| 例文 |
element effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3057件
To provide a method capable of manufacturing a magnetoresistance effect element having a fine constricted part of 30 nm or less easily with high yield, and to provide a magnetoresistance effect element having large magnetoresistance effect.例文帳に追加
30nm以下の微小くびれ部を有する磁気抵抗効果素子を容易に歩留まり高く製造できる方法と、大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子とを得る。 - 特許庁
The magnetoresistance effect element is composed by utilizing the ferromagnetic tunnel effect, in which the magnetoresistance effect element comprising an antiferromagnetic layer, the magnetic layer, an intermediate layer, and the magnetic layer is formed between electrode layers.例文帳に追加
反強磁性層/磁性層/中間層/磁性層からなる磁気抵抗効果素子を電極層間に形成した強磁性トンネル効果を利用した磁気抵抗効果素子とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which eliminates the adverse effect of reflected light of a laser beam emitted to a fuse element on an adjacent fuse element.例文帳に追加
ヒューズ素子に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子に与える悪影響を無くす。 - 特許庁
LAMINATED FERRIMAGNETIC THIN FILM, AND MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND FERROMAGNETIC TUNNEL ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
積層フェリ型磁性薄膜並びにそれを使用した磁気抵抗効果素子及び強磁性トンネル素子 - 特許庁
VERTICAL CONDUCTING TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, VERTICAL CONDUCTING TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD AND MAGNETIC RECORDER/REPRODUCER例文帳に追加
垂直通電型磁気抵抗効果素子、垂直通電型磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生装置 - 特許庁
This remarkably reduces the side gate effect from a resistance element 103 adjacent to the field effect transistor.例文帳に追加
こうして、電界効果型トランジスタに隣接する抵抗素子などからのサイドゲート効果を大幅に低減出来できる。 - 特許庁
To provide a magnetoresistance effect element and a magnetoresistance effect type storage element for improving selectivity and output signals by controlling an application bias.例文帳に追加
印加バイアスを制御することにより、選択性および出力信号を改善した磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型記憶素子を提供する。 - 特許庁
A free layer 22 constituting the MR element 21 consists of the anisotropic magneto-resistance effect material and also provides the function as the anisotropic magneto-resistance effect element.例文帳に追加
MR素子21を構成している自由層22は異方性磁気抵抗効果材料からなり、異方性磁気抵抗効果素子としての機能を兼ね備えている。 - 特許庁
For temperature correction of an output of the magnetoresistance effect element, a temperature sensor 13 is provided to detect the temperature of the magnetoresistance effect element.例文帳に追加
本発明では、前記磁気抵抗効果素子の出力を温度補正するために、前記磁気抵抗効果素子の温度を検出する温度センサ(13)を設ける。 - 特許庁
Such protective element provides the shielding of high reliability for the emission of light and imparts the effect nearly similar to the effect of the metallic protective element of the same size.例文帳に追加
このような保護要素は光の射出に対して信頼度の高い遮蔽を提供し、同じ寸法の金属保護要素とほぼ同様の効果を与える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element having an improved MR change rate, and to provide a magnetoresistance effect element, a magnetic head assembly, and a magnetic recording and reproducing device.例文帳に追加
MR変化率を向上した磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element having a high MR ratio, high reliability and a ferromagnetic tunnel junction and to provide the magnetoresistance effect element.例文帳に追加
MR比が高く、かつ信頼性の高い強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁
The magnetic sensor is constituted by a positive magnetoresistance effect element, and a bridge circuit or a serial connection circuit having a negative magnetoresistance effect element.例文帳に追加
本発明の磁気センサは、正磁気抵抗効果素子と、負磁気抵抗効果素子とを有するブリッジ回路または直列接続回路により構成されている。 - 特許庁
To provide a method of connecting integrally juxtaposed Peltier/Seebeck element chips forming a Peltier-effect-type or a Seebeck-effect-type thermoelectric conversion element circuit system.例文帳に追加
ペルチェ効果型又はゼーベック効果型の熱電変換素子回路系を形成する集積並列ペルチェ・ゼーベック素子チップの接続方法を提供する。 - 特許庁
To stably realize a high magneto-resistance effect and to provide a method for manufacturing an element of high MR ratio in a tunneling magneto-resistance effect element.例文帳に追加
トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高MR比の素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a magneto-resistance effect element capable of obtaining a larger resistance variation and corresponding to high recording density and to provide a thin film magnetic head provided with the magneto-resistance effect element.例文帳に追加
より大きな抵抗変化量が得られ、高記録密度化に対応可能な磁気抵抗効果素子およびこれを備えた薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
To realize a stable and high magneto-resistance effect and to provide a method for manufacturing an element of high MR ratio in a tunneling magneto-resistance effect element.例文帳に追加
トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高MR比の素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁
SPIN TRANSISTOR, RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
スピントランジスタ、リコンフィギャラブル論理回路、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗効果素子の製造装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
To highly accurately overlap a conductive material film on a magneto- resistance effect element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子上に導電体膜を高精度にオーバーラップさせる。 - 特許庁
PROXIMITY EFFECT CORRECTING METHOD AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
近接効果補正方法及びそれを用いた半導体素子製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法 - 特許庁
EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC RELUCTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING IT, AND MAGNETIC RECORD REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法 - 特許庁
To provide a light-emitting element improved in downsizing, integration and heat dissipation effect.例文帳に追加
小型化及び、集積化、放熱効果を改善させた発光素子の提供。 - 特許庁
DRY ANALYSIS ELEMENT USED TO MEASURE BODY FLUID COMPONENT WITH EFFECT OF HEMOLYSIS REDUCED例文帳に追加
溶血の影響を低減した体液成分測定用乾式分析素子 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果素子とその製造方法、およびこれを用いた磁気デバイス - 特許庁
GMR ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE HEAD例文帳に追加
GMR素子それを用いた磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 - 特許庁
TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに製造装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND HEAD SUSPENSION ASSEMBLY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気ヘッド及びヘッドサスペンションアセンブリ - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, CURRENT PERPENDICULAR TO PLANE MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISK DRIVE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、垂直通電型磁気ヘッド、および磁気ディスク装置 - 特許庁
MAGNETIC THIN FILM AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING IT例文帳に追加
磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ - 特許庁
MAGNETIC THIN FILM, MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC MEMORY CELL例文帳に追加
磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよび磁気メモリ素子 - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THEM例文帳に追加
有機半導体素子、電界効果型トランジスタおよびそれらの製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT CONSTITUTED BY LAMINATING OXIDE MAGNETIC LAYER AND METALLIC MAGNETIC LAYER UPON ANOTHER例文帳に追加
酸化物磁性層と金属磁性膜を積層した磁気抵抗効果素子 - 特許庁
To reduce the input capacity of a junction type field effect semiconductor element.例文帳に追加
接合型電界効果半導体素子の入力容量を低減させる。 - 特許庁
To reduce an afterimage due to an electric charge storage effect of an optical light-receiving element.例文帳に追加
光受光素子の電荷蓄積効果による残像を低減すること。 - 特許庁
METHOD OF FORMING THIN FILM PATTERN AND METHOD OF FORMING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
薄膜パターンの形成方法および磁気抵抗効果素子の形成方法 - 特許庁
A laser diode chip 3 is cooled by cooling effect of the Peltier element 5.例文帳に追加
ペルチェ素子5の冷却効果によってレーザダイオードチップ3は冷却される。 - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING ELEMENT EMPLOYING IT例文帳に追加
有機半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁
SEMICONDUCTOR, MEMORY ELEMENT HAVING FLOATING BODY EFFECT REMOVED AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
フローティングボディ効果を除去した半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISK DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISK DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置 - 特許庁
A Peltier effect element (44) is provided with heat transfer fins (42, 43) along the air flow.例文帳に追加
ペルチェ効果素子(44)には、空気流れに沿って伝熱フィン(42,43)が設けられる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING DIODE ELEMENT THAT SUPPRESSES PARASITIC EFFECT例文帳に追加
寄生効果を抑止したダイオード素子を有する半導体集積回路装置 - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, ORGANIC TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING ELEMENT例文帳に追加
有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁
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