプラズマによるダメージを低減するとともに、成膜レートを向上し、かつ、パーティクルの発生を抑制することができる原子層成長装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, the conductive substrate has a layer of an element whose atomic number is smaller than that of the constitutive element of the conductive substrate on a surface forming the resin mold.例文帳に追加

また、導電性基板は、樹脂型を形成する面に、導電性基板の構成元素より原子番号が小さい元素からなる層を有する態様が好ましい。 - 特許庁

The atomic layer of second species may be deposited at nearly the optimum temperature for deposition of the second species different from the optimum temperature of the first species on the first species.例文帳に追加

第２スピーシは、前記第１スピーシ上に、第１スピーシの最適温度とは異なる第２スピーシの堆積のためのほぼ最適温度において、原子層堆積されてもよい。 - 特許庁

The cross-sectional shape of the cavity 25 is, for example, a boat-like concave shape and a surface A of the cavity 25 is covered with a film X that is formed by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 - 特許庁

The method for forming an integrated circuit configuration on a semiconductor substrate includes deposition of the high-k gate insulating material on the substrate by using an atomic layer deposition process.例文帳に追加

原子層堆積プロセスを用いて基板上に高ｋゲート絶縁材料を堆積することを包含する、半導体基板上に集積回路構造を形成するための方法。 - 特許庁

The reflection layer contains 90.0-99.9 atomic % noble metal or alloy of noble metal and other noble metal and preferably one or more elements selected from the group consisting of group VA elements and group VIA elements of the periodic table as components other than the noble metal.例文帳に追加

貴金属以外の成分としては、周期表ＩＶＡ族、ＶＡ族およびＶＩＡ族からなる群より選ばれる1種以上の元素が好ましい。 - 特許庁

To provide metal source containing precursor liquid solutions for chemical vapor deposition processes, including atomic layer deposition, for fabricating conformal metal containing films on substrates.例文帳に追加

基材上においてコンフォーマル金属含有皮膜を製作するための、原子層堆積を含む化学蒸着法用の金属源含有前駆体溶液を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a stress-tuned dielectric film having Si-N bonds on a semiconductor substrate by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD).例文帳に追加

プラズマ励起原子層の成膜（ＰＥＡＬＤ）によって半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To improve the uniformity of in-plane film thickness distribution while avoiding a change in throughput and film quality in a film forming method using a vertical tube ALD (atomic layer deposition) device.例文帳に追加

縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。 - 特許庁

The electric double layer capacitor is obtained by the above-described manufacturing method, and the electrode active material in which an atomic ratio (H/C) of hydrogen to carbon is in a range of 0.35 to 0.46 is used.例文帳に追加

電気二重層キャパシタは、上記の製造方法によって得られ、炭素に対する水素の原子比（Ｈ／Ｃ）が０．３５〜０．４６の範囲内の電極活物質を用いる。 - 特許庁

To provide a surface treatment apparatus in which the hydrogen concentration of the surface atomic layer of a sample is measured in the surface treatment apparatus without extracting the sample in atmospheric air.例文帳に追加

試料を大気中に取り出すことなく表面処理装置内において、試料の表面原子層の水素濃度の測定を行う表面処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film in which a thin film having good film characteristics can be formed while suppressing defects on the film interface by atomic layer deposition (ALD method).例文帳に追加

原子層蒸着法（ＡＬＤ法）において、膜界面の欠陥が少なく、膜特性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

Deposition is performed by an atomic layer deposition (ALD) process utilizing a first reactant provided during a first pulse period and a second reactant provided during a second pulse period.例文帳に追加

第１パルス期間に供給される第１反応物と、第２パルス期間に供給される第２反応物とを利用する原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスにより成膜する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a gas barrier film excellent in gas barrier property efficiently and inexpensively by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

原子層堆積法によるガスバリア性に優れたガスバリア膜の作製を効率的で安価に行うことができるガスバリア膜の作製方法及び作製装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a field effect transistor and method and system for fabricating a semiconductor device in which film formation can be controlled on the order of atomic layer.例文帳に追加

原子層オーダでの膜形成の制御が可能な、電界効果トランジスタの製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The depositing method can be CVD (chemical vapor deposition), MOCVD (organic metal chemical vapor deposition), ALD (atomic layer deposition), or those similar to this.例文帳に追加

蒸着は化学気相蒸着法ＣＶＤ、有機金属化学気相蒸着法ＭＯＣＶＤ、原子層蒸着法ＡＬＤ、またはこれと類似の蒸着法であり得る。 - 特許庁

When a voltage is applied to the solid electrolyte 42, nitrogen ions are generated in the solid electrolyte layer 42 and further, atomic nitrogen N(a) is generated from the nitrogen ions.例文帳に追加

固体電解質４２に電圧を加えると、固体電解質層４２において窒素イオンが生成され、さらにこの窒素イオンから原子状窒素Ｎ（ａ）が生成される。 - 特許庁

To produce a silicon oxide layer by depositing a film having a carbon content of at least 1% by atomic weight, by a plasma enhanced oxidation of organosilicon compounds.例文帳に追加

有機シリコン化合物のプラズマ増速酸化によって少なくとも１原子量％の炭素含有量を有する膜を堆積させることによって、酸化シリコン層を生成する。 - 特許庁

To provide the laminating method of an atomic layer capable of forming a metal oxide film having excellent step coverage characteristics and high dielectric constant at a high deposition speed.例文帳に追加

優れたステップカバレージ特性及び高誘電率を有する金属酸化物の膜を、高い蒸着速度で形成することのできる原子層積層方法を提供する。 - 特許庁