「cmos structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LINEAR CAPACITOR STRUCTURE IN CMOS PROCESS例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程におけるリニア・コンデンサ構造 - 特許庁

CMOS PIXEL USING VERTICAL STRUCTURE AND SUB-MICRON CMOS PROCESS例文帳に追加

垂直構造およびサブミクロンＣＭＯＳプロセスを使用したＣＭＯＳピクセル - 特許庁

CMOS WELL STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＣＭＯＳウェル構造およびその形成方法 - 特許庁

PIXEL STRUCTURE AND CIRCUIT OF CMOS IMAGE SENSOR例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーのピクセル構造及び該回路 - 特許庁

The anode pad is realized as a CMOS structure.例文帳に追加

陽極パッドはＣＭＯＳ構造として実現される。 - 特許庁

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) STRUCTURE例文帳に追加

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）構造物 - 特許庁

METHOD FOR FORMING CMOS DEVICE DOUBLE METAL GATE STRUCTURE例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイス二重金属ゲート構造作製方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING DUAL GATE STRUCTURE OF CMOS DEVICE例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスのデュアル・ゲート構造を製造するプロセス - 特許庁

To form local wiring between a silicon CMOS element and a germanium CMOS element easily, in a silicon-germanium three-dimensional structure CMOS.例文帳に追加

シリコン−ゲルマニウム立体構造ＣＭＯＳにおいて、シリコンＣＭＯＳ素子とゲルマニウムＣＭＯＳ素子との間の局所配線を容易に形成する。 - 特許庁

FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC/CMOS INTEGRATED STRUCTURE例文帳に追加

強誘電体キャパシタおよび強誘電体／ＣＭＯＳ集積化構造 - 特許庁

METHOD FOR OBTAINING HIGH DYNAMIC RANGE READ-OUT SIGNAL OF CMOS-BASED PIXEL STRUCTURE AND SUCH CMOS-BASED PIXEL STRUCTURE例文帳に追加

ＣＭＯＳを基礎とするピクセル構造の高ダイナミックレンジの読み出し信号を得る方法及びそのＣＭＯＳを基礎とするピクセル構造 - 特許庁

CMOS DYNAMIC LOGIC CIRCUIT USING QUANTUM MECHANICS TUNNEL STRUCTURE例文帳に追加

量子力学的トンネル構造を使用するＣＭＯＳダイナミック・ロジック回路 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in a new structure, which increases light sensitivity even when highly integrating the CMOS image sensor, and also to provide a manufacturing method of the CMOS image sensor.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを高集積化する場合にも光感度を上げることができる新しい構造のＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a CMOS semiconductor device which has a simple structure and can be downsized.例文帳に追加

簡易な構造で、かつ小型化が可能なＣＭＯＳ半導体装置を得る。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND FORMING METHOD (HIGH MOBILITY PLANE CMOS SOI)例文帳に追加

集積回路構造及び形成方法（高移動度平面ＣＭＯＳＳＯＩ） - 特許庁

CMOS COMPATIBLE SHALLOW-TRENCH E-FUSE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＣＭＯＳ対応の浅いトレンチのｅフューズ構造体及びその製造方法 - 特許庁

CMOS structure has a silicon oxide external frame around a sensor region.例文帳に追加

検知領域の周囲にシリコン酸化物外枠を有するＣＭＯＳ構造。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF LOCAL WIRING ON SILICON-GERMANIUM THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE CMOS例文帳に追加

シリコン−ゲルマニウム立体構造ＣＭＯＳ上の局所配線の製造方法 - 特許庁

CMOS STRUCTURE USING SELF-ALIGNED STRESSED DUAL LAYER AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

自己整合されたデュアル応力層を用いるＣＭＯＳ構造体及び方法 - 特許庁

CMOS SENSOR STRUCTURE WITH SILICON OXIDE EXTERNAL FRAME AROUND SENSOR REGION例文帳に追加

検知領域周辺にシリコン酸化物外枠を有するＣＭＯＳ検知構造 - 特許庁

DEEP SUB-MICRON RAISED SOURCE/DRAIN CMOS STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME例文帳に追加

積み上げソース／ドレインを持つディープサブミクロンＣＭＯＳ構造およびその製造方法 - 特許庁

In typical embodiments, CMOS structure is provided on bulk and SOI.例文帳に追加

代表的な諸実施形態では、バルクおよびＳＯＩ上にＣＭＯＳ構造を備える。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING CMOS IMAGE SENSOR STRUCTURE AND CAMERA MODULE USING THE SAME例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサ構造体及びこれを用いたカメラモジュールを製作する為のプロセス - 特許庁

To simplify the manufacturing method of a semiconductor device using CMOS structure.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構造を用いた半導体装置の製造を簡略化することを課題とする。 - 特許庁

IMPROVEMENT OF OPTICAL TRANSMISSION ON MULTIPLE INSULATOR STRUCTURE IN ADVANCED CMOS IMAGING DEVICE例文帳に追加

先端ＣＭＯＳ撮像装置における多重絶縁体構造上の光伝送の改良 - 特許庁

To provide a ferroelectric/CMOS integrated structure having high storage characteristics.例文帳に追加

改善された蓄積特性を有する強誘電体／ＣＭＯＳ集積化構造を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING DIFFERENT SPECIES OF SILICIDE/GERMANIDE WITH CMOS TECHNIQUE例文帳に追加

ＣＭＯＳ技術で異種のシリサイド／ゲルマニドを含む半導体構造を形成する方法 - 特許庁

The logic structure 29 uses the high-frequency power FET structure of the source grounding structure as one of the devices of a CMOS constitution.例文帳に追加

論理構造２９はソース接地構造の前記高周波電力ＦＥＴ構造をＣＭＯＳ構成の１つの装置として使用する。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method permitting facilitated variable formations of channel lengths in a vertical CMOS structure device.例文帳に追加

縦型ＣＭＯＳ構造デバイスで、チヤネル長を容易に可変形成できる構造および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide novel gate, CMOS structure and MOS structure exhibiting excellent low resistivity and controllability.例文帳に追加

低抵抗性および制御性などに優れた新しいゲートならびにＣＭＯＳ構造およびＭＯＳ構造を提供する。 - 特許庁

The semiconductor structure, such as a CMOS structure, includes the gate electrode having the work function variable in the lateral direction.例文帳に追加

ＣＭＯＳ構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor cumulative capacitor structure having a good linear characteristic which can be integrated in CMOS.例文帳に追加

ＣＭＯＳに統合できるリニア特性の良い半導体累積コンデンサ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a resistance element suitable for semiconductor devices containing CMOS transistors of a salicide structure.例文帳に追加

サリサイド構造のＣＭＯＳトランジスタの含んだ半導体装置に適した抵抗素子を提供する。 - 特許庁

LAYOUT STRUCTURE OF INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD AND DEVICE FOR DESIGNING LAYOUT OF CMOS CIRCUIT例文帳に追加

集積回路のレイアウト構造、並びにＣＭＯＳ回路のレイアウト設計方法および設計装置 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a CMOS structure in which a gate leakage current and a threshold voltage are low.例文帳に追加

ゲートリーク電流および閾値電圧が低く、ＣＭＯＳ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An MEMS structure is formed together with an integrated circuit using a CMOS integrated circuit process.例文帳に追加

ＣＭＯＳ集積回路プロセスを使用して、集積回路とともにＭＥＭＳ構造体を形成する。 - 特許庁

The chip scale package of the CMOS image sensor includes a transparent substrate 110 used as a support structure of a package.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサのチップスケールパッケージは、パッケージの支持構造となる透明基板１１０からなる。 - 特許庁

CMOS STRUCTURE WITH NON-EPITAXIAL RAISED SOURCE/DRAIN AND SELF-ALIGNED GATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

非エピタキシャル隆起型ソース／ドレインおよび自己整合型ゲートを有するＣＭＯＳ構造と製造方法 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE ON HYBRID CRYSTAL ORIENTATION SUBSTRATE AND FORMATION METHOD THEREFOR (HIGH-PERFORMANCE CMOS SOI DEVICE)例文帳に追加

ハイブリッド結晶方位基板上の集積回路構造及び形成方法（高性能ＣＭＯＳＳＯＩデバイス） - 特許庁

For example, structure using an analog switch 100 by a three-input, one-output CMOS element is indicated.例文帳に追加

例えば３入力、１出力のＣＭＯＳ素子によるアナログスイッチ１００を使用した構成を示す。 - 特許庁

To provide an isolation structure of a chip scale package of a CMOS image sensor device, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサ装置のチップスケールパッケージの絶縁構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new structure of a CMOS device having high resistance to a bipolar type error mode MCBI caused by newly generated neutrons in the CMOS device and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイスに新たに出現した中性子起因のバイポーラ型エラーモードＭＣＢＩに高い耐性を持つＣＭＯＳデバイスの新たな構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS structure and a method of achieving self-aligned raised source/drain for CMOS structures on SOI without relying on selective epitaxial growth of silicon.例文帳に追加

シリコンの選択的エピタキシャル成長を利用せずに、ＳＯＩ上にＣＭＯＳ構造用の自己整合型隆起ソース／ドレインを実現させる、ＣＭＯＳ構造および方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the active pixel circuit of a CMOS image sensor for obtaining the output with the same output characteristics as that of CCD by improving the pixel structure of the CMOS image sensor.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーのピクセル構造を改良し、ＣＣＤの出力特性と同一出力が得られるようにしたＣＭＯＳイメージセンサーのアクティブピクセル回路を提供する。 - 特許庁

A CMOS structure and methods for fabricating the CMOS structure are provided, wherein a first stressed layer located over a first transistor and a second stressed layer located over a second transistor abut but do not overlap.例文帳に追加

第１のトランジスタの上に配置された第１の応力層及び第２のトランジスタの上に配置された第２の応力層が、当接するが、重ならない、ＣＭＯＳ構造体及びＣＭＯＳ構造体を製造する方法が提供される。 - 特許庁