「atomic layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a horizontal thin film deposition apparatus for growing an atomic layer by feeding gas parallel to a substrate which is capable of uniformly depositing a film on a larger substrate without any complicated gas feeding mechanism.例文帳に追加

基板に平行にガスを供給することで原子層成長を行う横型の薄膜形成装置で、ガスの供給機構を複雑にすることなく、より大きい基板に対してより均一に膜が形成できるようにする。 - 特許庁

When the sensitive film 2 is formed on the substrate 1, irregularities on the surface of the substrate 1 are flattened, in such a way that they are 1/5 or smaller than the film thickness of the sensitive film 2, and the tin oxide is then formed by the atomic-layer growth method.例文帳に追加

基板１の上に感応膜２を形成する時は、基板１の表面の凹凸が感応膜２の膜厚の１／５以下になるように平坦化した後、酸化スズを原子層成長法により形成する。 - 特許庁

The Ne of a small atomic weight is used in the above manner, by which the decomposition of the oxide is suppressed and the formed magnetic layer is made into the structure sufficiently separated and segregated with the oxide or nitride.例文帳に追加

このように原子量の小さなＮｅを使用することにより、スパッタリング時の酸化物の分解が抑制され、形成された磁性層は酸化物または窒化物と金属が十分に分離偏析した構造となる。 - 特許庁

To provide doping which allows the concentration and uniformity of a deposited dopant to be controlled by blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant and allows the blocking reactant to be introduced prior to introduction of the dopant precursor in an ALD (atomic layer deposition) process or allows the blocking reactant and the dopant precursor to be introduced simultaneously.例文帳に追加

阻害反応物を用いてドーパント前駆体が利用可能な結合部位の一部を阻害することによって、堆積したドーパントの濃度および均一性を制御することができる。 - 特許庁

A method of forming a bismuth-containing oxide thin film by utilizing atomic layer deposition which includes the use of an organic bismuth compound having at least one silylamide ligand as the source material of a bismuth oxide.例文帳に追加

酸化ビスマスの原料物質として、少なくとも１個のシリルアミド配位子を有する有機ビスマス化合物を使用することを含む、原子層堆積によりビスマス含有酸化物薄膜を作製するための方法。 - 特許庁

To provide a nickel-chromium alloy or a surface layer coated with the nickel-chromium alloy, which has superior corrosion resistance, surface cleanliness and antibacterial activity, and a flat surface in an atomic level, and to provide a surface treatment method therefor.例文帳に追加

高耐食性、表面清浄性、抗菌性に優れた、原子レベルで平坦な表面を有するニッケル−クロム合金又はニッケル−クロム合金による表面被覆層とその表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To rapidly analyze and evaluate the presence of a crystal in a solid-liquid interface, a crystal structure, a crystallite dimension (crystal domain size) or a correlation length and the structure of atomic ions or molecular ions of an interfacial electric double layer.例文帳に追加

固液界面における結晶の存在有無、結晶構造、結晶子寸法（結晶ドメインサイズ）、あるいは、コリレーション長、界面電気二重層の原子イオン、あるいは、分子イオンの構造を迅速に解析・評価する。 - 特許庁

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics.例文帳に追加

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a write-once type optical recording medium whose characteristics, storage stability in particular, is improved even in a disk having a different layer constitution by adjusting the atomic ratio of Bi to B and the content of O within an optimum range.例文帳に追加

ＢｉとＢの原子比、Ｏの含有量などを最適範囲にすることで異なる層構成のディスクにおいても良好な特性、特に保存安定性を向上させた追記型光記録媒体の提供。 - 特許庁

To resolve a conventional problem being very slow in forming a film by atomic layer deposition method by supplying both a metal source and an oxygen source into a film forming chamber at the same time in chemical vapor deposition (CVD) method.例文帳に追加

化学気相成長(CVD)法において金属源、ケイ素源および酸素源を成膜室に同時給送することにより、原子層堆積法の成膜は非常に低速であるという従来の難点を克服する。 - 特許庁

The strontium-containing thin film such as a SrTiO_3 film and a (Ba, Sr)TiO_3 film is formed by using bis(propyltetramethylcyclopentadienyl) strontium as an Sr source, with a chemical vapor deposition method or an atomic layer deposition method.例文帳に追加

Ｓｒ源として、ビス（プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを用いて、化学気相成長法または原子層堆積法により、ＳｒＴｉＯ₃または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃膜等のストロンチウム含有薄膜を形成する。 - 特許庁

In the group III-V nitride semiconductor element comprising a substrate, a warp suppression layer provided on the substrate and a nitride semiconductor layer provided on the warp suppression layer, the warp suppression layer is a nitride semiconductor layer containing phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20% and having a thickness of 25-100 nm.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた基板反り抑制層と、前記基板反り抑制層上に設けられた上部窒化物半導体層とを少なくとも有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子であって、前記基板反り抑制層は、リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれている窒化物半導体層であり、かつその層厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子とする。 - 特許庁

This is an organic electroluminescent element having at least one organic layer including a light-emitting layer between a pair of electrodes, a compound is contained in the organic layer, and the compound has the main chain part and the side chain part, and carbon atom contained in the main chain part is bonded to the atomic group of the side chain part and constitutes a ring.例文帳に追加

一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一つの有機層を有する有機電界発光素子であって、前記有機層に化合物を含有し、前記化合物が主鎖部と側鎖部とを有し、前記主鎖部に含まれる炭素原子は前記側鎖部の原子団と結合して環を構成する有機電界発光素子。 - 特許庁

The photomask blank has a thin film of a single layer or two or more layers formed on a transparent substrate, and is characterized in that: the outermost surface layer of the thin film of a single layer or two or more layers comprises an aluminum compound and metal aluminum added to the aluminum compound; and the rate of content of the metal aluminum is ≤60 atomic%.例文帳に追加

透明基板上に単層の薄膜もしくは２層以上の薄膜が形成されたフォトマスクブランクスにおいて、前記単層の薄膜もしくは２層以上の薄膜の最表面層が、アルミニウム化合物と該アルミニウム化合物に添加した金属アルミニウムとで構成され、前記金属アルミニウムの含有率が６０原子％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Simultaneously, in the region distant from the nonmagnetic substance layer 15 of the second fixed magnetic layer 14c and the free magnetic layer 16 interior, the atomic% of the above element Z is enlarged, and a spin dependency bulk scattering coefficient β is made high, and the product ΔRA of the magnetic reluctance variation ΔR of the magnetic sensing element and the element area A are highly maintained.例文帳に追加

同時に、第２固定磁性層１４ｃ及びフリー磁性層１６内部の非磁性材料層１５から離れた領域で、前記元素Ｚの原子％を大きくしてスピン依存性バルク散乱係数βを高くし、磁気検出素子の磁気抵抗変化量ΔＲと素子面積Ａの積ΔＲＡを高く維持することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.例文帳に追加

金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The single atomic layer deposition apparatus comprises a reaction vessel 106 comprising an upper plate 30 and a lower plate 40 and internally provided with a reaction chamber 20 and the test piece holder 50 for supporting a test piece 60 to be loaded in the reaction chamber 20.例文帳に追加

上板３０及び下板４０を備え、内部に反応室２０が設けられる反応容器１０６及び反応室２０内部にロードされる試片６０を支持する試片ホルダー５０を備える単原子蒸着装置である。 - 特許庁

The photoconductive layer 102 is formed of a non-monocrystalline material mainly composed of silicon, and contains an element of the thirteenth group of the periodic table in an atomic concentration ranging from 2.5×10^14 [l/cm^3] to 4×10^15 [l/cm^3].例文帳に追加

光導電層１０２は、シリコンを主体とする非単結晶材料により構成され、周期律表第１３族元素を２．５×１０^１４［１／ｃｍ^３］以上４×１０^１５［１／ｃｍ^３］以下の原子濃度で含んでいる。 - 特許庁

The surface lubricant index of the magnetic layer is in the range of 1.3-5.0, and the central surface mean roughness SRa in the area of 40 μm×40 μm measured by the atomic force microscopy (AFM) is equal to or less than 4 nm.例文帳に追加

前記磁性層の表面潤滑剤指数は１．３〜５．０の範囲であり、かつ原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定された４０μｍ×４０μｍの面積での中心面平均粗さＳＲａは４ｎｍ以下である。 - 特許庁

In the film forming apparatus, film formation is performed by atomic layer deposition by outputting precursor gases 10A and 10B to a base material 20 by a plurality of ALD heads 11A and 11B, while conveying the base material 20 by using a plurality of guide rolls 13 and 14.例文帳に追加

複数のガイドロール１３，１４を用いて基材２０を搬送しつつ、複数のＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂによって前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂを基材２０に対して出力し、原子層堆積による成膜を行う。 - 特許庁

To provide an apparatus for forming an atomic layer deposition film as a film forming device having such an extremely simple configuration as to permit the use of solid raw material as it is without requiring a vacuum evacuation device and without liquefying the solid raw material.例文帳に追加

真空排気装置を必要とすることなく、また、固体原料を液状化することなくそのまま使用できるようにした、きわめて簡易な構成からなる成膜装置としての、原子層堆積膜の形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a precursor and a method for producing a Hf-based oxide gate insulation film by using the precursor, by specifying the precursor having little Zr content and physically and economically suitable for an ALD (Atomic Layer Deposition) and CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

ＡＬＤやＣＶＤ用として、物性的にも経済的にも好都合な、Ｚｒの少ないプリカーサーを特定し、その製造方法とそのブリカーサーを用いたＨｆ系酸化物ゲート絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The powder for a lower layer desirably contains P by 0.1-5.0 wt% and further contains R (R is one or two rare earth elements or more including Y) by 0.1-10 at.% in an atomic ratio percentage (at.%) of R/Fe.例文帳に追加

この下層用粉末は，好ましくはＰを０．１〜５．０ｗｔ％含有し，さらにＲ（ＲはＹを含む希土類元素の１種または２種以上）を，Ｒ／Ｆｅの原子比百分率（ ａｔ．％）で０．１〜１０ ａｔ．％含有する。 - 特許庁

The barrier metal layer having the massive polysilcion structure comprises a TaNx film, a TiNx film, etc., and a nitride concentration in the film is set in the range of 10-50 atomic % in the case of the TaNx film.例文帳に追加

ここで、上記塊状の多結晶構造のバリアメタル層は、ＴａＮｘ膜、ＴｉＮｘ膜等で構成され、ＴａＮｘ膜の場合には、膜中の窒素濃度は１０ａｔ．％〜５０ａｔ．％の範囲に設定される。 - 特許庁

The material and shape of a conductive electrode tip 186 of an ion source are optimized to form an atomic layer with a trimer on a surface of the tip, and the tip is allowed to operate in an ultralow temperature condition, so that ionization efficiency with gas helium is improved.例文帳に追加

イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。 - 特許庁

Thereafter, an oxide film or a nitride film is deposited on the surface of the diamond substrate with the oxygen and/or nitrogen adsorbed by an atomic layer deposition process where an organic metal compound and an oxidizing agent or a nitriding agent are alternately fed.例文帳に追加

その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。 - 特許庁

An elastic wave device includes a piezoelectric substrate 10, a comb-shaped electrode 12 formed on the piezoelectric substrate 10, and an insulative film 16 formed on a surface of the comb-shaped electrode 12 by using Atomic Layer Deposition (ALD) method and including aluminum oxide.例文帳に追加

圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成された櫛形電極１２と、櫛形電極１２の表面にＡＬＤ法により形成された酸化アルミニウムを含む絶縁膜１６と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。 - 特許庁

The surface of steel is coated with a rust layer of two or three kinds among an Ni-substituted goethite, Al-substituted goethite and Cr-substituted goethite, and the total content of Ni, Al and Cr in each substituted goethite is ≥0.1 atomic %.例文帳に追加

鋼表面がＮｉ置換ゲーサイト、Ａｌ置換ゲーサイト、およびＣｒ置換ゲーサイトの２種または３種からなるさび層で覆われ、各置換ゲーサイトのＮｉ、ＡｌおよびＣｒの含有量の合計が０．１原子％以上である鋼材。 - 特許庁

In the method for manufacturing the soft magnetic compact, a heat treatment is carried out, after composite soft magnetic particles have been compacted by forming a thin film of an electric insulating nonmagnetic material, on the surface of a soft magnetic particle by atomic layer deposition method.例文帳に追加

軟磁性粒子の表面にアトミック・レイヤ・デポジション法で電気絶縁性非磁性材料からなる薄膜を形成してなる複合軟磁性粒子を圧粉成形後、熱処理することを特徴とする軟磁性成形体の製造方法。 - 特許庁

The circumference of a noble metal core particle of ≤8 nm is coated with a 1 to 6 atomic layer, i.e., with a second noble metal of ≤1 nm, so as to provide a core shell type noble metal nanocolloid particle having a particle diameter of ≤10 nm.例文帳に追加

８ｎｍ以下の貴金属コア粒子の周囲を、１〜６原子層、すなわち１ｎｍ以下の第２の貴金属で被覆することにより、粒子径が１０ｎｍ以下のコアシェル型の貴金属ナノコロイド粒子提供することができる。 - 特許庁

In the ohmic electrode 6, a main component of a contact electrode layer 6a being in contact with the N atomic plane 9 is one selected from a group consisting of Ni, Au, Pd, Mo, Ru, Te, Rh, Co, Re, Os, I and Pt.例文帳に追加

オーミック電極６においてＮ原子面９に接している接触電極層６ａの主成分はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１つである。 - 特許庁

The semiconductor laser element having, at a light emitting end surface, the coat film including an aluminum oxide layer is characterized in that variation in binding energy of a 2p orbital electron and an atomic nucleus of aluminum between a surface part and a deep part in the aluminum oxide layer is ≤1.2 eV.例文帳に追加

本発明は、酸化アルミニウム層を含むコート膜を光出射端面に有する半導体レーザ素子であって、上記酸化アルミニウム層内の表面部と深部におけるアルミニウムの２ｐ軌道電子と原子核の結合エネルギーの変化量が１．２ｅＶ以下であることを特徴とする半導体レーザ素子である。 - 特許庁

In the resistor having the heating layer 3 formed in a film of amorphous silicon on a substrate 1 by a catalyst CVD method, a catalyst body used in the catalyst CVD method is formed of a catalyst element selected from Ta, W and Mo and the catalyst element is included by an atomic ratio of 0.5 ppm-15% in the heating layer 3.例文帳に追加

基板１上にアモルファスシリコンからなる発熱層３を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、発熱層３に触媒元素を０.５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて含有せしめる。 - 特許庁

An intermediate layer is formed using an application liquid for the intermediate layer prepared using: (i) an iron-containing zinc particle having 20 m^2/g or more to 100 m^2/g or less of specific surface area, and containing 1.0 ppm or more to 2.0 ppm or less of iron atom content analyzed by an atomic absorption method; and (ii) a binder resin.例文帳に追加

（ｉ）比表面積が２０ｍ^２／ｇ以上１００ｍ^２／ｇ以下であり、かつ原子吸光法により分析される鉄原子の含有量が１．０ｐｐｍ以上２．０ｐｐｍ以下である鉄含有酸化亜鉛粒子と、（ｉｉ）結着樹脂と、を用いて調製された中間層用塗布液を用いて中間層を形成する。 - 特許庁

A release agent composition is a blend of a polydimethylsiloxane with a polymeric resin, and a release sheet is obtained by coating the release agent composition on at least one side of a base material to form a release agent layer having an organic Si content at a depth of 5 nm in the surface layer (measured by electron spectroscopy for chemical analysis (ESCA)), of 5-30 atomic %.例文帳に追加

ポリジメチルシロキサンと高分子樹脂をブレンドした剥離剤組成物であって、該剥離剤組成物を基材の少なくとも片面に塗布してなる剥離剤層のＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）法による表層の深さ５ｎｍにおける有機Ｓｉ含有量が５〜３０Ａｔｏｍｉｃ％である剥離性シート。 - 特許庁

(1)In the phase change type optical recording media recording information by generating phase change in a recording layer by irradiating a light beam, the recording layer includes Sb as a main component and elements whose atomic radius is smaller than that of Sb (hereinafter element M), the concentration of the element M is different in a direction within a face.例文帳に追加

（１）光ビームを照射することにより記録層に相変化を生じさせて情報を記録する光記録媒体において、記録層が、主成分のＳｂと原子半径がＳｂよりも小さい元素（以下、元素Ｍという）を含み、元素Ｍの濃度が面内方向で異なることを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 特許庁

The suture thread is formed by forming a coating layer on the surface of a fiber material made of fluororesin, the surface of the fiber material has an atomic fraction of a fluorine atom measured by X-ray photoelectron spectroscopy, lower than that of the inside, and the coating layer contains a medicine and a biodegradable polymer.例文帳に追加

フッ素系樹脂からなる繊維素材の表面にコーティング層を形成させてなる縫合糸であって、前記繊維素材の表面におけるＸ線光電子分光法によるフッ素原子の原子分率がその内部より低く、前記コーティング層が薬剤および生分解性高分子を含有することを特徴とする縫合糸。 - 特許庁

When a trench is built on a silicon substrate for a source region and a drain region and then the trench is filled epitaxially with the SiGe mixed crystal layer, the side wall of the trench is built using multiple facets and the atomic concentration of Ge in the SiGe mixed crystal layer is increased beyond 20%.例文帳に追加

シリコン基板中、ソース領域およびドレイン領域に対応してトレンチを形成し、前記トレンチをＳｉＧｅ混晶層によりエピタキシャルに充填する際に、前記トレンチの側壁面を複数のファセットにより画成し、さらにＳｉＧｅ混晶層中のＧｅ原子濃度を２０％を超えて増大させる。 - 特許庁

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加

Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁

The charging member includes a highly conductive support and an elastic layer consisting of one or more layers, the elastic layer being located on the support, wherein the elastic layer is formed of a semiconductive vulcanized rubber comprising a binder polymer, which contains a polymer having a butadiene skeleton being terminal-modified at the molecular terminal with a specific atomic group, and carbon black being dispersed, as conductive particles, in the binder polymer.例文帳に追加

帯電部材を良導電性の支持体と該支持体上の少なくとも１層以上からなる弾性層とで形成し、該弾性層は、分子末端が特定の原子団により末端変性処理されているブタジエン骨格を有する重合体を含有するバインダーポリマーに、導電性粒子としてカーボンブラックを分散した半導電性加硫ゴムで形成されている。 - 特許庁

A two element mixed crystal underlying layer 12 of silicon/ germanium having a thickness not thinner than that of one atomic layer is formed on a silicon substrate 11, a three element mixed crystal layer 13 of silicon/germanium/carbon is formed thereon and a three element mixed crystal film of silicon/germanium/carbon is formed utilizing preferential bonding of silicon atom and carbon atom and substitution of germanium atom and carbon atom.例文帳に追加

シリコン基板１１上に、少なくとも１原子層分の厚さを有するシリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層１２を形成し、この下地層１２上に、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層１３を形成し、シリコン原子とカーボン原子との優先結合及びゲルマニウム原子とカーボン原子との置換を利用することにより、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を作製する。 - 特許庁

The PDP is provided with at least the blue phosphor layer and the green phosphor layer, wherein the blue phosphor layer comprises BaMgAl_10O_17:Eu particles, and the BaMgAl_10O_17:Eu particles present on the surface have Eu^3+/Ba ratio of 1.5 to 2.8, (atomic ratio; measured by XPS method).例文帳に追加

青色蛍光体層及び緑色蛍光体層を少なくとも備えたプラズマディスプレイパネルであって、青色蛍光体層がＢａＭｇＡｌ_10Ｏ_17：Ｅｕ粒子を含み、ＢａＭｇＡｌ_10Ｏ_17：Ｅｕ粒子は、その表面に存在するＢａに対するＥｕ^3+の比Ｅｕ^3+／Ｂａが、１．５〜２．８（原子比：ＸＰＳ法により測定）である組成を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルにより上記課題を解決する。 - 特許庁

This laminate capacitor is formed by coating the laminate 11 with the glass coat layer 16, in which the atomic ratio of alkaline metal content to silicon content is 0.3 or more, and then by dipping the coated laminate 11 in an acidic aqueous solution.例文帳に追加

この積層コンデンサは、積層体１１の表面に、ケイ素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上のアルカリ金属を含むガラスコート層１６を施した後、酸性水溶液中に浸漬して得る。 - 特許庁

The oxide for a semiconductor layer of a thin-film transistor contains Zn, Sn, and In, and following formulas (1)-(3) are satisfied where [Zn], [Sn], and [In] are the contents (atomic %) of the metallic elements contained in the oxide.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎを含み、酸化物に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、および［Ｉｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足するものである。 - 特許庁

A carbon distribution curve of at least one layer of the thin film layers is substantially continuous and has at least one extreme, in which an absolute value difference between the maximum and minimum of the carbon atomic ratio is 5 atom% or more.例文帳に追加

薄膜層の少なくとも１層の炭素分布曲線は、実質的に連続であること、少なくとも１つの極値を有すること、及び炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、を全て満たす。 - 特許庁