| 例文 |
copper layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3098件
The thermal spraying layer 78 is a layer formed on the thermal spraying face 77c and made of copper or copper alloy.例文帳に追加
溶射層78は、溶射面77cに形成された銅又は銅合金製の層である。 - 特許庁
TWO-LAYER FLEXIBLE COPPER CLAD LAMINATE, AND METHOD OF PRODUCING THE TWO-LAYER FLEXIBLE COPPER CLAD LAMINATE例文帳に追加
2層フレキシブル銅張積層板及びその2層フレキシブル銅張積層板の製造方法 - 特許庁
At first, a copper layer 20 is formed in the nickel layer 14.例文帳に追加
ここでは、まず、ニッケル層14に銅層20を形成する。 - 特許庁
The electroconductive layer (10) to be bonded to a resin layer (4) includes a copper layer (1) and a copper-tin alloy layer (3) laminated on the copper layer (1), wherein the copper-tin alloy layer (3) has a thickness of 0.001 to 0.020 μm.例文帳に追加
樹脂層(4)に接着させる導電層(10)において、銅層(1)と、この銅層(1)上に積層された銅−スズ合金層(3)とを含み、銅−スズ合金層(3)は、厚みが0.001〜0.020μmである導電層(10)とする。 - 特許庁
The substrate includes: a copper layer; an alloy layer formed on the copper layer and containing copper and nickel; a nickel layer formed on the alloy layer; and an intermediate layer formed on the nickel layer.例文帳に追加
本発明の基板は、銅層と、銅層上に形成され、かつ銅およびニッケルを含む合金層と、合金層上に形成されたニッケル層と、ニッケル層上に形成された中間層とを備えている。 - 特許庁
COPPER FOIL WITH RESISTANCE LAYER AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加
抵抗層付き銅箔とその製造方法 - 特許庁
COPPER-LAYER ETCHING METHOD, ETCHING TREATMENT LIQUID, AND COPPER-WIRING MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
銅層エッチング方法、エッチング処理液及び銅配線の製造方法 - 特許庁
COPPER FOIL HAVING POLYALLYLAMINE COATING LAYER AND COPPER-CLAD LAMINATED PLATE FOR PRINTED WIRING BOARD USING THE COPPER FOIL例文帳に追加
ポリアリルアミン被覆層を有する銅箔及びそれを用いたプリント配線板用銅張積層板 - 特許庁
Then, the electroless copper plating layer 3 is removed, except the regions located under the plating resist layer 8 and the electroplating copper layer 4.例文帳に追加
次に、めっきレジスト8、電解銅めっき層4下の領域を除く無電解銅めっき層3を除去する。 - 特許庁
The gold layer 33 is larger in diameter than at least the copper layer 31.例文帳に追加
金層33は、少なくとも銅層31よりも大径である。 - 特許庁
METHOD FOR TREATING SURFACE OF COPPER LAYER, LAMINATE INCLUDING TREATED COPPER LAYER, AND WIRING BOARD例文帳に追加
銅層の表面処理法および当該処理をした銅層を含む積層板ならびに配線板 - 特許庁
COPPER WIRING LAYER, METHOD OF FORMING COPPER WIRING LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
銅配線層、銅配線層の形成方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
The method includes depositing copper to form a copper pillar layer 108, depositing a diffusion barrier layer 110 on a top of the copper pillar layer, and depositing a copper cap layer 112 on top of the diffusion barrier layer, wherein an intermetallic compound (IMC) 116 is formed among the diffusion barrier layer, the copper cap layer, and a solder layer formed on a top of the copper cap layer.例文帳に追加
銅柱108層を形成するために銅を堆積するステップと、銅柱層の上部に拡散バリア層110を堆積するステップと、拡散バリア層上に銅キャップ層112を形成するステップを含み、金属間化合物116(IMC)が拡散バリア層、銅キャップ層、銅キャップ層上に形成されたはんだ層の間に形成される。 - 特許庁
The core member 2 attached to a tool is immersed into a copper plating bath or copper-based alloy bath to form the copper plating layer 12 or the copper-based alloy plating layer 18.例文帳に追加
銅メッキ槽または銅系合金メッキ槽に、治具に取り付けた芯材2を浸漬して銅メッキ層12または銅系合金メッキ層18を形成する。 - 特許庁
METHOD FOR DIRECT ELECTROPLATING OF COPPER ON PLATABLE LAYER WHICH IS NOT COPPER例文帳に追加
銅でないメッキ可能層の上への銅の直接電気メッキのための方法 - 特許庁
The average crystal grain size of copper comprised in the copper layer 8 is ≤0.5 μm.例文帳に追加
銅層8に含まれる銅の平均結晶粒径が0.5μm以下である。 - 特許庁
The light reflection layer (28) includes a copper layer (31a), a copper plated layer (31b) covering the copper layer (31a), and metal layers (32, 33) laminated on the copper plated layer (31b) and reflecting light emitted from the light emitting element (41).例文帳に追加
前記光反射層(28)は、銅層(31a)と、前記銅層(31a)を被覆する銅めっき層(31b)と、前記銅めっき層(31b)の上に積層されるとともに前記発光素子(41)が発する光を反射させる金属層(32, 33)と、を含んでいる。 - 特許庁
To provide a method of recycling copper by efficiently isolating copper from a used photogravure consisting of a copper-plated layer and a chrome-plated layer.例文帳に追加
グラビア版の再版時に発生する銅及びクロムメッキ層から銅を効率よく分離し、再利用する方法を提供すること。 - 特許庁
Finally, the copper layer 120 is subject to chemical-mechanical polishing.例文帳に追加
最後に、銅層(120)が化学機械的研磨される。 - 特許庁
A method of forming a copper wiring layer is characterized in that the method comprises a process of forming a pattern of a copper seed layer on a substrate and a process of forming a copper wiring layer on the pattern of the copper seed layer by means of electroless plating.例文帳に追加
基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁
FORMATION OF COPPER LAYER ON SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェハ上に銅層を形成する方法 - 特許庁
The copper foil 100 for the fine circuit is provided with: a copper alloy layer 20 whose etching rate is higher than that of pure copper; and a copper layer 30 composed of pure copper.例文帳に追加
本発明は微細回路用銅箔に関し、より詳しくは製造が容易でありその厚さが薄く、かつ、均一な表面粗度を有する微細回路用銅箔を提供する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING TaCN BARRIER LAYER IN COPPER METALLIZATION PROCESS AND COPPER METAL LAYER STRUCTURE WITH TaCN BARRIER LAYER例文帳に追加
銅金属化プロセスにおけるTaCNバリア層の製造方法並びにTaCNバリア層を有する銅金属層構造 - 特許庁
PRODUCTION METHOD, OF COPPER FOIL WITH INSULATING LAYER OBTAINED COPPER FOIL WITH INSULATING LAYER OBTAINED BY THE METHOD AND PRINTED WIRING BOARD USING COPPER FOIL WITH INSULATING LAYER例文帳に追加
絶縁層付銅箔の製造方法及びその製造方法で得られた絶縁層付銅箔並びにその絶縁層付銅箔を用いたプリント配線板 - 特許庁
It is also possible that the copper or copper alloy plated layer is formed as a substrate for the tin or tin alloy plated layer, and a copper/tin alloy layer may be formed by reflow treatment.例文帳に追加
錫又は錫合金めっき層の下地として銅又は銅合金めっき層を形成し、リフロー処理により銅−錫合金層を形成してもよい。 - 特許庁
A nitriding treatment is conducted to the mixing-material layer while the copper layer 11 is kept at 150° C or higher and the copper layer 11 is not changed into copper nitride.例文帳に追加
次に、銅層11を150°C以上に保って銅層11が窒化銅に変換されないようにしつつ、混合材料層に対して窒化処理を行う。 - 特許庁
To provide a copper plating bath that deposits copper on the surface of a conductive layer.例文帳に追加
導電層の表面上に銅を堆積させる銅めっき浴を提供する。 - 特許庁
METHOD OF REMOVING TIN OR TIN ALLOY LAYER ON SURFACE OF COPPER OR COPPER ALLOY MATERIAL例文帳に追加
銅または銅合金材の表面の錫または錫合金層の剥離方法 - 特許庁
TWO-LAYER COPPER CLAD LAMINATED SHEET AND MANUFACTURING PROCESS OF THE SAME例文帳に追加
2層銅張積層板及びその製造方法 - 特許庁
SURFACE TREATMENT METHOD FOR COPPER LAYER AND LAMINATED BOARD AND WIRING PLATE INCLUDING THE COPPER LAYER SUBJECTED TO THE TREATMENT例文帳に追加
銅層の表面処理法および当該処理をした銅層を含む積層板ならびに配線板 - 特許庁
The upper face of a polyimide film 21 which is a carrier is plated with a tin copper layer and a thick copper layer 23.例文帳に追加
キャリアであるポリイミドフイルム21の上面に薄い銅層および厚い銅層23がメッキされる。 - 特許庁
Wiring structure is disclosed having the alloy layer containing the copper layer or copper made by using the manufacturing method.例文帳に追加
前記製造方法を用いて作製した銅層又は銅を含む合金層を有する配線構造。 - 特許庁
The next process in the method is electroplating the treated copper seed layer with a copper fill layer.例文帳に追加
次いで、その方法は、処理された銅シード層上に銅充填層を電気メッキする工程に進む。 - 特許庁
In this case, the entire thickness of the tin or tin alloy plated layer and the copper/copper alloy layer should be 0.4 μm.例文帳に追加
その場合、錫又は錫合金めっき層と銅−錫合金層の合計厚さを0.4μmとする。 - 特許庁
COPPER OR COPPER ALLOY MEMBER HAVING SILVER ALLOY LAYER FORMED AS OUTERMOST SURFACE LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
最表層として銀合金層が形成された銅または銅合金部材およびその製造方法 - 特許庁
The stacked copper foil includes: a substrate of a copper or copper alloy foil; and a copper-electrodeposited layer which covers at least one part of the substrate of the copper or copper alloy foil, and has a plurality of tabular bodies standing on the surface of the substrate of the copper or copper alloy foil.例文帳に追加
銅又は銅合金箔基材と、銅又は銅合金箔基材の少なくとも一部を被覆し、且つ、銅又は銅合金箔基材表面に起立する平板状体を有する銅電着層と、を備えた積層銅箔。 - 特許庁
In the copper-metallized film, a copper layer and/or a copper alloy layer are/is formed on an insulation film.例文帳に追加
および圧延銅箔と同程度以上の屈曲性、耐折曲げ性を有する銅メタライズドフィルムとその製造方法を提供すること。 - 特許庁
A copper layer (electroconductive layer) 30 laminated on the alloy layer 20 may be included.例文帳に追加
さらに、上記合金層20に積層される銅層(導電層)30が含まれてもよい。 - 特許庁
A plated copper layer is formed on a layer-insulation layer, to which catalyst particles are given (#2 and #3).例文帳に追加
触媒粒子を付与した層間絶縁層上に銅めっき層を形成する(#2,#3)。 - 特許庁
On the shell and the lead terminal of the base, a copper layer, a nickel layer and a gold layer are formed in this order.例文帳に追加
ベースのシェル、リード端子には、銅層、ニッケル層、金層の順で形成されている。 - 特許庁
A transition layer (240) added with copper is positioned to overlay the barrier layer.例文帳に追加
銅を添加した遷移層(240)を、バリア層を覆うように位置させる。 - 特許庁
To deposit a copper seed layer on a substrate having an electrically conductive layer.例文帳に追加
導電層を有する基体上に銅シード層を堆積させる方法。 - 特許庁
Thereafter, a copper layer is deposited on the second barrier layer, filling the interconnection trench.例文帳に追加
銅層が、第2バリア層に堆積され、配線トレンチに充填される。 - 特許庁
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