| 意味 | 例文 |
electron diffractionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 158件
The Ti-Al-based alloy target obtained by this method comprises 45 to 65 atomic% Al, and has at least two or more phases of Ti_3Al, TiAl, TiAl_2 and TiAl_3 upon analysis by X-ray diffraction, and in which metal Ti and metal Al as simple substances are not left upon EPMA (Electron Probe Micro Analysis).例文帳に追加
これにより得られたＴｉ−Ａｌ系合金ターゲットは、Ａｌを４５〜６５原子％含有し、Ｘ線回折で分析したときにＴｉ_３Ａｌ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌ_２，ＴｉＡｌ_３の少なくとも２種以上の相を含み、ＥＰＭＡ分析をしたときに単体の金属Ｔｉ及び金属Ａｌが残存していない。 - 特許庁
To provide an electron microscope with a magnetic image forming energy filter suitable for forming an energy-filtered object image or a diffraction image in a detector plane and suitable for forming a dispersion plane image in the detector plane for the parallel registration positioning of the energy spectrum.例文帳に追加
エネルギフィルタリングされた対象物像又は回析像を検出器平面内に結像するのに適しているのみならず、エネルギスペクトルのパラレルレジストレーション位置合せのため検出器平面内へ分散平面を結像するのにも適する磁気形結像エネルギフィルタを有する電子顕微鏡を提供すること。 - 特許庁
The magnetic particles are reduction treatment products of hexagonal ferrite magnetic particles, and a ratio Dc/Dtem between a particle diameter Dtem in a direction perpendicular to a face (220) obtained with a transmission electron microscope and a crystallite size Dc obtained from a diffraction peak of the face (220) is within the range of 0.90-0.75.例文帳に追加
前記磁性粒子は、六方晶フェライト磁性粒子の還元処理物であって、透過型電子顕微鏡により求められる（２２０）面に垂直な方向における粒子径Ｄｔｅｍと、（２２０）面の回折ピークから求められる結晶子サイズＤｃとの比Ｄｃ／Ｄｔｅｍが０．９０〜０．７５の範囲である。 - 特許庁
An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加
ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁
In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process.例文帳に追加
クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 - 特許庁
The distributed feedback semiconductor laser device is provided with an active layer 23 to join carriers again, clad layers 24 and 26 as a p-type semiconductor layer for supplying a hole to the active layer 23, a buffer layer 22 as an n-type semiconductor layer for supplying an electron to the active layer 23, a diffraction lattice layer 25 formed in the p-type semiconductor layer, and so on.例文帳に追加
分布帰還型半導体レーザ素子は、キャリア再結合を行う活性層２３と、活性層２３へホールを供給するｐ型半導体層であるクラッド層２４，２６層と、活性層２３へ電子を供給するｎ型半導体層であるバッファ層２２と、ｐ型半導体層の中に形成された回折格子層２５などで構成される。 - 特許庁
To accurately obtain mechanical characteristics at the time of plastic deformation of a polycrystalline material by rapidly and certainly estimating the non-uniform deformation state of the microscopic texture of the polycrystalline material when the polycrystalline material receives macroscopic deformation by a simple method using the crystal data of the polycrystalline material receiving no plastic deformation obtained by a back scattering electron beam diffraction (EBSD) method.例文帳に追加
後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。 - 特許庁
The liquid crystal composition includes liquid crystal and chiral agent including a compound with three electron withdrawing groups as a terminal group of a structure in which a plurality of rings including at least one aromatic ring are connected directly or through a connection group, wherein a peak of a diffraction wavelength on a longest wavelength side in a reflection spectrum is 450 nm or less, and is preferably 420 nm or less.例文帳に追加
少なくとも１つの芳香環を含む複数の環が直接又は連結基を介して連結した構造の末端基として、３つの電子吸引基を有する化合物を含む液晶及びカイラル剤を有し、反射スペクトルにおける最も長波長側の回折波長のピークが４５０ｎｍ以下、より好ましくは４２０ｎｍ以下である液晶組成物である。 - 特許庁
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