| 例文 |
electroless plating processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 158件
A metal base layer 12, that serves as the catalyst of a reduced metal wet process of electroless plating, is formed on a diode chip to be formed with a metal layer or on a predetermined section of a wafer 10, a resist layer 16 for determining a metal layer pattern 18 is provided thereon, and a patterned metal layer 14 is formed by the reduced metal wet process.例文帳に追加
金属層を形成しようとするダイオードチップ或いはウエハ１０の所定区域に無電解メッキの還元金属湿式プロセスの触媒となる金属下地層１２を形成し、その上に金属層パターン１８を定めるレジスト層１６を設けて還元金属湿式プロセスにより、パターン化された金属層１４を形成する。 - 特許庁
This bump forming method includes a first process to form a metallic film 16 on a pad 12 by zincate treatment using a first strong alkaline solution, a second process to form a resist layer 20 with a through hole 22, through which the metallic film 16 is exposed, and a third process to form a metallic layer 24 in the through hole 22 by electroless plating using a second acid solution.例文帳に追加
バンプの形成方法は、パッド１２上に強アルカリ性の第１の溶液を使用するジンケート処理によって金属皮膜１６を形成する第１工程と、金属皮膜１６を露出させる貫通穴２２が形成されたレジスト層２０を形成する第２工程と、酸性の第２の溶液を使用する無電解メッキによって貫通穴２２内に金属層２４を形成する第３工程と、を含む。 - 特許庁
The manufacturing method of the conductive particulates consisting of fine resin particles and a metal coating layer formed on the surface of the fine resin particles at least contains an electroless nickel plating process using a boron compound and a hypophosphorous acid compound as a reducing agent.例文帳に追加
樹脂微粒子と前記樹脂微粒子の表面に形成された金属被覆層とからなる導電性微粒子を製造する方法であって、少なくとも、還元剤としてホウ素化合物及び次亜リン酸化合物を用いる無電解ニッケルメッキ工程を有することを特徴とする導電性微粒子の製造方法。 - 特許庁
A process is conducted in which a metallic film is formed by an electroless plating method on a portion which comes into contact with the supporting body of the optical component 2 except a portion on/from which light is made incident or emitted after a hydrophobic film is formed on the portion on/from which the light of the optical component 2 is made incident or emitted.例文帳に追加
光学部品２の光が入射または出射する部分に疎水性膜を形成した後、前記光学部品２の前記支持体と接触する部分であって、前記光が入射または出射する部分を除く部分に、無電解メッキ法によって金属膜を形成する工程を実施する。 - 特許庁
In the manufacturing method of the semiconductor device in which an Ni plated film 13a formed by electroless plating is formed on the side of one surface 100a of the semiconductor wafer 100 and the semiconductor wafer 100 is ground and thinned from the side of the other surface 100b of the semiconductor wafer 100, the process of thinning the semiconductor wafer 100 is executed before the process of forming the Ni plated film 13a.例文帳に追加
半導体ウェハ１００の一面１００ａ側に無電解メッキにより形成されたＮｉメッキ膜１３ａを形成するとともに、半導体ウェハ１００の他面１００ｂ側から半導体ウェハ１００を研削して薄肉化するようにした半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ１００を薄肉化する工程を、Ｎｉメッキ膜１３ａを形成する工程の前に行う。 - 特許庁
The manufacturing method of the three-dimensional metal fine structure having an arbitrary stereoscopic shape comprises a first process for forming a polymer structure having a three-dimensional fine structure by a two-photon absorbing fine shaping method for irradiating a photosetting resin with a short pulse laser beam and a second process for forming a metal film on the polymer structure formed by the first process by electroless plating.例文帳に追加
任意の立体形状を備えた３次元金属微細構造体の製造方法において、光硬化性樹脂に対して短パルスレーザー光を照射して２光子吸収微細造形法により３次元微細構造を備えたポリマー構造体を形成する第１の工程と、上記第１の工程により形成されたポリマー構造体に無電解めっきにより金属膜を形成する第２の工程とを有する３次元金属微細構造体の製造方法である。 - 特許庁
The cleaning of the resin board 10 is carried out using an acid solution for dissolving and removing metal deposited on the leftover of the first layer 12 through an electroless plating process and the leftover of the first layer 12, and/or an alkaline solution for dissolving the resin board 10 to remove its part which supports the leftover of the first layer 12.例文帳に追加
樹脂基板１０の洗浄は、無電解めっき処理によって第１の層１２の取り残しに析出した金属及び第１の層１２の取り残しを溶解して除去するための酸性溶液及び樹脂基板１０を溶解して第１の層１２の取り残しを支持する部分を除去するためのアルカリ性溶液の少なくとも一方を使用して行う。 - 特許庁
To provide an epoxy resin composition for packaging material for a semiconductor device, stabilizing operation of the device by effectively absorbing unnecessary electromagnetic wave, and solving inside electromagnetic wave noise without complicating process of production by forming a metal film for shielding by imparting an electroless plating property, and to provide a semiconductor device using the same.例文帳に追加
半導体装置のパッケージ用材料であり、不要電磁波を効率良く吸収することによっての半導体装置の動作を安定化させ、かつ、無電界めっき性を付与することでシールド用金属皮膜を形成可能とすることにより、製造工程を複雑化すること無く、内部での電磁波ノイズを解決し、安定に動作する半導体装置のパッケージ用材料としてのエポキシ樹脂組成物、ならびに該組成物からなる成形材料を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
