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element effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3057件
SPIN-INJECTION MAGNETIZATION-REVERSAL MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT USING QUANTUM SIZE EFFECT例文帳に追加
量子サイズ効果を用いたスピン注入磁化反転磁気抵抗素子 - 特許庁
FULLERENE DERIVATIVE COMPOSITION AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
フラーレン誘導体組成物とこれを用いた電界効果トランジスタ素子 - 特許庁
SHEET-SHAPED PERMANENT MAGNET AND MAGNETIC IMPEDANCE EFFECT ELEMENT USING IT例文帳に追加
シート状永久磁石及びそれを用いた磁気インピーダンス効果素子 - 特許庁
The active circuit element is a GaAs metal/semiconductor field-effect transistor (MESFET). 例文帳に追加
能動回路素子はGaAs金属半導体電場効果トランジスタ(MESFET)である。 - コンピューター用語辞典
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS PRODUCING METHOD AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT TYPE HEAD ELEMENT ASSEMBLY AND ITS PRODUCTION例文帳に追加
磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体及びその製造方法 - 特許庁
EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT BY USE THERE OF, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD BY USE OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS PRODUCING SYSTEM, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造装置並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETRORESISTANCE EFFECT HEAD ELEMENT AGGREGATE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
To provide a CPP-structure magnetoresistance effect element which can contribute to reduce Barkhausen noise and to provide a method of manufacturing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加
バルクハウゼンノイズの低減に大いに寄与することができるCPP構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
SPIN VALVE TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS PRODUCTION AND THIN FILM MAGNETIC HEAD EQUIPPED WITH THAT ELEMENT例文帳に追加
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子およびその製造方法とその素子を備えた薄膜磁気ヘッド - 特許庁
To provide a manufacturing method of diffraction optical element for obtaining an optimum diffraction effect in a diffraction optical element.例文帳に追加
回折光学素子において、最適な回折効果を得るための回折光学素子作製方法 - 特許庁
To provide a flash memory element for reducing an interference effect, and to provide a method of manufacturing the flash memory element.例文帳に追加
干渉効果を減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
Wirings for vertical effect 21, 22 and wirings for horizontal effect 23, 24 are disposed on the piezo element 19.例文帳に追加
ピエゾ素子19には縦効果用配線21,22と横効果用配線23,24が配置されている。 - 特許庁
To provide an optical element having both of antistatic effect and multilayer optical effect and having no necessary for grounding treatment.例文帳に追加
帯電防止効果と多層光学効果を併せ持ち、接地処理が不要な光学素子を提案すること。 - 特許庁
SWITCHED CONNECTION FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD AND MANUFACTURE OF THE SWITCHED CONNECTION FILM例文帳に追加
交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび交換結合膜の製造方法 - 特許庁
METHOD OF USING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, SENSOR DEVICE HAVING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MAGNETIC DISK DRIVE DEVICE HAVING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT READ-OUT HEAD ELEMENT例文帳に追加
トンネル磁気抵抗効果素子の使用方法、トンネル磁気抵抗効果素子を有するセンサ装置及びトンネル磁気抵抗効果読出しヘッド素子を有する磁気ディスクドライブ装置 - 特許庁
Further, a Za-phase signal is output from a terminal electrode 22A at the middle point between a magnetoresistance effect element 22a and a magnetoresistance effect element 22b, and a Zb-phase signal is output from a terminal electrode 22B at the middle point between a magnetoresistance effect element 22c and a magnetoresistance effect element 22d.例文帳に追加
また、磁気抵抗効果素子22aと磁気抵抗効果素子22bとの中点の端子電極22AからZa相の信号が、磁気抵抗効果素子22cと磁気抵抗効果素子22dとの中点の端子電極22BからZb相の信号が出力される。 - 特許庁
An A-phase signal is output from a terminal electrode 21A at the middle point between a magnetoresistance effect element 21a and a magnetoresistance effect element 21b, and a B-phase signal is output from a terminal electrode 21B at the middle point between a magnetoresistance effect element 21c and a magnetoresistance effect element 21d.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子21aと磁気抵抗効果素子21bとの中点の端子電極21AからはA相の信号が、磁気抵抗効果素子21cと磁気抵抗効果素子21dとの中点の端子電極21BからB相の信号が出力される。 - 特許庁
A thermo-element 210 for heating the circuit element 202 up to the test temperature by thermoelectric effect is installed, and when a life test is executed, the circuit element 202 is heated up to the test temperature by thermoelectric effect of the thermo-element 210.例文帳に追加
回路要素202を熱電効果により試験温度とする熱電素子210を設け、寿命試験を実行するときは熱電素子210の熱電効果で回路要素202を試験温度とする。 - 特許庁
A marking for identifying the magnetization direction of a fixed layer of a magnetoresistive effect element is indicated on a chip laid out with the magnetoresistive effect element and a plurality of connection pads connected to terminals of the magnetoresistive effect element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の端子に接続する複数の接続用パッドが形成されたチップ上に、上記磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を識別するマーキングを表示した。 - 特許庁
To prevent electrostatic breaking of a magnetoresistive effect element, magnetic breaking/degradation of the magnetoresistive effect element by an electromagnetic field to which a momentary large current by static electricity upheaves, and breaking of the magnetoresistive effect element by an electromagnetic wave from outside.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の静電破壊、静電気による瞬間的な大電流が隆起する電磁界による磁気抵抗効果素子の磁気的な破壊・劣化および外部からの電磁波による破壊を防止する。 - 特許庁
To reduce processing time of an ion milling process of a magnetoresistance effect film for use in a magnetoresistance effect element, thereby improve resolution of a lead element.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子に使用する磁気抵抗効果膜のイオンミリング工程の加工時間を短縮し、リード素子の分解能を向上させる。 - 特許庁
The magnetoresistive effect head is provided with the GMR element 4 showing a magnetoresistive effect and a magnetic flux guide 5 which draws leakage magnetic fluxes from a magnetic recording medium in the element 4.例文帳に追加
磁気抵抗効果を示すGMR素子4と、磁気記録メディアからの漏れ磁束をGMR素子に引き込む磁束ガイド5とを備える。 - 特許庁
TUNNELING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND BEARING DETECTING SYSTEM USING THE SAME例文帳に追加
トンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いた方位検知システム - 特許庁
Thus, a TFD element having an effect of this invention is manufactured.例文帳に追加
これにより、本発明の効果を有するTFD素子が作製される。 - 特許庁
ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT IMPROVED IN HEAT RADIATING EFFECT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
放熱効果が高められた有機電界発光素子及びその製造法 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND READ HEAD AND DRIVE HAVING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブ - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING APPARATUS, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁
MAGNETORESISTANCE-EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, HEAD SUSPENSION ASSEMBLY, AND MAGNETIC DISC UNIT例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁
To reduce the effect of heat generation from a light-emitting element on a lens array.例文帳に追加
発光素子による発熱がレンズアレイに及ぼす影響を低減する。 - 特許庁
RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT OPTICAL MODULATOR AND SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT例文帳に追加
電界効果型光変調器および半導体光素子の製造方法 - 特許庁
To miniaturize a magnetometric sensor using a huge magnetoresistance effect element.例文帳に追加
巨大磁気抵抗効果素子を使用した磁気センサを小型化すること。 - 特許庁
DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記憶装置および磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, HEAD SUSPENSION ASSEMBLY AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 - 特許庁
MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
VACUUM TREATMENT SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING TUNNEL JUNCTION MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加
真空処理装置、トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置 - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気メモリ - 特許庁
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
To provide a nanometer scale field effect element exhibiting good reproducibility of signal.例文帳に追加
信号の再現性のよいナノメートルスケール電界効果素子を提供する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置 - 特許庁
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD ASSEMBLY AND MAGNETIC RECORDING DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND STORAGE DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を用いた記憶装置 - 特許庁
To resonate an existing dipole element to another frequency different from the one in resonance with the dipole element and to allow the dipole element to radiate, without giving effect on the existing dipole element.例文帳に追加
既存のダイポール素子に影響を与えずに、該ダイポール素子に共振する周波数と異なる、追加する周波数で共振、放射させる。 - 特許庁
To provide a method capable of manufacturing a magnetoresistance effect element having a fine constricted part of ≤30 nm easily with high yield, and to provide a magnetoresistance effect element having large magnetoresistance effect.例文帳に追加
30nm以下の微小くびれ部を有する磁気抵抗効果素子を容易に歩留まり高く製造できる方法と、大きな磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子とを得る。 - 特許庁
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